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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Structure	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Nombre de Scr, Diodes	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)
IXFB70N100X	53.8200	RFQ	62	Ixys	Hiperfet ™, Ultra x	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfb70		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus264 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n			1000 V	70A (TC)	10V	89MOHM @ 35A, 10V	6v @ 8mA	350 NC @ 10 V	± 30V	9160 PF @ 25 V	-	1785W (TC)
Ixta180n10t-trl	6.1300	RFQ	1	Ixys	Tranché	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta180		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263 (d2pak)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n			100 V	180a (TC)	10V	6,4MOHM @ 25A, 10V	4,5 V @ 250µA	151 NC @ 10 V	± 20V	6900 pf @ 25 V	-	480W (TC)
Dsep12-12bz-tub	3.3600	RFQ	2190	Ixys	-	Tube	Actif		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Dsep12		Standard			À 263HV	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-DSEP12-12bz-tub	EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																						1200 V		3,25 V @ 15 A	70 ns	100 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	12A	5pf @ 600V, 1MHz
IXYH120N65A5	12.7200	RFQ	5927	Ixys	XPT ™, GenX5 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixyh12	Standard		830 W		À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXYH120N65A5	EAR99	8541.29.0095	30					400V, 60A, 3OHM, 15V																												Pt	650 V	290 A	790 A	1,35 V @ 15V, 75A	1 25MJ (ON), 3,2MJ (off)	314 NC	45ns / 370ns
IXYH40N120B4	15.9115	RFQ	3403	Ixys	XPT ™, GenX4 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Standard		680 W		À 247 (ixth)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXYH40N120B4	EAR99	8541.29.0095	30					960V, 32A, 5OHM, 15V																						53 ns						Pt	1200 V	136 A	250 A	2.1V @ 15V, 32A	5,9mj (on), 2,9mj (off)	94 NC	19ns / 220ns
IXGT25N250-T / R	70.4964	RFQ	3454	Ixys	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixgt25	Standard		250 W		À 268HV (ixgt)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXGT25N250-T / RTR	EAR99	8541.29.0095	400					1250 V, 50A, 5OHM, 15V																						233 ns						NPT	2500 V	60 A	200 A	2,9 V @ 15V, 25A	-	75 NC	68NS / 209NS
Ixyp30n120b4	14.5226	RFQ	5510	Ixys	-	Tube	Actif										-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXYP30N120B4	EAR99	8541.29.0095	50
IXBH32N300HV	72.6127	RFQ	7852	Ixys	Bimosfet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixbh32	Standard		400 W		À 247HV	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXBH32N300HV	EAR99	8541.29.0095	30					-																												-	3000 V	80 A	280 A	3,2 V @ 15V, 32A	-	142 NC	-
Dsp45-12az-trl	5.5512	RFQ	8490	Ixys	DSP	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Dsp45		Standard			À 268aa (d3pak-hv)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-DSP45-12AZ-TLTR	EAR99	8541.10.0080	400		Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)																					Connexion de la Séririe 1 paire	1200 V	45a	1,26 V @ 45 A		40 µA à 1200 V	-40 ° C ~ 175 ° C
IXYT12N250CV1HV	51.4643	RFQ	8368	Ixys	Xpt ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa		Standard		310 W		À 268hv (ixyt)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXYT12N250CV1HV	EAR99	8541.29.0095	30					1250 V, 12A, 10OHM, 15V																						16 ns						-	2500 V	28 A	80 A	4,5 V @ 15V, 12A	3 56MJ (ON), 1,7MJ (OFF)	56 NC	12NS / 167NS
IXYP30N120C4	15.0810	RFQ	4449	Ixys	-	Tube	Actif										-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXYP30N120C4	EAR99	8541.29.0095	50
MDMA120U1600VA	40.6400	RFQ	6828	Ixys	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MDMA120		Standard			V1-A	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-MDMA120U1600VA	EAR99	8541.10.0080	24																										1,42 V @ 120 A		40 µA à 1600 V		120 A											Triphasé	1,6 kV
MCD431-22IO2	-	RFQ	9726	Ixys	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module					Connexion de la Séririe - SCR / Diode		-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-MCD431-22IO2	EAR99	8541.30.0080	3				300 mA													2,2 kV	1020 a	2,5 V	12000A @ 50hz	250 mA	429 A										1 SCR, 1 Diode
IXYH40N120C4	15.9115	RFQ	8092	Ixys	XPT ™, GenX4 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Standard		680 W		À 247 (ixth)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXYH40N120C4	EAR99	8541.29.0095	30					960V, 32A, 5OHM, 15V																						55 ns						-	1200 V	120 A	230 A	2,5 V @ 15V, 32A	5 55MJ (ON), 1 55MJ (OFF)	92 NC	21ns / 140ns
