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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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S1ML RVG | 0,0616 | ![]() | 8061 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | S1ml | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
Bzd27c20pwh | 0,1191 | ![]() | 7482 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 15 V | 20 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS2050CTHMNG | - | ![]() | 9990 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS2050 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 50 V | 20A | 950 MV @ 20 A | 100 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
S1mh | 0,4000 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | S1mh | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 1 A | 1,5 µs | 1 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 12pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | SK35B R5G | - | ![]() | 7024 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | SK35 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 750 mV @ 3 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||
SS14LS | 0 4600 | ![]() | 36 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123H | SS14 | Schottky | SOD-123HE | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 550 mV @ 1 a | 400 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
Ss14hr3g | - | ![]() | 8532 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | SS14 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 500 mV @ 1 a | 200 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Her3005pt | 1.7659 | ![]() | 8421 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | HER3005 | Standard | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 400 V | 30A | 1,3 V @ 15 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | UGF8JDHC0G | - | ![]() | 3398 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | UGF8 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2.3 V @ 8 A | 30 ns | 500 na @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | SF33G R0G | - | ![]() | 7609 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-201D, axial | SF33 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | HER601G A0G | - | ![]() | 9364 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | R-6, axial | HER601 | Standard | R-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 700 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1 V @ 6 A | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
Ss19lhrhg | - | ![]() | 9095 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS19 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 800 mV @ 1 a | 50 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4005GHB0G | - | ![]() | 5916 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4005 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | ES2G R5G | 0,6000 | ![]() | 858 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | ES2G | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 2 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | TSM052NB03CR | 0,7393 | ![]() | 6740 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM052 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM052NB03CRTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 30 V | 17A (TA), 90A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,2MOHM @ 17A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2294 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | Uf1dhb0g | - | ![]() | 9853 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Uf1d | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF16H45 C0G | - | ![]() | 9139 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | MBRF16 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 630 MV @ 16 A | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | SFAS806G | - | ![]() | 8135 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SFAS806 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
ES1HR3G | - | ![]() | 1182 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | ES1H | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 500 V | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 16pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | MBR3035PTHC0G | - | ![]() | 7072 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | MBR3035 | Schottky | À 247ad (to-3p) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 35 V | 30A | 820 MV @ 30 A | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
Tapis hs1ml | - | ![]() | 5139 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | HS1M | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
S1mlwh | 0,3900 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123W | S1ml | Standard | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 1 A | 1 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
HS1BL MQG | - | ![]() | 6110 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | HS1B | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | SR2050HC0G | - | ![]() | 9036 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | SR2050 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 50 V | 20A | 700 mV @ 10 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
ES2AA R3G | - | ![]() | 2249 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | ES2A | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 25pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4004G A0G | - | ![]() | 5632 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4004 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
Ss115lhmhg | - | ![]() | 5686 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS115 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 900 mV @ 1 a | 50 µA à 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
Rsfmlhrqg | - | ![]() | 4324 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rsfml | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
S1GLH | 0,0705 | ![]() | 9695 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | Support de surface | DO-219AB | S1G | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | S5KB | 0.1414 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | S5K | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4v, 1mhz |
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