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Mémoire (69470)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
24AA01-I / S16K	-	RFQ	5377	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	24aa01	Eeprom	1,7 V ~ 5,5 V	Mourir	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	5 000	400 kHz	Non volatile	1kbit	3500 ns	Eeprom	128 x 8	I²c	5 ms
CY7C1470BV33-167BZC	-	RFQ	9295	Infineon Technologies	Nobl ™	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165 LBGA	CY7C1470	Sram - synchrone, d.	3.135V ~ 3,6 V	165-fbga (15x17)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	105	167 MHz	Volatil	72mbitons	3,4 ns	Sram	2m x 36	Parallèle	-
W29GL128CL9C	-	RFQ	9678	Electronique Winbond	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFBGA	W29GL128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56-TFBGA (7x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	171		Non volatile	128mbitons	90 ns	Éclair	16m x 8, 8m x 16	Parallèle	90ns
S26KS128SDGBHN030	-	RFQ	3832	Cypress Semiconductor Corp	Hyperflash ™ KS	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	24-VBGA	S26KS128	Flash - ni	1,7 V ~ 1,95 V	24-fbga (6x8)	télécharger	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2832-S26KS128SDGBHN030			1	133 MHz	Non volatile	128mbitons	96 ns	Éclair	16m x 8	Parallèle	-	Non Vérifié
70V3599S166BFG8	244.5047	RFQ	2895	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	208-LFBGA	70V3599	Sram - double port, synchrone	3,15 V ~ 3 45 V	208-Cabga (15x15)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000	166 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3,6 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
Ds28cn01u-w0d + 1t-c	-	RFQ	2763	Analog Devices Inc./Maxim Integrée	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand)	Ds28c	Eeprom	1,62 V ~ 5,5 V	8-UMAX / USOP	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	400 kHz	Non volatile	1kbit		Eeprom	128 x 8	I²c	10 ms
71V3559S80BQ	9.9699	RFQ	3636	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	71V3559	Sram - Synchronous, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3 465V	165-Cabga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	136		Volatil	4,5 Mbit	8 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-
SMJ64C16S-25JDM	47.3300	RFQ	575	Texas Instruments	*	En gros	Actif								-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini			0000.00.0000	1
93C86BT-I / MS	-	RFQ	1369	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand)	93C86	Eeprom	4,5 V ~ 5,5 V	8 MSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	2 500	3 MHz	Non volatile	16kbit		Eeprom	1k x 16	Microwire	2 ms
S29gl01gs12tfiv20	12.4950	RFQ	6647	Infineon Technologies	GL-S	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	S29GL01	Flash - ni	1,65 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	182		Non volatile	1 gbit	120 ns	Éclair	64m x 16	Parallèle	60ns
IS61VF51236B-7.5TQLI	17.2425	RFQ	9352	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	IS61VF51236	Sram - synchrone, d.	2 375V ~ 2 625V	100 LQFP (14x20)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	Volatil	18mbitons	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
IS42S83200B-7TL	-	RFQ	7414	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S83200	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	108	143 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	-
IS43DR16320D-25DBL	2.8719	RFQ	5929	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	84-TFBGA	IS43DR16320	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-TWBGA (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	209	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
S29GL256S10GHB010	6.7115	RFQ	7162	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q100, GL-S	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	56-VFBGA		Flash - Ni (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	56-fbga (9x7)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté				260		Non volatile	256mbitons	100 ns	Éclair	32m x 8	CFI	60ns
MT41K256M16TW-093: P TR	5.2703	RFQ	5905	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K256M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1 066 GHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
Mtfc256gasaons-it	111.7200	RFQ	1	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	153-TFBGA	MTFC256	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-TFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-791-mtfc256gasaons-it	3A991B1A	8542.32.0071	1 520	52 MHz	Non volatile	2 tbit		Éclair	256g x 8	UFS2.1	-
RC28F128P33TF60A	-	RFQ	9910	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	64 TBGA	RC28F128	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	300	52 MHz	Non volatile	128mbitons	60 ns	Éclair	8m x 16	Parallèle	60ns
Idt71v3556s150pf	-	RFQ	5593	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	Idt71v3556	Sram - Synchronous, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x14)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	71V3556S150PF	3A991B2A	8542.32.0041	72	150 MHz	Volatil	4,5 Mbit	3,8 ns	Sram	128k x 36	Parallèle	-
03T6456-C	17.5000	RFQ	2581	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-03T6456-C	EAR99	8473.30.5100	1
MT52L256M32D1PU-107 WT: B TR	-	RFQ	6952	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT52L256	Sdram - mobile lpddr3	1,2 V		-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	933 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	-	-
71V016SA15BFI	3.6892	RFQ	5563	Renesas Electronics America Inc	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-LFBGA	71v016	Sram - asynchrone	3V ~ 3,6 V	48-Cabga (7x7)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2B	8542.32.0041	476		Volatil	1mbit	15 ns	Sram	64k x 16	Parallèle	15NS
70261l25pfg8	-	RFQ	8465	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP	70261L25	Sram - double port, asynchrone	4,5 V ~ 5,5 V	100-TQFP (14x14)	-				800-70261l25pfg8tr	OBSOLÈTE		250		Volatil	256kbit	25 ns	Sram	16k x 16	Parallèle	25ns
IS45S16320F-6TLA1	13.3133	RFQ	4679	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS45S16320	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	108	167 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	-
S25fl064labnfm013	3.4300	RFQ	1760	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q100, FL-L	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WFDFN	S25FL064	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	108 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	8m x 8	Spi - quad e / o, qpi	-
AT28HC256-90SU-T	15.0600	RFQ	8842	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	28-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	At28hc256	Eeprom	4,5 V ~ 5,5 V	28-Sic	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0051	1 000		Non volatile	256kbit	90 ns	Eeprom	32k x 8	Parallèle	10 ms
Z9H55AT-C	24.2500	RFQ	8966	Prolabs	*	Colis de Vente au Détail	Actif								-	Rohs conforme			4932-Z9H55AT-C	EAR99	8473.30.5100	1
IS42S16100F-6TL	-	RFQ	2492	ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	50 TSOP (0 400 ", 10,16 mm de grandeur)	IS42S16100	Sdram	3V ~ 3,6 V	50-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	117	166 MHz	Volatil	16mbitons	5,5 ns	Drachme	1m x 16	Parallèle	-
AS4C512M16D3LB-12BIN	32.0300	RFQ	1	Alliance Memory, Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	AS4C512	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-fbga (13,5x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	1450-AS4C512M16D3LB-12BIN	EAR99	8542.32.0032	180	800 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	15NS
CY14B256K-SP45XC	-	RFQ	7400	Infineon Technologies	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-BSSOP (0,295 ", 7,50 mm de grand)	CY14B256	Nvsram (SRAM non volatile)	2,7 V ~ 3 45 V	48-SSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0041	30		Non volatile	256kbit	45 ns	Nvsram	32k x 8	Parallèle	45ns
Cat93c86wi-g	0,2500	RFQ	2	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		Eeprom	2,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	-				2156-CAT93C86WI-G			1 202	3 MHz	Non volatile	16kbit	100 ns	Eeprom	1k x 16, 2k x 8	Microwire	-

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Unité de produit standard
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Mémoire (69470)

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