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Produits semi-conduurs discrètes (31214)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BY500-800-E3 / 73 | - |  | 7472 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-201D, axial | By500 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,35 V @ 5 A | 200 ns | 10 µA @ 800 V | 125 ° C (max) | 5A | 28pf @ 4v, 1mhz | |||||
 | BYD13GGP-E3 / 73 | - | | 2536 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BYD13 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||
| BYD13MGPHE3 / 73 | - | | 1237 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BYD13 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 3 µs | 5 µA à 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 7pf @ 4v, 1mhz | ||||||
| BYD33DGPHE3 / 73 | - | | 9002 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BYD33 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 200 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||
| BYD33JGP-E3 / 73 | - | | 7014 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BYD33 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||
| BYW27-200GPHE3 / 73 | - | | 1050 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BYW27 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 3 µs | 200 na @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | |||||
 | DGP15HE3 / 73 | - | | 8491 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | DGP15 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1500 V | 1.1 V @ 1 A | 20 µs | 5 µA @ 1500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | |||||
| Egp10ahe3 / 73 | - | | 3930 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | EGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 22pf @ 4v, 1mhz | |||||
| EGP10CHE3 / 73 | - | | 1116 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | EGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 22pf @ 4v, 1mhz | |||||
| EGP20C-E3 / 73 | - | | 1374 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | EGP20 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 70pf @ 4v, 1mhz | |||||
 | Egp30che3 / 73 | - | | 4255 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-201AAAA, DO-27, Axial | EGP30 | Standard | GP20 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||
 | GBPC1502W-E4 / 51 | 5.3000 | | 9029 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC1502 | Standard | GBPC-W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA @ 200 V | 15 A | Monophasé | 200 V | |||||||
| GBPC1504W-E4 / 51 | 5.3000 | | 163 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC1504 | Standard | GBPC-W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA @ 400 V | 15 A | Monophasé | 400 V | |||||||
 | GBPC1510-E4 / 51 | 5.3000 | | 196 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Carrés, GBPC | GBPC1510 | Standard | GBPC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | GBPC1510E451 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 5 µA à 1000 V | 15 A | Monophasé | 1 kv | ||||||
| GBPC2508-E4 / 51 | 5.3000 | | 4621 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Boîte | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Carrés, GBPC | GBPC2508 | Standard | GBPC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA @ 800 V | 25 A | Monophasé | 800 V | |||||||
 | GBU4D-E3 / 51 | 1.9500 | | 137 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GBU | GBU4 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | GBU4DE351 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 200 V | 3 A | Monophasé | 200 V | ||||||
| GBU4G-E3 / 51 | 1.9500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GBU | GBU4 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 400 V | 3 A | Monophasé | 400 V | |||||||
| GBU6B-E3 / 51 | 2.2100 | | 655 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GBU | GBU6 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 100 V | 3.8 A | Monophasé | 100 V | |||||||
| GBU8J-E3 / 51 | 2.0600 | | 58 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, GBU | GBU8 | Standard | GBU | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | 3.9 A | Monophasé | 600 V | |||||||
 | KBU4M-E4 / 51 | 3.3700 | | 284 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Kbu4 | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Kbu4me451 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 A | 5 µA à 1000 V | 4 A | Monophasé | 1 kv | ||||||
| KBU6A-E4 / 51 | 3.0205 | | 2581 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | En gros | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Kbu6 | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 50 V | 6 A | Monophasé | 50 V | |||||||
| 1N3613GP-E3 / 73 | - | | 9428 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N3613 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1 V @ 1 A | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||
| 1N4001GPHE3 / 73 | - | | 4402 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4001 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | IN4001GPHE3 / 73 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | ||||
| 1N4002GPEHE3 / 73 | - | | 3445 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4002 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | |||||
| 1N4005GPHE3 / 73 | - | | 4042 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4005 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | |||||
| 1N4006GP-E3 / 73 | - | | 5650 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4006 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | |||||
| 1N4006GPHE3 / 73 | - | | 3994 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4006 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | |||||
| 1N4007GP-E3 / 73 | 0,5400 | | 47 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4007 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA à 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | |||||
| 1N4934-E3 / 73 | 0.4400 | | 16 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4934 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12pf @ 4v, 1mhz | |||||
| 1N4934GP-E3 / 73 | - | | 2837 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4934 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz |
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