SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fréquence d'Horloge Type de Mémoire Taille de la Mémoire Heure d'accès Format de Mémoire Organisation de Mémoire Interface de Mémoire Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page Sic programmable
7142LA100P Renesas Electronics America Inc 7142la100p -
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ECAD 6649 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Tube Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Par le trou 48-DIP (0,600 ", 15,24 mm) 7142la Sram - double port, asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 48-pDip télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 7 Volatil 16kbit 100 ns Sram 2k x 8 Parallèle 100ns
AM27S29/B2A Advanced Micro Devices AM27S29 / B2A 54.0800
RFQ
ECAD 746 0,00000000 Micro-appareils avancé - En gros Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TC) Support de surface 20-CLCC AM27S29 - 4,5 V ~ 5,5 V 20-CLCC télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Vendeur indéfini 3A001A2C 8542.32.0071 1 Non volatile 4kbit 70 ns Bal de Promo 512 x 8 Parallèle -
CY7C1480BV33-167BZI Infineon Technologies CY7C1480BV33-167BZI -
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ECAD 1777 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 165 LBGA CY7C1480 Sram - synchrone, d. 3.135V ~ 3,6 V 165-fbga (15x17) télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 105 167 MHz Volatil 72mbitons 3,4 ns Sram 2m x 36 Parallèle -
71321LA20PFG8 Renesas Electronics America Inc 71321la20pfg8 29.1749
RFQ
ECAD 4505 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 64 LQFP 71321la Sram - double port, asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 64-TQFP (14x14) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 750 Volatil 16kbit 20 ns Sram 2k x 8 Parallèle 20ns
CY7C1021CV33-10ZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1021CV33-10ZC -
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ECAD 1840 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - Sac Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) Cy7c1021 Sram - asynchrone 3V ~ 3,6 V 44-TSOP II télécharger Rohs non conforme 3A991B2B 8542.32.0041 2 Volatil 1mbit 10 ns Sram 64k x 16 Parallèle 10ns Non Vérifié
CYDMX064A16-90BVXI Infineon Technologies Cydmx064a16-90bvxi -
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ECAD 4811 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 100-VFBGA Cydmx Sram - double port, mobl 1,8 V ~ 3,3 V 100-VFBGA (6x6) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 429 Volatil 64kbit 90 ns Sram 4K x 16 Parallèle 90ns
71256L100TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 71256L100TDB 39.7300
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ECAD 23 0,00000000 Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc - En gros Actif -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Par le trou 28 CDIP (0,300 ", 7,62 mm) 71256L Sram - asynchrone 4,5 V ~ 5,5 V 28-CDI télécharger 3A001A2C 8542.32.0041 1 Volatil 256kbit 100 ns Sram 32k x 8 Parallèle 100ns
70V37L15PF Renesas Electronics America Inc 70v37l15pf -
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ECAD 7196 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 100 LQFP 70V37L Sram - double port, asynchrone 3V ~ 3,6 V 100-TQFP (14x14) télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2B 8542.32.0041 6 Volatil 576kbit 15 ns Sram 32k x 18 Parallèle 15NS
MT25TL256HBA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL256HBA8ESF-0AAT -
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ECAD 6096 0,00000000 Micron Technology Inc. Automobile, AEC-Q100 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) MT25TL256 Flash - ni 2,7 V ~ 3,6 V 16-SOP2 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 1440 133 MHz Non volatile 256mbitons Éclair 32m x 8 Pimenter 8 ms, 2,8 ms
AS6C8016-55ZINTR Alliance Memory, Inc. AS6C8016-55ZINTR 6.0896
RFQ
ECAD 2037 0,00000000 Alliance Memory, Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) AS6C8016 Sram - asynchrone 2,7 V ~ 5,5 V 44-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 1 000 Volatil 8mbitons 55 ns Sram 512k x 16 Parallèle 55ns
AT24C16D-SSHM-B Microchip Technology AT24C16D-SSHM-B 0,3200
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ECAD 5967 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) AT24C16D Eeprom 1,7 V ~ 3,6 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0051 100 1 MHz Non volatile 16kbit 450 ns Eeprom 2k x 8 I²c 5 ms
ECF440AACCN-V6-Y3 Micron Technology Inc. ECF440AACCN-V6-Y3 -
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ECAD 3688 0,00000000 Micron Technology Inc. - En gros Actif ECF440 - 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 0000.00.0000 1
70V24L25J Renesas Electronics America Inc 70V24L25J -
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ECAD 8082 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Tube Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 84 LCC (J-LEAD) 70V24L Sram - double port, asynchrone 3V ~ 3,6 V 84-PLCC (29.31x29.31) télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0041 15 Volatil 64kbit 25 ns Sram 4K x 16 Parallèle 25ns
GD25VE32CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE32CSIGR -
RFQ
ECAD 3345 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) GD25VE32 Flash - ni 2.1V ~ 3,6 V 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 2 000 104 MHz Non volatile 32mbitons Éclair 4m x 8 Spi - quad e / o -
W25Q128FVSJQ Winbond Electronics W25Q128FVSJQ -
RFQ
