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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYM11-50-E3 / 96 | 0,1190 | ![]() | 3374 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | En 11 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | BYM12-100-E3 / 96 | 0,4100 | ![]() | 46 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | BYM12 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | BYM12-100HE3 / 96 | - | ![]() | 5591 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | BYM12 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | BYS10-25-E3 / TR | 0,4300 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | BYS10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 25 V | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||
![]() | BYS10-35HE3 / TR | - | ![]() | 6562 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | BYS10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||
![]() | BYS10-45-E3 / TR | 0,4300 | ![]() | 70 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | BYS10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||
![]() | EGF1THE3 / 67A | - | ![]() | 2352 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automotive, AEC-Q101, SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214BA | EGF1 | Standard | DO-214BA (GF1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1300 V | 3 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||
![]() | EGL34B-E3 / 98 | 0,4100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Do-213aa (verre) | EGL34 | Standard | DO-213AA (GL34) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,25 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | EGL34C-E3 / 98 | 0.1513 | ![]() | 7970 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Do-213aa (verre) | EGL34 | Standard | DO-213AA (GL34) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1,25 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | ||
![]() | EGL34GHE3 / 98 | - | ![]() | 8294 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | Do-213aa (verre) | EGL34 | Standard | DO-213AA (GL34) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,35 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | ||
![]() | EGL41D-E3 / 96 | 0,5100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | Egl41 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | EGL41DHE3 / 96 | - | ![]() | 7754 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | Egl41 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | Egl41fhe3 / 96 | - | ![]() | 2912 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | Egl41 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 14pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | ES1D-M3 / 61T | 0,3800 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | ES1 | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 920 mV @ 1 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | ES1DHE3 / 61T | - | ![]() | 5898 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214AC, SMA | ES1 | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 920 mV @ 1 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | ES1PCHE3 / 84A | - | ![]() | 9088 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-220AA | ES1 | Standard | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 920 mV @ 1 a | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | Es3bhe3 / 57t | - | ![]() | 7855 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214AB, SMC | ES3 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | ESH1PDHE3 / 84A | - | ![]() | 4358 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-220AA | ESH1 | Standard | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | ESH2B-E3 / 52T | 0,1576 | ![]() | 5860 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | ESH2 | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 930 MV @ 2 A | 35 ns | 2 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | ||
![]() | ESH2CHE3 / 52T | - | ![]() | 5734 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | ESH2 | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 930 MV @ 2 A | 35 ns | 2 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | ||
![]() | ESH2PBHE3 / 84A | - | ![]() | 6228 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-220AA | ESH2 | Standard | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 980 MV @ 2 A | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 25pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | ESH3BHE3 / 57T | - | ![]() | 5959 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214AB, SMC | ESH3 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 900 mV @ 3 a | 40 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||
![]() | GF1BHE3 / 67A | - | ![]() | 2014 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214BA | Gf1 | Standard | DO-214BA (GF1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||
![]() | GL34BHE3 / 98 | - | ![]() | 8055 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Do-213aa (verre) | GL34 | Standard | DO-213AA (GL34) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Gl34bhe3_a / h | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,2 V @ 500 mA | 1,5 µs | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | |
![]() | GL41THE3 / 96 | - | ![]() | 7844 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | SuperECTIFIER® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF (VERRE) | GL41 | Standard | DO-213AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Gl41the3_a / h | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1300 V | 1,2 V @ 1 A | 10 µA @ 1300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | MSE1PB-M3 / 89A | 0,3700 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | MicroSMP | MSE1 | Standard | MicroSMP (DO-219AD) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1 A | 780 ns | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 5pf @ 4v, 1mhz | ||
![]() | SE15PJ-M3 / 84A | 0,3600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | ESMP® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-220AA | SE15 | Standard | DO-220AA (SMP) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1 05 V @ 1,5 A | 900 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 9,5pf @ 4v, 1MHz | ||
![]() | SL22HE3 / 52T | - | ![]() | 8237 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | SL22 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 440 MV @ 2 A | 400 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | |||
![]() | SL42HE3 / 57T | - | ![]() | 2546 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-214AB, SMC | SL42 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 420 MV @ 4 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 4A | - | |||
![]() | BY229B-400-E3 / 45 | - | ![]() | 2793 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Division Diodes | - | Tube | Obsolète | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | BY229 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,85 V @ 20 A | 145 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8a | - |
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