CLA60MT1200NTZ-TRL	7.5909	RFQ	5142	Ixys	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	CLA60					À 268aa	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-CLA60MT1200NTZ-TLTR	EAR99	8541.30.0080	400	Célibataire			60 mA												Standard	1,2 kV	66 A	1,7 V	380a, 410a	60 mA
IXXT100N75B4HV	25.6637	RFQ	8797	Ixys	-	Tube	Actif										-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXXT100N75B4HV	EAR99	8541.29.0095	30
IXYP20N120A4	15.2094	RFQ	6637	Ixys	XPT ™, GenX4 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		Standard		375 W		À 220 (ixyp)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXYP20N120A4	EAR99	8541.29.0095	50					960V, 20A, 10OHM, 15V																						54 ns						Pt	1200 V	80 A	135 A	1,9 V @ 15V, 20A	3,6MJ (ON), 2 75MJ (OFF)	46 NC	12NS / 275NS
IXBH42N300HV	117.9213	RFQ	8987	Ixys	Bimosfet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixbh42	Standard		500 W		À 247HV	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXBH42N300HV	EAR99	8541.29.0095	30					-																						1,7 µs						-	3000 V	104 A	400 A	3V @ 15V, 42A	-	200 NC	-
MDMA360UC1600ted	109.6283	RFQ	2699	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module			Standard			-	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-MDMA360UC1600ted	EAR99	8541.10.0080	6																										1,8 V @ 360 A		100 µA à 1600 V		360 A											Triphasé	1,6 kV
IX526119	18.2286	RFQ	4649	Ixys	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif				IX5261						-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IX526119TR	EAR99	8541.29.0095	200
IXYH20N65B3	4.7479	RFQ	2829	Ixys	XPT ™, GenX3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Standard		230 W		À 247ad	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXYH20N65B3	EAR99	8541.29.0095	30					400V, 20A, 20OHM, 15V																						25 ns						Pt	650 V	58 A	108 A	2.1V @ 15V, 20A	500 µJ (ON), 450µJ (OFF)	29 NC	12NS / 103NS
CSM350KN	-	RFQ	6179	Ixys	-	En gros	Obsolète				CSM350						-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-CSM350kn	EAR99	8541.29.0095	25
IXYP24N100A4	15.2094	RFQ	4185	Ixys	XPT ™, GenX4 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		Standard		375 W		À 220 (ixyp)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXYP24N100A4	EAR99	8541.29.0095	50					800V, 24A, 10hm, 15v																						47 ns						Pt	1000 V	85 A	145 A	1,9 V @ 15V, 24A	3,5mj (on), 2,3mj (off)	44 NC	13ns / 216ns
IXGT25N250HV	63.6757	RFQ	6252	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixgt25	Standard		250 W		À 268HV (ixgt)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXGT25N250HV	EAR99	8541.29.0095	30					-																												-	2500 V	60 A	200 A	2,9 V @ 15V, 25A	-	75 NC	-
MDNA700P2200CC	266.3200	RFQ	1	Ixys	-	Boîte	Actif		Soutenir de châssis	Module			Standard			Compresseur	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-MDNA700p2200cc	EAR99	8541.10.0080	3		Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)																					Connexion de la Séririe 1 paire	2200 V	700A	1,14 V @ 700 A		500 µA à 2200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
LGD8201th	-	RFQ	8093	Ixys	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		Logique		125 W		Dpak	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-lgd8201thtr	EAR99	8541.29.0095	2 500					-																												-	440 V	20 a	50 a	1,9 V @ 4,5 V, 20A	-		-
IXXH30N60C3	4.1893	RFQ	8415	Ixys	XPT ™, GenX3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Standard		270 W		À 247ad	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXXH30N60C3	EAR99	8541.29.0095	30					400V, 24A, 10 ohms, 15v																						33 ns						-	600 V	60 A	110 A	2,4 V @ 15V, 24A	500 µJ (ON), 270 µJ (OFF)	37 NC	23ns / 77ns
IXFH60N60X3	12.4900	RFQ	13	Ixys	HiperFet ™, Ultra x3	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXFH60		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXFH60N60X3	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n			600 V	60a (TC)	10V	51MOHM @ 30A, 10V	5V @ 4mA	51 NC @ 10 V	± 20V	3450 pf @ 25 V	-	625W (TC)
Ixfa36n60x3	7.0700	RFQ	38	Ixys	HiperFet ™, Ultra x3	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixfa36		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263aa (ixfa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXFA36N60X3	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			600 V	36a (TC)	10V	90MOHM @ 18A, 10V	5V @ 2,5mA	29 NC @ 10 V	± 20V	2030 pf @ 25 V	-	446W (TC)
Ixfp36n60x3	7.0700	RFQ	6408	Ixys	HiperFet ™, Ultra x3	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixfp36		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXFP36N60X3	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n			600 V	36a (TC)	10V	90MOHM @ 18A, 10V	5V @ 2,5mA	29 NC @ 10 V	± 20V	2030 pf @ 25 V	-	446W (TC)