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Produits semi-conduurs discrètes (6315)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Condition de test Actualiser Tension Tension - isolement Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Temps de réménage inversé (TRR) Température de FonctionNement - Jonction Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C
IXBT12N300HV IXYS IXBT12N300HV 37.6500
RFQ
 ECAD 4241 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixbt12 Standard 160 W À 268HV (ixbt) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 1250 V, 12A, 10OHM, 15V 1,4 µs - 3000 V 30 A 100 A 3.2V @ 15V, 12A - 62 NC 64NS / 180NS
IXFA76N15T2 IXYS Ixfa76n15t2 5.2060
RFQ
 ECAD 6564 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa76 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 150 V 76a (TC) 10V 20mohm @ 38a, 10v 4,5 V @ 250µA 97 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 350W (TC)
IXFP18N60X IXYS IXFP18N60X 6.6443
RFQ
 ECAD 9868 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp18 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 18A (TC) 10V 230MOHM @ 9A, 10V 4,5 V @ 1,5 mA 35 NC @ 10 V ± 30V 1440 PF @ 25 V - 320W (TC)
IXFP230N075T2 IXYS IXFP230N075T2 7.1800
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp230 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 230A (TC) 10V 4.2MOHM @ 50A, 10V 4V @ 1MA 178 NC @ 10 V ± 20V 10500 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXFX90N60X IXYS Ixfx90n60x 18.3363
RFQ
 ECAD 6337 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx90 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 90a (TC) 10V 38MOHM @ 45A, 10V 4,5 V @ 8mA 210 NC @ 10 V ± 30V 8500 pf @ 25 V - 1100W (TC)
IXGT6N170AHV IXYS Ixgt6n170ahv 14.5227
RFQ
 ECAD 4663 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixgt6n170 Standard 75 W À 268HV (ixgt) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 850V, 6A, 33OHM, 15V - 1700 V 6 A 14 A 7V @ 15V, 3A 590 µJ (ON), 180µJ (OFF) 18,5 NC 46ns / 220ns
IXTA80N075L2 IXYS Ixta80n075l2 13.9200
RFQ
 ECAD 327 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXTA80N075L2 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 80A (TC) 10V 24MOHM @ 40A, 10V 4,5 V @ 250µA 103 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 25 V - 357W (TC)
IXTP80N075L2 IXYS Ixtp80n075l2 7.7400
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXTP80N075L2 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 80A (TC) 10V 24MOHM @ 40A, 10V 4,5 V @ 250µA 103 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 25 V - 357W (TC)
IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3 12.4200
RFQ
 ECAD 3343 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-2 Ixxh150 Standard 1360 W À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 2OHM, 15V Pt 600 V 300 A 150 a 2,5 V @ 15V, 150A 3,4MJ (on), 1,8mj (off) 200 NC 34ns / 120ns
IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3 5.0815
RFQ
 ECAD 8055 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixxh30 Standard 270 W À 247ad (ixxh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 24A, 10 ohms, 15v Pt 600 V 60 a 115 A 1,85 V @ 15V, 24A 550 µJ (ON), 500 µJ (OFF) 39 NC 23ns / 97ns
IXYP20N65C3D1 IXYS Ixyp20n65c3d1 3.8400
RFQ
 ECAD 1413 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixyp20 Standard 200 W À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 400V, 20A, 20OHM, 15V 135 ns Pt 650 V 50 a 105 A 2,5 V @ 15V, 20A 430 µJ (ON), 350µJ (OFF) 30 NC 19ns / 80ns
VMM90-09P IXYS VMM90-09P -
RFQ
 ECAD 9080 0,00000000 Ixys * Boîte Actif VMM90 - - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 -
IXFH220N06T3 IXYS IXFH220N06T3 6.3100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Trencht3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH220 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 60 V 220A (TC) 10V 4MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 136 NC @ 10 V ± 20V 8500 pf @ 25 V - 440W (TC)
IXTH04N300P3HV IXYS IXTH04N300P3HV 25.3500
RFQ
 ECAD 9155 0,00000000 Ixys P3 ™ Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixth04 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247HV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -Ixth04N300P3HV EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 3000 V 400mA (TC) 10V 190OHM @ 200mA, 10V 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 20V 283 PF @ 25 V - 104W (TC)
IXTT2N300P3HV IXYS Ixtt2n300p3hv 52.2600
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Ixys P3 ™ Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt2 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268hv (ixtt) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté -Ixtt2N300P3HV EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 3000 V 2A (TC) 10V 21OHM @ 1A, 10V 5V @ 250µA 73 NC @ 10 V ± 20V 1890 PF @ 25 V - 520W (TC)
