Ixys ixfk94n50p2+ Bom
LeIxys ixfk94n50p2est un MOSFET de puissance du mode N - Mode. Il dispose d'une diode intrinsèque rapide, d'une cote DV / DT dynamique et d'une cote d'avalanche. Avec un RDS faible (ON) ≤55mΩ et un QG faible, il réduit les pertes de puissance. Son ensemble d'inductance faible améliore les performances. Idéal pour les alimentations de commutation - Mode, les convertisseurs DC - DC et les lecteurs de moteur, il offre une densité élevée et des économies d'espace.
Les fonctionnalités d'Ixys IXFK94N50P2
Diode intrinsèque rapide
Cette fonction permet à l'appareil de répondre rapidement dans les circuits, d'améliorer la vitesse de commutation et de réduire le temps de récupération inverse. Il convient aux applications à vitesse à interruption à haut débitchage telles que les alimentations de commutation haute fréquence.
Évaluation dynamique DV / DT
Indique l'excellente capacité de l'appareil de résister aux changements de tension, assurant un fonctionnement stable dans des environnements avec des fluctuations de tension rapide. Cela empêche les dysfonctionnements ou les dommages causés par les transitoires de tension, sauvegarde la fiabilité du circuit.
Avalanche noté
Signifie que l'appareil peut résister à une certaine quantité d'énergie dans des conditions de dégradation de l'avalanche, améliorant la fiabilité dans des scénarios extrêmes comme la surtension et réduisant le risque de dommages causés par la rupture d'avalanche.
RDS faible (ON) et QG
RDS faible (ON)Réduit la perte de puissance pendant la conduction, améliorant l'efficacité du circuit.
QG faibleMinimise l'énergie requise pour conduire l'appareil, réduire la consommation d'énergie dans le circuit du conducteur et améliorer l'efficacité énergétique globale du système.
Inductance à faible emballage
Réduit les pointes de tension et l'interférence électromagnétique (EMI) causée par l'inductance, l'amélioration de la stabilité du circuit et l'immunité du bruit. Cela contribue à de meilleures performances de circuit et à la fiabilité.
Applications d'Ixys IXFK94N50P2
Alimentation d'alimentation en mode commutateur et en mode résonnant: Dans les alimentations en mode commutateur (SMPS), ses RDS à faible résistance (ON) ≤55mΩ peuvent réduire les pertes de conduction et améliorer l'efficacité de conversion de puissance. La diode intrinsèque rapide et la cote DV / DT élevée peuvent répondre aux exigences de commutation à haute fréquence, réduire les pertes de commutation et rendre la puissance plus stable. Dans les alimentations en mode résonant, les caractéristiques de l'appareil aident à atteindre la commutation douce, à réduire le bruit de commutation et les pertes et à améliorer les performances globales de l'alimentation.
Convertisseurs DC-DC: Les convertisseurs DC-DC nécessitent souvent une conversion efficace de l'énergie électrique. Les caractéristiques RDS faibles (ON) et de porte de porte de la porte de l'appareil peuvent réduire les pertes de puissance et améliorer l'efficacité de conversion. La vitesse de commutation rapide lui permet de s'adapter au fonctionnement à haute fréquence, de réduire la taille et le poids des composants magnétiques et d'obtenir la miniaturisation du convertisseur.
Chargeurs de batterie: Pendant le processus de chargement de la batterie, un contrôle précis du courant et de la tension est nécessaire. Cet appareil peut fonctionner de manière stable sous haute tension et courant important. La faible résistance sur la résistance réduit la perte d'énergie pendant le processus de charge, améliore l'efficacité de charge et raccourcit le temps de charge. La caractéristique d'évaluation de l'avalanche améliore la fiabilité du circuit et protège le dispositif des effets de charge anormaux.
Alimentation d'alimentation ininterrompue (UPS): Lorsque l'alimentation du secteur échoue, l'onduleur doit passer rapidement à l'alimentation de la batterie. La vitesse de commutation rapide de ce MOSFET peut atteindre une commutation rapide, garantissant que la charge reste alimentée. La densité élevée de puissance et les caractéristiques d'inductance de forfaits bas assurent le fonctionnement stable des UPS dans des conditions de travail complexes, fournissant une alimentation de sauvegarde fiable pour l'équipement critique.
Drives de moteur AC et CC: Lors de la conduite des moteurs AC et CC, il est nécessaire de contrôler les courants et tensions importants. Les capacités de gestion de courant élevé de l'appareil (id25 = 94a, idm = 240a) répondent aux exigences pour le démarrage et le fonctionnement du moteur. La faible résistance sur la résistance réduit les pertes d'entraînement moteur et améliore l'efficacité du système. La cote d'avalanche et les caractéristiques de diodes intrinsèques rapides protègent le dispositif de la force électromotive arrière du moteur.
