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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
IS25LP064A-JMLE	2.1700	RFQ	2	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	IS25LP064	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1586	3A991B1A	8542.32.0071	44	133 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	800 µs
IS46DR16160B-3DBLA1	5.6812	RFQ	9275	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS46DR16160	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	209	333 MHz	Volatil	256mbitons	450 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS45S16800E-7BLA1	-	RFQ	2010	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS45S16800	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	348	143 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	-
IS42S32160C-6BI-TR	-	RFQ	8595	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-WBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	2 500	166 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS43TR85120AL-125KBL-TR	-	RFQ	2557	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	IS43TR85120	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-TWBGA (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 500	800 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
IS43LD32640C-25BI-TR	-	RFQ	9275	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-TFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR2-S4	1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V	134-TFBGA (10x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS43LD32640C-25BI-TR			2 000	400 MHz	Volatil	2 gbit	5,5 ns	Drachme	64m x 32	HSUL_12	15NS
IS61LV12816L-10TI	-	RFQ	7473	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS61LV12816	Sram - asynchrone	3.135V ~ 3,6 V	44-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	135		Volatil	2mbitons	10 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	10ns
IS46TR16128BL-125KBLA2	-	RFQ	5323	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS46TR16128	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190	800 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS43R32800D-5B-TR	-	RFQ	5710	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-LFBGA	IS43R32800	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	144-LFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 500	200 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
IS43R16160F-5BI-TR	3.8973	RFQ	5158	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R16160	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	200 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
IS43R86400F-6BLI	6.3460	RFQ	1874	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43R86400	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	190	166 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
IS42S32160B-75BI-TR	-	RFQ	4165	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-LFBGA (13x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	133 MHz	Volatil	512mbitons	5,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
IS49NLC96400-33B	-	RFQ	5526	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC96400	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	104	300 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	64m x 9	Parallèle	-
IS42S32400B-6BL	-	RFQ	3469	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42SM16160D-7BLI	-	RFQ	3737	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42SM16160	Sdram - mobile	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	240	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16100F-7BLI	-	RFQ	6205	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	60-TFBGA (6.4x10.1)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117	143 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
IS25LQ010B-JKLE	-	RFQ	4456	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25LQ010	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1321	EAR99	8542.32.0071	570	104 MHz	Non volatile	1mbit		Éclair	128k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS25WP128-RGLE-TR	-	RFQ	3341	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	IS25WP128	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS25LP032D-JKLE	1.2800	RFQ	8	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25LP032	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	570	133 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS49NLC93200-25B	-	RFQ	3637	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	IS49NLC93200	Rldram 2	1,7 V ~ 1,9 V	144-FCBGA (11x18,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	104	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	32m x 9	Parallèle	-
IS42S32400F-6BI	-	RFQ	9551	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	166 MHz	Volatil	128mbitons		Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS65WV1288FBLL-45TLA3-TR	-	RFQ	7396	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS65WV1288	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	1 500		Volatil	1mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	45ns
IS25LP032D-JMLE-TR	1.0673	RFQ	1623	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	IS25LP032	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	133 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS43LR32100C-6BI-TR	-	RFQ	6438	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS43LR32100	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 500	166 MHz	Volatil	32mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 32	Parallèle	12ns
IS64LF25636B-7.5TQLA3	20.2860	RFQ	9697	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3 465V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		706-IS64LF25636B-7.5TQLA3			72	117 MHz	Volatil	9mbitons	7,5 ns	Sram	256k x 36	Parallèle	-
IS42S32400B-6TL-TR	-	RFQ	5290	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 500	166 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS42S32800B-6BL-TR	-	RFQ	5670	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 500	166 MHz	Volatil	256mbitons	5,5 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	-
IS42S83200J-7BLI	-	RFQ	5083	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S83200	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	348	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS61WV204816BLL-10BI-TR	19.5750	RFQ	4050	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS61WV204816	Sram - asynchrone	2,4 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	32mbitons	10 ns	Sram	2m x 16	Parallèle	10ns
IS25WP016D-JLLE-TR	0,8389	RFQ	3639	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25WP016	Flash - ni	1,65 V ~ 1,95 V	8-WSON (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	4 000	133 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Mémoire (5712)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²