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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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Rs1blhrfg | - | ![]() | 5540 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1b | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SR103HB0G | - | ![]() | 7897 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Abandonné à sic | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SR103 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 mV @ 1 a | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||
Rs1ml MHG | - | ![]() | 1408 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1m | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSD30H200CW | 1.4064 | ![]() | 3690 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | TSD30 | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK56BH | 0.1785 | ![]() | 1287 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Sk56 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 mV @ 5 a | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||
1SMA4737 M2G | - | ![]() | 1304 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA4737 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 5 µA @ 5 V | 7,5 V | 4 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Skl13bhr5g | - | ![]() | 4251 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | Skl13 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 390 MV @ 1 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | HS3A V7G | 1.0200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban de Coupé (CT) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | HS3A | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
Rs1glhmqg | - | ![]() | 8153 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1g | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5408G R0G | 0.1215 | ![]() | 9524 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | 1N5408 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1 V @ 3 A | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 25pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
BZD27C180PW | 0,4800 | ![]() | 87 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA à 130 V | 180 V | 450 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2A03G R0G | - | ![]() | 9534 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2A03 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
Bzd27c30phrug | 0 2933 | ![]() | 6094 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6,66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HS2BA | 0 2228 | ![]() | 4105 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-HS2BATr | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 1,5 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF2003G C0G | - | ![]() | 5160 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF2003 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 975 MV @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 170pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSM650P03CX RFG | 0,8100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM650 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 4.1a (TC) | 2,5 V, 10V | 65MOHM @ 4A, 10V | 900 mV à 250 µA | 6,4 NC @ 4,5 V | ± 12V | 810 PF @ 15 V | - | 1 56W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | MUR120SH | 0,1162 | ![]() | 3878 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | MUR120 | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 875 MV @ 1 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSM480P06CZ C0G | - | ![]() | 4064 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Tsm480p06czc0g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 60 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 48MOHM @ 8A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 22,4 NC @ 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 30 V | - | 66W (TC) | ||||||||||||||||||
Tapis rsfgl | - | ![]() | 4011 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | RSFGL | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
ES1DV R3G | - | ![]() | 8908 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | ES1D | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 920 mV @ 1 a | 15 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
Rsfmlhmtg | - | ![]() | 2059 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rsfml | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSM22P10CI C0G | - | ![]() | 8891 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Tsm22p10cic0g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 100 V | 22A (TC) | 4,5 V, 10V | 140mohm @ 20a, 10v | 3V à 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 25V | 2250 pf @ 30 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||
ES1CL RVG | 0,6000 | ![]() | 60 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | ES1C | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
Rs1bl rhg | - | ![]() | 3467 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1b | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SF808GH | 0,6699 | ![]() | 4702 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | SF808 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SF808GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 8a | 1,7 V @ 4 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | TST20U100C | 1.1994 | ![]() | 3174 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | TST20 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 790 MV @ 10 A | 500 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF2005G C0G | - | ![]() | 5706 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF2005 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 300 V | 1,3 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 150pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | UR8KB100 | 0,7878 | ![]() | 4987 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP | UR8KB100 | Standard | D3k | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.1 V @ 8 A | 10 µA à 1000 V | 8 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS1050 MNG | - | ![]() | 2899 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS1050 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV @ 10 A | 100 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj27sc r0g | 0,0305 | ![]() | 9372 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj27 | 500 MW | Do-34 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 200 na @ 21 V | 26.29 V | 45 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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