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Mémoire (5712)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
IS43DR16128C-3DBL	9.5500	RFQ	6	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16128	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1567	EAR99	8542.32.0036	209	333 MHz	Volatil	2 gbit	450 PS	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
IS43DR82560C-25DBLI	17.1700	RFQ	1	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR82560	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1572	EAR99	8542.32.0036	242	400 MHz	Volatil	2 gbit	400 PS	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
IS43DR81280C-25DBL	4.2900	RFQ	242	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR81280	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1574	EAR99	8542.32.0032	242	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS43DR81280C-3DBLI	7.4100	RFQ	9419	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR81280	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1577	EAR99	8542.32.0032	242	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS25LQ512B-JDLE-TR	-	RFQ	8195	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	IS25LQ512	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 500	104 MHz	Non volatile	512kbit		Éclair	64k x 8	Spi - quad e / o	800 µs
IS25LP080D-JBLE	0,8200	RFQ	7	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25LP080	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1578	EAR99	8542.32.0071	90	133 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS25LP080D-JNLE	0,8200	RFQ	14	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LP080	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	706-1580	EAR99	8542.32.0071	100	133 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS25LP080D-JNLE-TR	0,8200	RFQ	142	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	IS25LP080	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	3 000	133 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS25LP080D-JBLE-TR	0,8200	RFQ	10	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	IS25LP080	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 000	133 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS25LP080D-JKLE-TR	0,7341	RFQ	8009	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	IS25LP080	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-wson (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	4 500	133 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Spi - quad e / o, qpi, dtr	800 µs
IS62WV1288FBLL-45TLI	1.7723	RFQ	3352	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	IS62WV1288	Sram - asynchrone	2.2V ~ 3,6 V	32-tsop I	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	156		Volatil	1mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallèle	45ns
IS62WV12816AL-70BI-TR	-	RFQ	1917	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	IS62WV12816	Sram - asynchrone	1,65 V ~ 2,2 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 500		Volatil	2mbitons	70 ns	Sram	128k x 16	Parallèle	70ns
IS41LV16100C-50TI	-	RFQ	6908	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur), 44 pistes	IS41LV16100	DRAM - EDO	2 97V ~ 3,63 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117		Volatil	16mbitons	25 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	85ns
IS42S16160G-6BI	-	RFQ	5020	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	348	166 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S16160G-7BI	-	RFQ	7376	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	348	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	-
IS42S32200L-7B	-	RFQ	7440	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	143 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	-
IS42S32400F-7BI	-	RFQ	8427	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	240	143 MHz	Volatil	128mbitons		Drachme	4m x 32	Parallèle	-
IS43DR81280B-25EBLI	-	RFQ	7918	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR81280	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	242	400 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS43DR82560B-25EBLI	-	RFQ	6851	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS43DR82560	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (10,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	136	400 MHz	Volatil	2 gbit	400 PS	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
IS43QR16256A-093PBL	-	RFQ	6892	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	IS43QR16256	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-TWBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	190	1 066 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Parallèle	15NS
IS46DR81280C-25DBLA1	-	RFQ	5282	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS46DR81280	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	242	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS46DR81280C-3DBLA2	-	RFQ	5021	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	IS46DR81280	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-TWBGA (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	242	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
IS61LF102418A-7.5B3I	-	RFQ	8032	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LF102418	Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-	Non Vérifié
IS61LF51236A-7.5B3I	-	RFQ	9371	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LF51236	Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS61LPS51236A-200B3	-	RFQ	9648	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61LPS51236	Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS61NLF102418-6.5B3I	-	RFQ	2885	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLF102418	Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS61NLP102418-200B3	-	RFQ	2356	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP102418	Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS61NLP102418-200B3I	-	RFQ	2074	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NLP102418	Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	Volatil	18mbitons	3.1 ns	Sram	1m x 18	Parallèle	-
IS61NLP25672-250B1	-	RFQ	4554	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	209-BGA	IS61NLP25672	Sram - Synchrone, d.	3.135V ~ 3 465V	209-LFBGA (14x22)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	84	250 MHz	Volatil	18mbitons	2.6 ns	Sram	256k x 72	Parallèle	-
IS61NVF51236-6.5B3	-	RFQ	8165	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	IS61NVF51236	Sram - Synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	165-TFBGA (13x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	Volatil	18mbitons	6.5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-

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