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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | S1blh | 0,0705 | ![]() | 8287 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123 | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-S1BLHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB900CH | 1.2444 | ![]() | 9004 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TSM60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM60NB900CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 000 | Canal n | 600 V | 4A (TC) | 10V | 900MOHM @ 1.2A, 10V | 4V @ 250µA | 9.6 NC @ 10 V | ± 30V | 315 PF @ 100 V | - | 36.8W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S1MBHR5G | 0.1492 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | S1MB S1MB | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 1 A | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
Rs1dl rqg | - | ![]() | 3854 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | Rs1d | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF530 C0G | - | ![]() | 2454 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SRAF530 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 mV @ 5 a | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2045CT-Y | 0,4737 | ![]() | 1680 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | MBR2045 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBR2045CT-Y | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 20A | 700 mV @ 20 A | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C3V0 L1G | - | ![]() | 9229 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55c | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 10 mA | 4 µA @ 1 V | 3 V | 85 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3B R7G | - | ![]() | 6123 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | HS3B | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hs3d | 0.2021 | ![]() | 3199 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Hs3d | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRA20150HC0G | - | ![]() | 3826 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | SRA20150 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 1.02 V @ 20 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S5B R7 | - | ![]() | 1527 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-S5BR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,15 V @ 5 A | 1,5 µs | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG06ch | 0.1016 | ![]() | 9207 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | T-18, axial | UG06 | Standard | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV à 600 mA | 15 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 600mA | 9pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzs36b | 0,0416 | ![]() | 4454 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | Udzs36 | 200 MW | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-udzs36btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 45 na @ 27 V | 36 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ESH3B | 0,2139 | ![]() | 4220 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | ESH3 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 20 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 45pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF1690HC0G | - | ![]() | 7237 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | MBRF1690 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 MV @ 16 A | 300 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S8JC R7G | 0,6400 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S8JC | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 985 MV @ 8 A | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 48pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C200P RFG | - | ![]() | 8619 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA à 150 V | 200 V | 750 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR003 B0G | - | ![]() | 4634 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SR003 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 MV à 500 mA | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 110pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs3Mb-T | 0 4700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | Rs3 | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 3 A | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR005 R0G | - | ![]() | 2638 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SR005 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 700 mV à 500 mA | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-25 | 0,0441 | ![]() | 3215 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | BC337 | 625 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BC337-25TB | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 000 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR107G R1G | - | ![]() | 9003 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | FR107 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS85-L0 L1G | - | ![]() | 1901 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Schottky | Mini-MF | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BAS85-L0L1G | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 500 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 800 mV à 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125 ° C (max) | 200m | 10pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS20P04GH | - | ![]() | 4675 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | Ts20p04 | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 400 V | 20 a | Monophasé | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR16100CT C0 | - | ![]() | 8079 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Acheter la Dernière | MBR1610 | - | 1801-MBR16100CTC0 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3HB R5G | 1.0300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | ES3H | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 500 V | 1 45 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA à 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 34pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
SS310L MTG | - | ![]() | 6668 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS310 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 3 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzv55b4v7 | 0,0504 | ![]() | 5861 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzv55b4v7tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 100 mA | 500 na @ 1 V | 4.7 V | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
1SMA4750H | 0,0995 | ![]() | 2471 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA4750 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1 µA @ 20,6 V | 27 V | 35 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mur360s m6g | - | ![]() | 7543 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Mur360 | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,25 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - |
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