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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS49NLC93200-25BI	-	RFQ	7659	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC93200	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	104	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	32m x 9	Parallèle	-
IS65LV256AL-45TLA3	2.9235	RFQ	4747	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur)	IS65LV256	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	28-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	234		Volatil	256kbit	45 ns	Sram	32k x 8	Parallèle	45ns
IS62WV25616DBLL-55TLI	-	RFQ	9730	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS62WV25616	Sram - asynchrone	2,3V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatil	4mbbitons	55 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	55ns
IS29GL256-70SLET	7.9700	RFQ	478	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS29GL256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS29GL256-70SLET	3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	32m x 8	Parallèle	200 µs
IS43LR32100D-6BLI	3.0454	RFQ	3947	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS43LR32100	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	166 MHz	Volatil	32mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 32	Parallèle	15NS
IS43TR85120AL-15HBLI	-	RFQ	6501	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR85120	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	220	667 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS25LD040-JNLE	-	RFQ	2228	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LD040	Éclair	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	100	100 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Pimenter	5 ms
IS25WP032A-JKLE	-	RFQ	2824	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25WP032	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	570	133 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS43TR81280BL-125JBLI	-	RFQ	6041	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR81280	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	242	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS43DR16640C-25DBL	3.9700	RFQ	21	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16640	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1562	EAR99	8542.32.0032	209	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
IS61WV6416DBLL-10TLI-TR	1.7660	RFQ	8176	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61WV6416	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	1 000		Volatil	1mbit	10 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	10ns
IS61DDB22M18C-250B4LI	-	RFQ	8582	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	IS61DDB22	Sram - Synchrones, DDR II	1,71 V ~ 1,89 V	165-LFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	Volatil	36mbitons	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallèle	-
IS42S32160F-7TLI-TR	12h0000	RFQ	9351	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	143 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS43TR85120AL-15HBL-TR	-	RFQ	3153	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR85120	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	667 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS62WV1288FBLL-45QLI-TR	1.8501	RFQ	4376	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-SOIC (0 445 ", 11,30 mm de grandeur)	IS62WV1288	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	32-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	1 000		Volatil	1mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	45ns
IS46TR81280C-125JBLA25	-	RFQ	6275	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 115 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS46TR81280	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	78-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR81280C-125JBLA25	EAR99	8542.32.0032	136	800 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS61NLF102418-6.5TQ-TR	-	RFQ	2215	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61NLF102418	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	800	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS25LE256E-RMLE	-	RFQ	1817	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)		Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	16 ans	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS25LE256E-RMLE	OBSOLÈTE		1	166 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	32m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	50 µs, 2 ms
IS42S32160B-6TLI-TR	-	RFQ	6049	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS42VM32200K-75BI-TR	-	RFQ	4154	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42VM32200	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	133 MHz	Volatil	64mbitons	6 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS66WV1M16EBLL-55BLI	3.3934	RFQ	2485	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS66WV1M16	Psram (pseudo sram)	2,5 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	480		Volatil	16mbitons	55 ns	Psram	1m x 16	Parallèle	55ns
IS25WP032-JBLE-T-T-TR	-	RFQ	8190	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25WP032	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000	133 MHz	Non volatile	32mbitons	7 ns	Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS45S16160G-6CTLA1-T-T-TR	6.3027	RFQ	6326	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS63LV1024-10J-TR	-	RFQ	4712	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur)	IS63LV1024	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	32-soj	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	1 000		Volatil	1mbit	10 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	10ns
IS42S32400B-7TI-TR	-	RFQ	8116	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42VM32400G-6BL	-	RFQ	7811	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42VM32400	Sdram - mobile	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	166 MHz	Volatil	128mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42S32200L-7BI-TR	-	RFQ	2349	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS25WP064A-JLLE	2.0400	RFQ	1	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25WP064	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-WSON (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS46TR16128D-125KBLA2-TR	5.4312	RFQ	2641	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16128	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-IS46TR16128D-125KBLA-TR	EAR99	8542.32.0036	1 500	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS62WV25616EBLL-45BI	-	RFQ	3241	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	IS62WV25616	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Volatil	4mbbitons	45 ns	Sram	256k x 16	Parallèle	45ns

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