ECAD 3624 0,00000000 Electronique Winbond SPIFLASH® Tube Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) W25Q128 Flash - ni 2,7 V ~ 3,6 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz Non volatile 128mbitons Éclair 16m x 8 Spi - quad e / o, qpi 50 µs, 3 ms
CY7S1041G30-10BVXIT Infineon Technologies Cy7s1041g30-10bvxit 9.6250
RFQ
ECAD 4633 0,00000000 Infineon Technologies - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-VFBGA CY7S1041 Sram - asynchrone 2.2V ~ 3,6 V 48-VFBGA (6x8) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 2 000 Volatil 4mbbitons 10 ns Sram 256k x 16 Parallèle 10ns
IS42S16160G-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TLI 7.5262
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ECAD 3507 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Plateau Pas de designs les nouveaux -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) IS42S16160 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TSOP II télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 108 166 MHz Volatil 256mbitons 5.4 ns Drachme 16m x 16 Parallèle -
IS42S16160D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7B-TR -
RFQ
ECAD 4415 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3V ~ 3,6 V 54-TW-BGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0024 2 500 143 MHz Volatil 256mbitons 5.4 ns Drachme 16m x 16 Parallèle -
FM28V020-T28G Cypress Semiconductor Corp FM28V020-T28G -
RFQ
ECAD 8716 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp F-RAM ™ En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur) FM28V020 Fram (Ferroelectric RAM) 2V ~ 3,6 V 28-tsop i télécharger 1 Non volatile 256kbit 140 ns Fracture 32k x 8 Parallèle 140ns Non Vérifié
IS42S32400D-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7BI-TR -
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ECAD 6197 0,00000000 ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 90-TFBGA IS42S32400 Sdram 3V ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0002 2 500 143 MHz Volatil 128mbitons 5.4 ns Drachme 4m x 32 Parallèle -
GD9FU8G8E2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd9fu8g8e2amgi 14.3117
RFQ
ECAD 9780 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited Gd9f Plateau Actif -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V 48-tsop i télécharger 1970-gd9fu8g8e2amgi 960 Non volatile 8 Gbit 18 ns Éclair 1g x 8 Onfi 20ns
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBH7-12: B Tr -
RFQ
ECAD 2728 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 152-TBGA MT29F256G08 Flash - Nand (SLC) 2,5 V ~ 3,6 V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 1 000 83 MHz Non volatile 256 GBIT Éclair 32g x 8 Parallèle -
M50FW040K5TG TR Micron Technology Inc. M50FW040K5TG TR -
RFQ
ECAD 8340 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 32 LCC (J-LEAD) M50FW040 Flash - ni 3V ~ 3,6 V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.32.0071 750 33 MHz Non volatile 4mbbitons 250 ns Éclair 512k x 8 Parallèle -
S29GL064N90FFI040 Infineon Technologies S29gl064n90ffi040 -
RFQ
ECAD 3568 0,00000000 Infineon Technologies Gl-n Plateau Abandonné à sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 64 LBGA S29GL064 Flash - ni 2,7 V ~ 3,6 V 64-fbga (13x11) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 180 Non volatile 64mbitons 90 ns Éclair 8m x 8, 4m x 16 Parallèle 90ns
S29GL032N90DFVR23 Infineon Technologies S29GL032N90DFVR23 -
RFQ
ECAD 9917 0,00000000 Infineon Technologies Gl-n Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 64 LBGA S29GL032 Flash - ni 2,7 V ~ 3,6 V 64-fbga (9x9) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 2 200 Non volatile 32mbitons 90 ns Éclair 4m x 8, 2m x 16 Parallèle 90ns
AS4C256M16D4-75BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D4-75BCNTR 7.3815
RFQ
ECAD 8918 0,00000000 Alliance Memory, Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA Sdram - ddr4 1,14 V ~ 1,26 V 96-FBGA (7,5x13,5) télécharger 3 (168 Heures) 1450-AS4C256M16D4-75BCNTR 2 500 1 333 GHz Volatil 4 Gbit 18 ns Drachme 256m x 16 Coffre 15NS
SM662GEF BEST Silicon Motion, Inc. SM662GEF Meilleur 181.5200
RFQ
ECAD 25 0,00000000 Silicon Motion, Inc. Ferri-EMMC® Plateau Actif - Support de surface 100 lbga Flash - Nand (TLC) - 100-BGA (14x18) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 1984-sm662gefbest 3A991B1A 8542.32.0071 980 Non volatile - Éclair EMMC -
AS4C256M16MD4V-062BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16MD4V-062BAN 20.5900
RFQ
ECAD 136 0,00000000 Alliance Memory, Inc. Automobile, AEC-Q100 Plateau Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Support de surface 200-WFBGA Sdram - mobile lpddr4x 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V 200-FBGA (10x14,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 1450-AS4C256M16MD4V-062BAN EAR99 8542.32.0036 136 1,6 GHz Volatil 2 gbit 3,5 ns Drachme 128m x 16 Lvstl 18n
CY7C1568V18-375BZXC Infineon Technologies CY7C1568V18-375BZXC -
RFQ
ECAD 3195 0,00000000 Infineon Technologies - Plateau Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface 165 LBGA CY7C1568 Sram - Synchrones, DDR II 1,7 V ~ 1,9 V 165-fbga (15x17) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B2A 8542.32.0041 105 375 MHz Volatil 72mbitons Sram 2m x 36 Parallèle -
MT29F16G16ADBCAH4-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G16ADBCAH4-IT: C TR -
RFQ
ECAD 2141 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 63-VFBGA MT29F16G16 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 1 000 Non volatile 16 Gbit Éclair 1g x 16 Parallèle -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock