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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Fesb8ft-e3 / 81 | 0,7822 | ![]() | 8338 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | FESB8 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||
![]() | FESB8GT-E3 / 81 | 0,7822 | ![]() | 4600 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | FESB8 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||
![]() | FESB8HT-E3 / 81 | 0,7822 | ![]() | 7279 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | FESB8 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 500 V | 1,5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA à 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||
![]() | FGP30C-E3 / 54 | - | ![]() | 8955 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | FGP30 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 70pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | FGP50D-E3 / 54 | - | ![]() | 7442 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-201AAAA, DO-27, Axial | FGP50 | Standard | GP20 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1400 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 5 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 5A | 100pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | GF1G-E3 / 5CA | 0.4900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214BA | Gf1 | Standard | DO-214BA (GF1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||
![]() | Gf1ghe3 / 5ca | - | ![]() | 5688 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214BA | Gf1 | Standard | DO-214BA (GF1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||
![]() | GF1M-E3 / 5CA | 0,6000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214BA | Gf1 | Standard | DO-214BA (GF1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 6 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,2 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA à 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||
![]() | GHR16-E3 / 54 | - | ![]() | 2678 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | R-1, axial | GHR16 | Standard | R-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 5 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1600 V | 1,5 V @ 500 mA | 300 ns | 5 µA à 1600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | ||
![]() | Gi1-1200gphe3 / 54 | - | ![]() | 8391 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | Gi1 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1.1 V @ 1 A | 1,5 µs | 10 µA à 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||
![]() | GI1-1400GP-E3 / 54 | 0,3310 | ![]() | 1121 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | Gi1 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1400 V | 1.1 V @ 1 A | 1,5 µs | 10 µA @ 1400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||
![]() | GI250-4HE3 / 54 | - | ![]() | 8328 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Gi250 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 5 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 4000 V | 3,5 V @ 250 Ma | 2 µs | 5 µA à 4000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 250mA | 3pf @ 4v, 1mhz | ||
Gi502-e3 / 54 | 0.1709 | ![]() | 6136 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Gi502 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1400 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 9.4 A | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | 28pf @ 4v, 1mhz | |||
![]() | GI810-E3 / 54 | - | ![]() | 5946 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | Gi810 | Standard | DO-204AC (DO-15) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,2 V @ 1 A | 750 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||
![]() | GI810HE3 / 54 | - | ![]() | 9200 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | Gi810 | Standard | DO-204AC (DO-15) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,2 V @ 1 A | 750 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||
![]() | GI811HE3 / 54 | - | ![]() | 1124 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | Gi811 | Standard | DO-204AC (DO-15) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,2 V @ 1 A | 750 ns | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||
![]() | BYD33KGP-E3 / 54 | - | ![]() | 10000 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BYD33 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1 A | 300 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | Byg10j-e3 / tr3 | 0,1068 | ![]() | 1357 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | BYG10 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,15 V @ 1,5 A | 4 µs | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | ||
![]() | Byg10k-e3 / tr3 | 0,3900 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | BYG10 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,15 V @ 1,5 A | 4 µs | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | ||
![]() | Byg10m-e3 / tr3 | 0,3900 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | BYG10 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,15 V @ 1,5 A | 4 µs | 1 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | ||
![]() | Byg20g-e3 / tr3 | 0,4000 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Byg20 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,4 V @ 1,5 A | 75 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | ||
![]() | BYM07-100-E3 / 83 | 0,4100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Do-213aa (verre) | BY07 | Standard | DO-213AA (GL34) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 9 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,25 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | BYM07-200HE3 / 83 | - | ![]() | 8274 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | Do-213aa (verre) | BY07 | Standard | DO-213AA (GL34) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 9 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,25 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | BYM07-400HE3 / 83 | - | ![]() | 2461 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | Do-213aa (verre) | BY07 | Standard | DO-213AA (GL34) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 9 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,35 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | BYM10-100-E3 / 97 | 0 4500 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | BYP10 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | |||
![]() | BYM10-400-E3 / 97 | 0 4500 | ![]() | 5157 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | BYP10 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | |||
![]() | BYM10-400HE3 / 97 | - | ![]() | 9545 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | BYP10 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BYM10-400HEH3_A / I | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | BYM10-800HE3 / 97 | - | ![]() | 1535 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | BYP10 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BYM10-800HEH3_A / I | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,2 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | BYM11-100HE3 / 97 | - | ![]() | 8065 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | En 11 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BY11-100HE3_A / I | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |
![]() | BYM12-100-E3 / 97 | 0.1487 | ![]() | 9229 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | BYM12 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz |
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