Applications de commutation d'alimentation à grande vitesse: Dans les circuits de puissance qui nécessitent une commutation rapide, tels que les amplificateurs de puissance haute fréquence et les alimentations d'alimentation d'impulsion, sa diode intrinsèque rapide et sa cote DV / dt élevée permettent des opérations de commutation à grande vitesse. La charge de porte basse réduit la consommation d'énergie du circuit d'entraînement et améliore les performances globales du système.
IXYS IXFK94N50P2
| Code ROHS | Oui | Code du cycle de vie des pièces | Actif |
| Fabricant IHS | Littelfuse Inc | Description du package | À 264, 3 broches |
| Atteignez le code de conformité | conforme | Code ECCN | EAR99 |
| Fabricant de Samacsys | Littélgé | Fonctionnalité supplémentaire | Avalanche noté |
| Évaluation énergétique de l'avalanche (EAS) | 3500 MJ | Connexion | VIDANGE |
| Configuration | Single avec diode intégrée | DS Breakdown Tension-Min | 500 V |
| Égoutter le courant-max (ABS) (ID) | 94 A | Égoutter le courant-max (ID) | 94 A |
| Drainage-source sur la résistance-max | 0,055 Ω | Technologie FET | Semi-conducteur en oxyde de métal |
| Code JEDEC-95 | À 264aa | Code JESD-30 | R-PSFM-T3 |
| Code JESD-609 | E1 | Nombre d'éléments | 1 |
| Nombre de terminaux | 3 | Mode de fonctionnement | Mode d'amélioration |
| Température de fonctionnement-max | 150 ° C | Package de carrosserie | Plastique / époxy |
| Forme de package | RECTANGULAIRE | Style de package | Monture de bride |
| Température de reflux maximale (CEL) | 260 | Type de polarité / canal | Channel n |
| Dissipation de puissance-max (ABS) | 1300 W | Courant de drain pulsé-max (IDM) | 240 A |
| Statut de qualification | Pas qualifié | Support de surface | NON |
| Finition terminale | Cuivre argenté en étain | Forme terminale | À travers le trou |
| Position terminale | CÉLIBATAIRE | Temps @ Peak Reflow Temperature-max (s) | 10 |
| Application de transistor | Commutation | Matériau d'élément transistor | SILICIUM |
| Fabricant | Ixys | Catégorie de produits | Mosfet |
| Rohs | Détails | Technologie | Si |
| Style de montage | Par le trou | Package / étui | À 264-3 |
| Polarité du transistor | Channel n | Nombre de canaux | 1 canal |
| VDS - Tension de panne de vidange | 500 V | ID - Courant de vidange continu | 94 A |
| RDS sur - résistance à la source de drainage | 55 Mohms | VGS - Tension de porte-porte | - 30 V, + 30 V |
| VGS Th - Tension de seuil de source de porte | 3 V | QG - Porte | 228 NC |
| Température de fonctionnement minimale | - 55 C | Température de fonctionnement maximale | + 150 C |
| PD - dissipation de puissance | 1,3 kW | Mode canal | Renforcement |
| Nom d'échange | Hiperfet | Série | IXFK94N50 |
| Marque | Ixys | Type de produit | Mosfet |
| Quantité de pack d'usine | 25 | Sous-catégorie | Mosfets |
| Type de transistor | 1 n canal | Taper | Polarp2 Hiperfet |
| Poids unitaire | 0,352740 oz |
Fiche technique d'Ixys IXFK94N50P2
IXYS IXFK94N50P2
À - 264 Informations sur la broche du package
- Broche 1: C'est la porte (abrégée en g), qui sert de terminal de contrôle. En appliquant différentes tensions, il contrôle l'état ON - hors du MOSFET. La modification de la tension de porte peut ajuster la conductivité du canal, contrôlant ainsi l'amplitude du courant entre le drain et la source.
- Broches 2 et 4: Les deux sont le drain (abrégé sous la forme d). Dans un circuit, le drain est la borne de sortie de courant, connecté à la charge ou à d'autres composants de circuit. Il résiste aux hautes tensions et aux courants. Dans des applications telles que les alimentations de commutation et les lecteurs de moteur, l'ampleur du courant de drain et des variations de tension affectent les performances du circuit.
- PIN 3: Il s'agit de la source (abrégée en S), qui est la borne d'entrée actuelle. Il est connecté à la borne négative de l'alimentation ou du sol, offrant un potentiel de référence pour le circuit pour assurer le débit normal du courant et réaliser la fonction du circuit.
Plus247 Informations sur la broche du package
- Broche 1: C'est la porte (abrégée en g), et sa fonction est la même que celle de la porte dans le package à - 264, utilisée pour contrôler l'état ON - hors du MOSFET.
- PIN 2: C'est le drain (abrégé comme d). En tant que borne de sortie de courant, il est connecté à la charge ou à d'autres parties du circuit et porte de grands courants et tensions dans le circuit.
