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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS65C1024AL-45QLA3-TR | 4.1213 | ![]() | 2117 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 32-SOIC (0 445 ", 11,30 mm de grandeur) | IS65C1024 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 1mbit | 45 ns | Sram | 128k x 8 | Parallèle | 45ns | |||
![]() | IS42S16400F-7TLI-TR | - | ![]() | 6617 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S32200E-7TL-TR | - | ![]() | 1589 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61NLP12836B-200TQI-TR | - | ![]() | 4240 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61NLP12836 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 3.1 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS45S32200E-7TLA1-T-T-TR | - | ![]() | 6326 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS45S32200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S16800D-75ETL-TR | - | ![]() | 5198 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 6.5 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61WV25616BLL-10BI-TR | 3.2736 | ![]() | 5707 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS61WV25616 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 10ns | |||
![]() | IS42S16800D-75ETLI-TR | - | ![]() | 9624 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 500 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 6.5 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61WV102416BLL-10MI | - | ![]() | 4636 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS61WV102416 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-Minibga (9x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | Volatil | 16mbitons | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 10ns | |||
![]() | IS61LF12836A-7.5B2I-TR | - | ![]() | 5104 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 119-BBGA | IS61LF12836 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 117 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 7,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | ||
IS61WV51216BLL-10TLI-TR | 12.3000 | ![]() | 9043 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS61WV51216 | Sram - asynchrone | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||
![]() | IS42S16400D-6BI-TR | - | ![]() | 7347 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS42S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 60 minibga (6,4x10.1) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 64mbitons | 5 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61LPD25636A-200TQLI-TR | 12.7500 | ![]() | 6034 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LPD25636 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatil | 9mbitons | 3.1 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S83200B-6TLI-TR | - | ![]() | 9552 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S83200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S32800D-7TL-TR | - | ![]() | 7773 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61VPS102418A-250TQL-TR | - | ![]() | 4781 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61VPS102418 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 250 MHz | Volatil | 18mbitons | 2.6 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS61LF102418A-6.5TQL-TR | - | ![]() | 8978 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | IS61LF102418 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 100 LQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 6.5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | IS45S32400B-6BLA1-T-T-TR | - | ![]() | 5843 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS42S32800D-6BI-TR | - | ![]() | 1521 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | - | ||
![]() | IS62WV102416BLL-25TLI-TR | 18h0000 | ![]() | 8007 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | IS62WV102416 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 500 | Volatil | 16mbitons | 25 ns | Sram | 1m x 16 | Parallèle | 25ns | |||
![]() | IS43R16160D-6BL | 5.3295 | ![]() | 9289 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43R16160 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1204 | EAR99 | 8542.32.0024 | 190 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | |
![]() | IS25CQ032-JBLE | - | ![]() | 6275 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | IS25CQ032 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Pimenter | 4 ms | |||
![]() | IS25WD020-JNLE | - | ![]() | 4947 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IS25WD020 | Flash - ni | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Pimenter | 3 ms | |||
![]() | IS25LD020-JKLE | - | ![]() | 8220 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | IS25LD020 | Éclair | 2,3V ~ 3,6 V | 8-wson (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Pimenter | 5 ms | |||
IS43DR16640B-25DBL | 6.1100 | ![]() | 6098 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 84-TFBGA | IS43DR16640 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1275 | EAR99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | IS42VM16160K-75BLI | 6.6300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42VM16160 | Sdram - mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-1313 | EAR99 | 8542.32.0024 | 348 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 6 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | |
![]() | IS43DR82560B-3DBLI | - | ![]() | 5894 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | IS43DR82560 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (10,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Q8667869 | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | 333 MHz | Volatil | 2 gbit | 450 PS | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | |
IS25CD025-JDE | - | ![]() | 3201 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | IS25CD025 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 MHz | Non volatile | 256kbit | Éclair | 32k x 8 | Pimenter | 5 ms | ||||
![]() | IS25LD040-JVLE-TR | - | ![]() | 8308 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | IS25LD040 | Éclair | 2,3V ~ 3,6 V | 8-VVSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 500 | 100 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Pimenter | 5 ms | |||
IS25LQ020A-JDE | - | ![]() | 2510 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Tube | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | IS25LQ020 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-TSSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Spi - quad e / o | 400 µs |
Volume de RFQ moyen quotidien
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