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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | 2M150Z | 0,1565 | ![]() | 3656 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 2m150 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 500 | 500 na @ 114 V | 150 V | 575 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1pgsmb5938h | 0.1798 | ![]() | 6746 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 µA @ 27,4 V | 36 V | 38 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LL5819 L0G | 0.1631 | ![]() | 8165 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AB, MELF | LL5819 | Schottky | Melf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-ll5819l0gtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 600 mV @ 1 a | 500 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c27phrug | 0 2933 | ![]() | 8368 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 7,03% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20 V | 27 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF808GHC0G | - | ![]() | 2174 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | SF808 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
Rs1ml | 0 4700 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1m | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
SK210A | 0,0783 | ![]() | 4342 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | SK210 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 MV @ 2 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS310 R7G | - | ![]() | 9030 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | SS310 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 3 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS85 L0G | - | ![]() | 9786 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Schottky | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 800 mV à 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125 ° C (max) | 200m | 10pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5926 R5G | - | ![]() | 9256 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1smb5926 | 3 W | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 8,4 V | 11 V | 5,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5820 A0G | - | ![]() | 5849 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | 1N5820 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 475 MV @ 3 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | 200pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF3080CTHC0G | - | ![]() | 9190 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MBRF3080 | Schottky | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 30A | 940 MV @ 30 A | 200 µA @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR510 A0G | 0,9000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban de Coupé (CT) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | SR510 | Schottky | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 5 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
Ss16lhm2g | - | ![]() | 6434 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS16 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 1 a | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c18pwh | 0,5400 | ![]() | 45 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 13 V | 18 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG1007GH | 0,5754 | ![]() | 8185 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | UG1007 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 500 V | 10A | 1,7 V @ 5 A | 30 ns | 10 µA à 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
BZD27C18P RVG | 0,3900 | ![]() | 612 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 13 V | 17,95 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
Hsdlw | 0,0907 | ![]() | 9291 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123W | Standard | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-hsdlwtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 800 MA | 50 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 17pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sk52ch | - | ![]() | 3878 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-sk52chtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 mV @ 5 a | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PE2DB | 0 4600 | ![]() | 6884 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Standard | DO-214AA (SMB) | - | 1 (illimité) | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 900 mV @ 2 A | 20 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 30pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP1601 C0G | - | ![]() | 3072 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | GP1601 | Standard | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 50 V | 16A | 1.1 V @ 8 A | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LL4001G L0 | - | ![]() | 7248 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-213AB, MELF | LL4001 | Standard | Melf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | LL4001GL0 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF1K A0G | - | ![]() | 7209 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Uf1k | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK55C V6G | - | ![]() | 1186 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | SK55 | Schottky | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 750 mV @ 5 a | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
Ss15lhmqg | - | ![]() | 7036 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS15 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV @ 1 a | 400 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC849CW RFG | 0,0368 | ![]() | 9069 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BC849 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK110BH | 0,4300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | SK110 | Schottky | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 1 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM70N600CP ROG | 5.1100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 700 V | 8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250µA | 12.6 NC @ 10 V | ± 30V | 743 PF @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||
Rs1glhrvg | - | ![]() | 9234 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1g | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1T4G A0G | - | ![]() | 7666 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | 1T4G | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz |
Volume de RFQ moyen quotidien
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