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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
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7142la100p | - | ![]() | 6649 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | 48-DIP (0,600 ", 15,24 mm) | 7142la | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-pDip | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 7 | Volatil | 16kbit | 100 ns | Sram | 2k x 8 | Parallèle | 100ns | |||||
![]() | AM27S29 / B2A | 54.0800 | ![]() | 746 | 0,00000000 | Micro-appareils avancé | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 20-CLCC | AM27S29 | - | 4,5 V ~ 5,5 V | 20-CLCC | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 4kbit | 70 ns | Bal de Promo | 512 x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | CY7C1480BV33-167BZI | - | ![]() | 1777 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1480 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | Volatil | 72mbitons | 3,4 ns | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | 71321la20pfg8 | 29.1749 | ![]() | 4505 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 64 LQFP | 71321la | Sram - double port, asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 64-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volatil | 16kbit | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Parallèle | 20ns | ||||
![]() | CY7C1021CV33-10ZC | - | ![]() | 1840 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Sac | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | Cy7c1021 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs non conforme | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2 | Volatil | 1mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 10ns | Non Vérifié | |||||
![]() | Cydmx064a16-90bvxi | - | ![]() | 4811 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100-VFBGA | Cydmx | Sram - double port, mobl | 1,8 V ~ 3,3 V | 100-VFBGA (6x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 429 | Volatil | 64kbit | 90 ns | Sram | 4K x 16 | Parallèle | 90ns | ||||
![]() | 71256L100TDB | 39.7300 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | 28 CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | 71256L | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDI | télécharger | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 256kbit | 100 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 100ns | |||||||
![]() | 70v37l15pf | - | ![]() | 7196 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | 70V37L | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volatil | 576kbit | 15 ns | Sram | 32k x 18 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | MT25TL256HBA8ESF-0AAT | - | ![]() | 6096 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT25TL256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1440 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | ||||
AS6C8016-55ZINTR | 6.0896 | ![]() | 2037 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-tsop (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | AS6C8016 | Sram - asynchrone | 2,7 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 8mbitons | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Parallèle | 55ns | |||||
![]() | AT24C16D-SSHM-B | 0,3200 | ![]() | 5967 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | AT24C16D | Eeprom | 1,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | Non volatile | 16kbit | 450 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²c | 5 ms | |||
![]() | ECF440AACCN-V6-Y3 | - | ![]() | 3688 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | ECF440 | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
70V24L25J | - | ![]() | 8082 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 84 LCC (J-LEAD) | 70V24L | Sram - double port, asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Volatil | 64kbit | 25 ns | Sram | 4K x 16 | Parallèle | 25ns | |||||
![]() | GD25VE32CSIGR | - | ![]() | 3345 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | GD25VE32 | Flash - ni | 2.1V ~ 3,6 V | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 104 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Spi - quad e / o | - | ||||
![]() | W25Q128FVSJQ | - | ![]() | 3624 | 0,00000000 | Electronique Winbond | SPIFLASH® | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | W25Q128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | 50 µs, 3 ms | ||||
![]() | Cy7s1041g30-10bvxit | 9.6250 | ![]() | 4633 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | CY7S1041 | Sram - asynchrone | 2.2V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallèle | 10ns | ||||
![]() | IS42S16160G-6TLI | 7.5262 | ![]() | 3507 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | IS42S16160D-7B-TR | - | ![]() | 4415 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 500 | 143 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | FM28V020-T28G | - | ![]() | 8716 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | F-RAM ™ | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-TSSOP (0 465 ", 11,80 mm de grosur) | FM28V020 | Fram (Ferroelectric RAM) | 2V ~ 3,6 V | 28-tsop i | télécharger | 1 | Non volatile | 256kbit | 140 ns | Fracture | 32k x 8 | Parallèle | 140ns | Non Vérifié | ||||||||
![]() | IS42S32400D-7BI-TR | - | ![]() | 6197 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 500 | 143 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | Gd9fu8g8e2amgi | 14.3117 | ![]() | 9780 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd9f | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | 1970-gd9fu8g8e2amgi | 960 | Non volatile | 8 Gbit | 18 ns | Éclair | 1g x 8 | Onfi | 20ns | |||||||||
![]() | MT29F256G08AMEBBH7-12: B Tr | - | ![]() | 2728 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 152-TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | M50FW040K5TG TR | - | ![]() | 8340 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | M50FW040 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 32-PLCC (11.35x13.89) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 750 | 33 MHz | Non volatile | 4mbbitons | 250 ns | Éclair | 512k x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | S29gl064n90ffi040 | - | ![]() | 3568 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Gl-n | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | S29GL064 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (13x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | Non volatile | 64mbitons | 90 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 90ns | ||||
![]() | S29GL032N90DFVR23 | - | ![]() | 9917 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Gl-n | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | S29GL032 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (9x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 200 | Non volatile | 32mbitons | 90 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 90ns | ||||
![]() | AS4C256M16D4-75BCNTR | 7.3815 | ![]() | 8918 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13,5) | télécharger | 3 (168 Heures) | 1450-AS4C256M16D4-75BCNTR | 2 500 | 1 333 GHz | Volatil | 4 Gbit | 18 ns | Drachme | 256m x 16 | Coffre | 15NS | |||||||
![]() | SM662GEF Meilleur | 181.5200 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-EMMC® | Plateau | Actif | - | Support de surface | 100 lbga | Flash - Nand (TLC) | - | 100-BGA (14x18) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 1984-sm662gefbest | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | - | Éclair | EMMC | - | ||||||
![]() | AS4C256M16MD4V-062BAN | 20.5900 | ![]() | 136 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 1450-AS4C256M16MD4V-062BAN | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 1,6 GHz | Volatil | 2 gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 16 | Lvstl | 18n | ||||
![]() | CY7C1568V18-375BZXC | - | ![]() | 3195 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1568 | Sram - Synchrones, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 375 MHz | Volatil | 72mbitons | Sram | 2m x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT29F16G16ADBCAH4-IT: C TR | - | ![]() | 2141 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F16G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 1g x 16 | Parallèle | - |
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