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Produits semi-conduurs discrètes (31214)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Byw178-Tap | 0,5940 |  | 3250 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | SOD-64, axial | BYW178 | Avalanche | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,9 V @ 3 A | 60 ns | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||
| Byw74tap | 0,5346 | | 3167 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | SOD-64, axial | BYW74 | Avalanche | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 3 A | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||
| Byw83tap | 0,5247 | | 6020 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | SOD-64, axial | BYW83 | Avalanche | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 V @ 3 A | 7,5 µs | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||
| Byw85-Tap | 0,5445 | | 8050 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | SOD-64, axial | BYW85 | Avalanche | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1 V @ 3 A | 7,5 µs | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||
 | Byx82tap | 0 2475 | | 1668 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | SOD-57, axial | BYX82 | Avalanche | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 4 µs | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||
| BZT03C100-TAP | 0,2640 | | 8596 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Tape & Box (TB) | Actif | ± 6% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | BZT03C100 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200 ohms | ||||||||
| BZT03C11-TAP | 0 2970 | | 1529 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5 45% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | Bzt03c11 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 000 | 1,2 V @ 500 mA | 4 µA @ 8,2 V | 11 V | 7 ohms | ||||||||
| BZT03C12-TAP | 0,7200 | | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 5,42% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | BZT03C12 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 500 mA | 3 µA @ 9,1 V | 12 V | 7 ohms | ||||||||
| BZT03C130-TAP | 0,2640 | | 5956 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Tape & Box (TB) | Actif | ± 6,54% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | BZT03C130 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 25 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 100 V | 130 V | 300 ohms | ||||||||
| BZT03C13-TAP | 0,7200 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 6,54% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | BZT03C13 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | 1,2 V @ 500 mA | 2 µA @ 10 V | 13 V | 10 ohms | ||||||||
| BZT03C18-TAP | 0,7200 | | 483 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 6,39% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | BZT03C18 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 13 V | 18 V | 15 ohms | ||||||||
| BZT03C20-TAP | 0 2970 | | 5545 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Tape & Box (TB) | Actif | ± 6% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | BZT03C20 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 15 V | 20 V | 15 ohms | ||||||||
| BZT03C30-TAP | 0,6400 | | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 6,67% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | BZT03C30 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15 ohms | ||||||||
| BZT03C43-Tap | 0,6400 | | 2 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 6,98% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | BZT03C43 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 33 V | 43 V | 45 ohms | ||||||||
| Bzt03c47-tap | 0,6400 | | 3 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Ruban de Coupé (CT) | Actif | ± 6,38% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | BZT03C47 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 36 V | 47 V | 45 ohms | ||||||||
| Bzt03c6v8-tap | 0 2970 | | 9347 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5,88% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | Bzt03c6v8 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 25 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 ma @ 5,1 V | 6,8 V | 2 ohms | ||||||||
| Bzt03c8v2-tap | 0 2970 | | 7772 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Tape & Box (TB) | Actif | ± 6,1% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | Bzt03c8v2 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 25 000 | 1,2 V @ 500 mA | 600 µA à 6,2 V | 8.2 V | 2 ohms | ||||||||
| BZT03C91-TAP | 0,2640 | | 2739 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Tape & Box (TB) | Actif | ± 6,04% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | BZT03C91 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 68 V | 91 V | 200 ohms | ||||||||
| BZT03D100-TAP | - | | 5859 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 6% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | Bzt03 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200 ohms | ||||||||
| Bzt03d10-tap | - | | 1892 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 6% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | Bzt03 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 000 | 1,2 V @ 500 mA | 10 µA à 7,5 V | 10 V | 4 ohms | ||||||||
| Bzt03d20-tap | - | | 4509 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 6% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | Bzt03 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 15 V | 20 V | 15 ohms | ||||||||
| Bzt03d36-tap | - | | 9332 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Bzt03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 5,56% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | SOD-57, axial | Bzt03 | 1,3 W | SOD-57 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 25 000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 27 V | 36 V | 40 ohms | ||||||||
| BZW03C130-TAP | - | | 4577 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZW03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,2 V @ 1 A | 2 µA @ 100 V | 130 V | 190 ohms | ||||||||
| BZW03C200-TAP | - | | 4109 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZW03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,2 V @ 1 A | 2 µA @ 150 V | 200 V | 500 ohms | ||||||||
| BZW03C220-TAP | - | | 6890 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZW03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,2 V @ 1 A | 2 µA à 160 V | 220 V | 700 ohms | ||||||||
| BZW03C24-TAP | - | | 5589 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZW03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,2 V @ 1 A | 2 µA @ 18 V | 24 V | 3,5 ohms | ||||||||
| Bzw03c47-tap | - | | 6196 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZW03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,2 V @ 1 A | 2 µA @ 36 V | 47 V | 25 ohms | ||||||||
| Bzw03c56-tap | - | | 7762 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZW03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,2 V @ 1 A | 2 µA @ 43 V | 56 V | 35 ohms | ||||||||
| BZW03C91-TAP | - | | 6660 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZW03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,2 V @ 1 A | 2 µA @ 68 V | 91 V | 75 ohms | ||||||||
| BZW03D120-TAP | - | | 1516 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | BZW03 | Tape & Box (TB) | Obsolète | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 500 | 1,2 V @ 1 A | 2 µA @ 91 V | 120 V | 170 ohms |
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