- PIN 3: C'est la source (abrégée en S). En tant que terminal d'entrée de courant, il fournit un point de référence à faible potentiel pour le circuit afin d'assurer l'écoulement stable du courant et de maintenir le fonctionnement normal du circuit.
IXYS IXFK94N50P2Catégorie - FETS uniques
Les FET unique (transistors à effet de champ) sont des composants cruciaux dans les circuits électroniques modernes. Tirant parti de leurs caractéristiques de courant à tension unique, ils jouent un rôle irremplaçable dans diverses applications de circuit. Dans les circuits d'amplification du signal, ils amplifient avec précision les signaux électriques faibles. Dans les circuits de commutation, ils permettent à la conduction rapide et à la coupure de contrôler le flux de courant. Avec leur impédance d'entrée élevée, ils affectent peu les circuits précédents, réduisant efficacement la distorsion du signal et améliorant les performances du circuit.
Différents types de FET unique, tels que le canal N et le canal P, répondent à diverses exigences de circuit. Les FET à canal N sont largement utilisées dans les systèmes d'alimentation positive et gérent efficacement les gros courants. LeIxys ixfk94n50p2est un MOSFET de puissance en mode N-canal N exceptionnel. Il dispose d'une faible résistance sur la résistance (RDS (ON)), réduisant considérablement les pertes de conduction et améliorant l'efficacité du circuit. Sa diode intrinsèque rapide et sa note DV / DT élevée garantissent un fonctionnement stable dans les scénarios de commutation à haute fréquence. De plus, la caractéristique évaluée par Avalanche améliore la fiabilité, ce qui l'excelle dans les applications telles que les alimentations en mode commutation et les lecteurs de moteur, offrant un choix de composant fiable pour de nombreuses conceptions de circuits.
IXFK94N50P2 Fabricant - IXYS
Ixys a réalisé des réalisations remarquables dans le domaine FET unique. Leurs produits, tels que IXFK94N50P2 et IXFX94N50P2 N - MODE MODE MODE MOSFETS MODE, sont des exemples principaux. Ces appareils comportent une diode intrinsèque rapide, ce qui permet une commutation rapide, réduisant les pertes de puissance dans les applications à haute fréquence. Leur conception nominale avalanche améliore la fiabilité dans des conditions difficiles, protégeant les FET contre les surtensions de la tension.
Avec un faible RDS (ON) et QG, les FET unique d'Ixys peuvent contrôler efficacement le flux de courant, conduisant à une densité de puissance et à des performances d'économie plus élevées. Ces caractéristiques les rendent idéales pour une large gamme d'applications, notamment le mode commutateur et les alimentations de mode résonnant, les convertisseurs DC - CC et les lecteurs de moteur.
De plus, IXYS détient de nombreux brevets américains liés à ses MOSFET et IGBTS, indiquant son fort engagement envers l'innovation. En améliorant continuellement les performances des dispositifs et en élargissant les scénarios d'application, IXYS s'est fermement établi comme une force principale sur le marché des FET unique.
Comparaison des spécifications: ixfk94n50p2 vs ixfk90n60x vs ixfk90n20
<TD Style = "Border-Color: RGB (221, 221, 221);" largeur = "422"
| Image |  |  |  |
| Numéro de pièce | Ixfk94n50p2+ Bom | IXFK90N60X+ Bom | IXFK90N20+ Bom |
|---|---|---|---|
| Fabricant | Littélgé | Littélgé | Ixys Corporation |
| Emballer | À 264-3 | À 264-3 | To264-3 |
| Description | Channel N 500 V 94A (TC) 1300W (TC) à travers le trou à 264AA (IXFK) | MOSFET DISCMSFT NCH ULTRJNCTN XCLASS à 264 (3) | Le produit IXFK90N20 est un MOSFET haute tension capable de gérer 90 ampères |
| Action | 2432 | 2466 | 8979 |
| Tension de vidange-source (V) | 500 | 600 | 200 |
| MAXIMUM ON-RESISTANCE @ 25 ℃ (OHM) | 0,055 | 0,038 | 0,02 |
| Courant de drain continu à 25 ℃ (a) | 94 | 90 | 90 |
| Charge de porte (NC) | 228 | 210 | 380 |
| Capacité d'entrée, CISS (PF) | 14200 | 8500 | 9000 |
| Résistance thermique [cas de jonction] (K / W) | 0,096 | 0,113 | 0,25 |
| Configuration | Célibataire | Célibataire | Célibataire |
| Type de package | À 264 | À 264k | À 264 |
| Dissipation de puissance (w) | 1300 | 1100 | 500 |
| Exemple de demande | Non | Non | Oui |
| Récupération inverse maximale (NS) | 250 | 200 | |
| Chèque | Tags: IXFK94N50P2 IXYS
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