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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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![]() | Gd25vq20ctig | 0,2885 | ![]() | 6283 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Gd25vq20 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 20 000 | 104 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Spi - quad e / o | 50 µs, 3 ms | ||||
![]() | 71V546S133PFG8 | 7.4983 | ![]() | 4102 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 71V546 | Sram - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 4.2 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | Ct8g3ersld8160b-c | 77,5000 | ![]() | 5048 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-CT8G3ERSLD8160B-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
MT46H32M32LFB5-5 AAT: B | - | ![]() | 5639 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1440 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | W97ah2nbva1i | 5.6900 | ![]() | 117 | 0,00000000 | Electronique Winbond | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | W97AH2 | Sdram - mobile lpddr2-s4b | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 256-W97AH2NBVA1I | EAR99 | 8542.32.0032 | 168 | 533 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 32m x 32 | HSUL_12 | 15NS | |||
![]() | SST39VF200A-70-4I-M1QE-T | - | ![]() | 3400 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | SST39 MPF ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-WFBGA | Sst39vf200 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-WFBGA (6x4) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 2mbitons | 70 ns | Éclair | 128k x 16 | Parallèle | 20 µs | ||||
![]() | MT29F8T08GQLCEG8-QB: C | 156.3000 | ![]() | 6470 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F8T08GQLCEG8-QB: C | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IS49NLC36800A-25WBL | 27.7833 | ![]() | 8236 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | Rldram 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 706-IS49NLC36800A-25WBL | 104 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 8m x 36 | Hstl | - | |||||
![]() | Cy62177ev18ll-70baxi | - | ![]() | 4786 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | CY62177 | Sram - asynchrone | 1,65 V ~ 2,25 V | 48-fbga (8x9,5) | télécharger | 131 | Volatil | 32mbitons | 70 ns | Sram | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 70ns | Non Vérifié | ||||||||
![]() | S70GL0AGS00FHCR00 | - | ![]() | 7202 | 0,00000000 | Infineon Technologies | * | Plateau | Obsolète | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 180 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT47H128M8B7-5E L: A TR | - | ![]() | 1824 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 92-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 92-FBGA (11x19) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 600 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | S29GL032N90TFI020 | - | ![]() | 8610 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Gl-n | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | S29GL032 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1 | Non volatile | 32mbitons | 90 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 90ns | Vérifié | |||||
![]() | CG6142AA | - | ![]() | 6842 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Idt71v3578s133pfi | - | ![]() | 3594 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Idt71v3578 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 71V3578S133Pfi | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volatil | 4,5 Mbit | 4.2 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | CY7C11681KV18-450BZXC | 48.1000 | ![]() | 948 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C11681 | Sram - synchrone, ddr ii + | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | Volatil | 18mbitons | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | Non Vérifié | |||||
![]() | S34ML01G200TFV003 | - | ![]() | 6199 | 0,00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | S34ML01 | - | Rohs conforme | 3 (168 Heures) | 2120-S34ML01G200TFV003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non Vérifié | ||||||||||||||||
![]() | 273503-002 09 | - | ![]() | 1558 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | En gros | Obsolète | - | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 273503-00209 | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CY7C1470BV25-167BZXC | - | ![]() | 7742 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1470 | Sram - synchrone, d. | 2 375V ~ 2 625V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | Volatil | 72mbitons | 3,4 ns | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | 71321LA55TF | - | ![]() | 1070 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 64 LQFP | 71321la | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 64-TQFP (10x10) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 40 | Volatil | 16kbit | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | IS61NLP102418-250B3i-TR | - | ![]() | 1486 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | IS61NLP102418 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3 465V | 165-TFBGA (13x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | 250 MHz | Volatil | 18mbitons | 2.6 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | |||
![]() | 34LC02-I / SN | 0,3200 | ![]() | 774 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 34LC02 | Eeprom | 2,2V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 34LC02ISN | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | Non volatile | 2kbit | 400 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²c | 5 ms | ||
![]() | MT53D384M32D2DS-053 WT: C TR | - | ![]() | 9237 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 1 866 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | |||||
![]() | A8650534-C | 81.7500 | ![]() | 1669 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-A8650534-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Mtfc32gasaons-aat | 23.2950 | ![]() | 4687 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-mtfc32gasaons-aat | 1 | 52 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||||
![]() | IS45S16400F-7TLA2 | - | ![]() | 8590 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | DS28E02Q-W01 + 3T | - | ![]() | 5830 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrée | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | DS28E02 | Eeprom | 1,75 V ~ 3,65 V | 6-TDFN (3x3) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 175-DS28E02Q-W01 + 3TTR | OBSOLÈTE | 2 500 | Non volatile | 1kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1-Wire® | 25 ms | |||||
![]() | IS43R16320E-5TLI | 7.4065 | ![]() | 1847 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | IS43R16320 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | MTFC16GAPALGT-AIT | - | ![]() | 3887 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mtfc16 | Flash - Nand | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MTFC16GAPALGT-AIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | S25FL132K0XBHIS20Y | - | ![]() | 2592 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FL1-K | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | S25FL132 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-bga (8x6) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 3 ms | ||||
CAT24C128WIGT-QQ | 0 1700 | ![]() | 8242 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CAT24C128 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.32.0071 | 3 000 | 1 MHz | Non volatile | 128kbit | 400 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²c | 5 ms |
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