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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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![]() | CG6059ATT | - | ![]() | 3615 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 | ||||||||||||||||||||
71V256SA15YGI8 | - | ![]() | 6238 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm de grandeur) | 71v256 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 28-soj | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 256kbit | 15 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 15NS | |||||
![]() | MT53B1G32D4NQ-062 WT ES: D TR | - | ![]() | 7602 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53B1G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | |||||||||
![]() | S25FL064LABMFV011 | - | ![]() | 6008 | 0,00000000 | Nexperia USA Inc. | - | En gros | Actif | - | 2156-S25FL064LABMFV011 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | DS28E02Q-W01 + 2T | - | ![]() | 9838 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrée | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | DS28E02 | Eeprom | 1,75 V ~ 3,65 V | 6-TDFN (3x3) | - | Rohs3 conforme | 175-DS28E02Q-W01 + 2TTR | OBSOLÈTE | 1 000 | Non volatile | 1kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1-Wire® | 25 ms | ||||||
![]() | S34MS04G100TFI000 | - | ![]() | 2170 | 0,00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | Plateau | Abandonné à sic | S34MS04 | - | Rohs conforme | 3 (168 Heures) | 2120-S34MS04G100TFI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non Vérifié | ||||||||||||||||
![]() | MT29F64G08CBBH1-10: B TR | - | ![]() | 1687 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | 48l256-i / sn | - | ![]() | 2449 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 48L256 | Eeprom, sram | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 150-48l256-i / sn | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 66 MHz | Non volatile | 256kbit | Eeram | 32k x 8 | Pimenter | - | ||||
![]() | M50FW080NB5TG TR | - | ![]() | 9626 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32-TFSOP (0 488 ", 12,40 mm de grand) | M50FW080 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 32-tsop | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | 33 MHz | Non volatile | 8mbitons | 250 ns | Éclair | 1m x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | IS25LP040E-JNLA3-TR | 0,4861 | ![]() | 6284 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Flash - Ni (SLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS25LP040E-JNLA3-TR | 3 000 | 104 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 8 ns | Éclair | 512k x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 40 µs, 1,2 ms | ||||||
![]() | M29w400ft55n3e | - | ![]() | 1283 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W400 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 4mbbitons | 55 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 55ns | ||||
![]() | PC28F128P33TF60A | 5.4000 | ![]() | 8317 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 64 TBGA | Flash - Ni (MLC) | 2,3V ~ 3,6 V | 64-Easybga (10x13) | - | 3 (168 Heures) | 1450-PC28F128P33TF60A | 300 | 52 MHz | Non volatile | 128mbitons | 60 ns | Éclair | 8m x 16 | CFI | - | |||||||
![]() | W25q32jvtbiq tr | 0,9450 | ![]() | 1730 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | W25Q32 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 133 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | 3 ms | ||||
![]() | MTFC32GAPALGT-AIT | - | ![]() | 3412 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mtfc32g | Flash - Nand | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MTFC32GAPALGT-AIT | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | ||||||||
![]() | Cy7c037v-20axc | - | ![]() | 1998 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | CY7C037 | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | Volatil | 576kbit | 20 ns | Sram | 32k x 18 | Parallèle | 20ns | ||||
![]() | EM04APGCL-AC000-2 | - | ![]() | 6519 | 0,00000000 | Delkin Devices, Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 153-VFBGA | EM04APG | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-fbga (11,5x13) | - | Rohs conforme | 3 (168 Heures) | 3247-EM04APGCL-AC000-2 | OBSOLÈTE | 1 520 | 200 MHz | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | EMMC | - | |||||
MX25LW51245GXDI00 | 7.4700 | ![]() | 7426 | 0,00000000 | Macronix | Octabus ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24-TBGA, CSPBGA | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-CSPBGA (6x8) | - | 3 (168 Heures) | 1092-MX25LW51245GXDI00 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | 5.2 ns | Éclair | 64m x 8, 512m x 1 | Spi - e / s octal, dtr | 750 µs | ||||||||
![]() | IS45S32200L-7BLA2 | 6.3035 | ![]() | 3933 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS45S32200 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | UCS-ML-1X324RU-GC | 230.0000 | ![]() | 6472 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-UCS-ML-1X324RU-GC | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | AT28HC64B-90SU-T | 7.9800 | ![]() | 4982 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 28-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | At28hc64 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-Sic | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 000 | Non volatile | 64kbit | 90 ns | Eeprom | 8k x 8 | Parallèle | 10 ms | ||||
![]() | Cy7c1021b-15zxit | - | ![]() | 8747 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Cy7c1021 | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | Volatil | 1mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | IS43LR16320C-5BLI | 6.8653 | ![]() | 6545 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 706-IS43LR16320C-5BLI | 300 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 32m x 16 | LVCMOS | 15NS | ||||||
![]() | Cy14b101la-sp45xit | 29.8550 | ![]() | 2557 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-BSSOP (0,295 ", 7,50 mm de grand) | Cy14b101 | Nvsram (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-SSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 000 | Non volatile | 1mbit | 45 ns | Nvsram | 128k x 8 | Parallèle | 45ns | ||||
![]() | 7016S12J8 | - | ![]() | 9691 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 68 LCC (J-LEAD) | 7016S12 | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PLCC (24.21x24.21) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Volatil | 144kbit | 12 ns | Sram | 16k x 9 | Parallèle | 12ns | ||||
![]() | Gd55b01gebiry | 8.4011 | ![]() | 3284 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55B | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Flash - Ni (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | télécharger | 1970-GD55B01GEBIRY | 8542.32.0071 | 4 800 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Spi - quad e / o, qpi, dtr | - | ||||||||
![]() | Cy62137fv30ll-45zsxit | 5.6500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | CY62137 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | 54 | Volatil | 2mbitons | 45 ns | Sram | 128k x 16 | Parallèle | 45ns | Non Vérifié | ||||||||
![]() | R1RW0404DGE-2PR # B0 | - | ![]() | 9763 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | S25FS256SAGNFI001 | 6.0400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | FS-S | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | S25FS256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 82 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | - | ||||
![]() | MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR | - | ![]() | 1938 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | ||||||||||||||||||
MT53E128M32D2FW-046 AUT: A TR | 8.7450 | ![]() | 8649 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AUT: ATR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | 18n |
Volume de RFQ moyen quotidien
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