IXTX6N200P3HV IXYS Ixtx6n200p3hv 69.9500
RFQ
 ECAD 5005 0,00000000 Ixys P3 ™ Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixtx6 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247plus-hv télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXTX6N200P3HV EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 2000 V 6A (TC) 10V 4OHM @ 3A, 10V 5V @ 250µA 143 NC @ 10 V ± 20V 3700 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXTD2N60P-1J IXYS Ixtd2n60p-1j -
RFQ
 ECAD 9532 0,00000000 Ixys PolarHV ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Mourir Ixtd2n MOSFET (Oxyde Métallique) Mourir - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 2A (TC) 10V 5.1OHM @ 1A, 10V 5V @ 250µA 7 NC @ 10 V ± 30V 240 pf @ 25 V - 56W (TC)
IXTD3N50P-2J IXYS Ixtd3n50p-2j -
RFQ
 ECAD 9183 0,00000000 Ixys PolarHV ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Mourir Ixtd3n MOSFET (Oxyde Métallique) Mourir - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 3A (TC) 10V 2ohm @ 1,5a, 10v 5,5 V @ 50µA 9.3 NC @ 10 V ± 30V 409 PF @ 25 V - 70W (TC)
IXTD4N80P-3J IXYS Ixtd4n80p-3j -
RFQ
 ECAD 2688 0,00000000 Ixys PolarHV ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Mourir Ixtd4n MOSFET (Oxyde Métallique) Mourir - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 800 V 3.6A (TC) 10V 3,4 ohm @ 1,8a, 10v 5,5 V @ 100µA 14.2 NC @ 10 V ± 30V 750 pf @ 25 V - 100W (TC)
DSSK28-0045BS-TUB IXYS Dssk28-0045bs-tub -
RFQ
 ECAD 3412 0,00000000 Ixys - Tube Abandonné à sic - - DSSK28 - - télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 - - - -55 ° C ~ 150 ° C
IXBA16N170AHV IXYS IXBA16N170AHV 29.4300
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixba16 Standard 150 W À 263HV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXBA16N170AHV EAR99 8541.29.0095 50 1360V, 10A, 10OHM, 15V 25 ns - 1700 V 16 A 40 A 6V @ 15V, 10A 2,5mJ (off) 65 NC 15NS / 250NS
IXBT16N170AHV IXYS IXBT16N170AHV 16.6173
RFQ
 ECAD 9900 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixbt16 Standard 150 W À 268HV (ixbt) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 1360V, 10A, 10OHM, 15V 25 ns - 1700 V 16 A 40 A 6V @ 15V, 10A 2,5mJ (off) 65 NC 15NS / 250NS
IXFN50N120SIC IXYS Ixfn50n120sic 82.8500
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Ixys - Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn50 Sicfet (carbure de silicium) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 1200 V 47a (TC) 20V 50mohm @ 40A, 20V 2.2V @ 2MA 100 nc @ 20 V + 20V, -5V 1900 pf @ 1000 V - -
IXGA36N60A3 IXYS Ixga36n60a3 -
RFQ
 ECAD 8739 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixga36 Standard 220 W À 263aa télécharger Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 400 V, 30A, 5OHM, 15V 23 ns Pt 600 V 200 A 1,4 V @ 15V, 30A 740µJ (ON), 3MJ (OFF) 80 NC 18NS / 330NS
IXGP36N60A3 IXYS Ixgp36n60a3 5.0272
RFQ
 ECAD 9736 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixgp36 Standard 220 W À 220-3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 400 V, 30A, 5OHM, 15V 23 ns Pt 600 V 200 A 1,4 V @ 15V, 30A 740µJ (ON), 3MJ (OFF) 80 NC 18NS / 330NS
IXIDM1401_1505_M IXYS Ixidm1401_1505_m -
RFQ
 ECAD 8302 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète Support de surface Module Igbt Ixidm140 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté -IXIDM1401_1505_M EAR99 8542.39.0001 1 Demi-pont 10 a 15 V 4000vrms
IXIDM1403_1505_M IXYS Ixidm1403_1505_m -
RFQ
 ECAD 7043 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète Support de surface Module Igbt Ixidm1403 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXIDM1403_1505_M EAR99 8542.39.0001 1 Demi-pont 30 A 15 V 4000vrms
IXTA230N04T4 IXYS IXTA230N04T4 3.5176
RFQ
 ECAD 4167 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta230 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 40 V 230A (TC) 10V 2,9MOHM @ 115A, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 V ± 15V 7400 pf @ 25 V - 340W (TC)
IXTA34N65X2 IXYS Ixta34n65x2 6.0894
RFQ
 ECAD 5021 0,00000000 Ixys Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta34 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 34A (TC) 10V 96MOHM @ 17A, 10V 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 25 V - 540W (TC)
IXTH24N65X2 IXYS Ixth24n65x2 6.4000
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Ixys Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth24 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 24a (TC) 10V 145MOHM @ 12A, 10V 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ± 30V 2060 pf @ 25 V - 390W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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