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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | BAT42 R0 | - | ![]() | 8002 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bat42 | Schottky | Do-35 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BAT42R0 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200m | 7pf @ 1v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM3404CX RFG | - | ![]() | 5251 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 5.8A (TA) | 4,5 V, 10V | 30 mohm @ 5.8a, 10v | 3V à 250µA | 13,8 NC @ 10 V | ± 20V | 400,96 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV103 L0G | 0,0357 | ![]() | 9388 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BAV103 | Standard | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 250 V | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200m | 4pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS1007G MNG | - | ![]() | 8680 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SFS1007 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 500 V | 1,7 V @ 5 A | 35 ns | 1 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mur160shr5g | - | ![]() | 7545 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | MUR160 | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF1MHB0G | - | ![]() | 1334 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Uf1m | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c39p rhg | - | ![]() | 9150 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1pgsmb5954hr5g | - | ![]() | 9086 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AA, SMB | 1pgsmb5954 | 3 W | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 121,6 V | 160 V | 700 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
Ss19lhrtg | - | ![]() | 8523 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS19 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 800 mV @ 1 a | 50 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4738A L0G | 0,0830 | ![]() | 3884 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AB, MELF | ZM4738 | 1 W | Melf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
ES1G | 0,0932 | ![]() | 6934 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | ES1G | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 18pf @ 1v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC338-16-B0 B1 | - | ![]() | 4046 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92 | - | Atteindre non affecté | 1801-BC338-16-B0B1 | OBSOLÈTE | 1 | 25 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4757A A0G | - | ![]() | 4523 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4757 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 5 µA @ 38,8 V | 51 V | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzy55c3v6 ryg | 0,0350 | ![]() | 3210 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 0805 (Métrique 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 2 µA @ 1 V | 3,6 V | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sraf890hc0g | - | ![]() | 5829 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SRAF890 | Schottky | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 90 V | 850 MV @ 8 A | 500 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sra1020hc0g | - | ![]() | 6930 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | SRA1020 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 550 mV @ 10 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4761A A0G | - | ![]() | 5074 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4761 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 5 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
Rs2bahm2g | - | ![]() | 5082 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AC, SMA | Rs2b | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 1,5 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 50pf @ 4v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS2060CT-Y MNG | - | ![]() | 5036 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS2060 | Schottky | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 20A | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c47pwh | 0,1191 | ![]() | 5907 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 36 V | 47 V | 45 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c30pw | 0,5000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 22 V | 30 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
RSFKL | 0,0725 | ![]() | 7569 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | Support de surface | DO-219AB | RSFKL | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C130P RFG | - | ![]() | 2405 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 6 41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 100 V | 132,5 V | 300 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tsm250nb06ldcr | 1.1455 | ![]() | 5937 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM250 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W (TA), 48W (TC) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM250NB06LDCRTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | 2 Canaux N (double) | 60V | 6A (TA), 29A (TC) | 25MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 23nc @ 10v | 1314pf @ 30v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSS54L-F0 RWG | - | ![]() | 1647 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | Support de surface | 1005 (2512 MÉTrique) | Schottky | 1005 | - | 1801-TSS54L-F0RWG | OBSOLÈTE | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200m | 10pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LL4448 | 0,0263 | ![]() | 6899 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Standard | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-ll4448tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 2 500 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 75 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150m | 4pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
Ss16lhmhg | - | ![]() | 2300 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS16 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 700 mV @ 1 a | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585B13 RKG | - | ![]() | 3725 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | Bzx585b1 | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 90 na @ 8 V | 13 V | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c11p m2g | - | ![]() | 1755 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5 45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1,2 V @ 200 mA | 4 µA @ 8,2 V | 11 V | 7 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UGF2004GHC0G | - | ![]() | 4763 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | UGF2004 | Standard | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 20A | 950 MV @ 10 A | 20 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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