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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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BZD17C27P RVG | 0,2625 | ![]() | 3070 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 7,03% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20 V | 27 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzv55b3v6 | 0,0357 | ![]() | 4368 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzv55b3v6tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 100 mA | 2 µA @ 1 V | 3,6 V | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C43 | 0,0333 | ![]() | 8111 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55c | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzv55c43tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 32 V | 43 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UF4006ha0g | - | ![]() | 5426 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | UF4006 | Standard | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAW56 | 0,0342 | ![]() | 5425 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAW56 | Standard | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BAW56TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 9 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 70 V | 200m | 1,25 V @ 150 Ma | 6 ns | 2,5 µA à 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | SRT110 A1G | - | ![]() | 8532 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | T-18, axial | SRT110 | Schottky | TS-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 800 mV @ 1 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | PE2DBH | 0,4200 | ![]() | 1915 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AA, SMB | PE2D | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 900 mV @ 2 A | 20 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 30pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRAD15150H | 1.0200 | ![]() | 2868 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MBRAD15150 | Schottky | Thindpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 4 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 15 A | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 291pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS1045CT | 0,5559 | ![]() | 1505 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS1045 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS1045CTTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 10A | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C56 L1G | - | ![]() | 9787 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzt55 | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 42 V | 56 V | 135 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5228B | 0,0271 | ![]() | 2788 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5228 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-1N5228BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3,9 V | 23 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FR305GH | 0.1881 | ![]() | 3907 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-FR305HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 750 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
Bzt52b24-g | 0,0461 | ![]() | 5852 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BZT52B24-GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 16,8 V | 24 V | 70 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB600CP | 1.6363 | ![]() | 2157 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM60NB600CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10v | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 516 PF @ 100 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||
Ss210fsh | 0.1035 | ![]() | 5837 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | SS210 | Schottky | SOD-128 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SS210FSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 MV @ 2 A | 10 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 61pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B6V2 L1G | 0,0509 | ![]() | 4404 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini-MF | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||
ESH2DFSH | 0,4100 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | Standard | SOD-128 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 960 MV @ 2 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 27pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TST30H150CW | 2.8500 | ![]() | 346 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | TST30 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 900 mV @ 15 a | 150 µA à 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | S5M R6 | - | ![]() | 1647 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-S5MR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,15 V @ 5 A | 1,5 µs | 10 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS315 R7 | - | ![]() | 7096 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-SS315R7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx79c5v1 | 0,0287 | ![]() | 3819 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx79 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-bzx79c5v1tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 20 000 | 1,5 V @ 100 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HER605G | 0,5136 | ![]() | 1162 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | R-6, axial | HER605 | Standard | R-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 6 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 80pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SR10100H | 0 5037 | ![]() | 2038 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | SR10100 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-SR10100H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 10A | 850 mV @ 5 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | BAT201M3 RRG | 0,0434 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-90, SOD-323F | BAT201 | Schottky | SOD-323F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-BAT201M3RRGTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 290 mV @ 10 mA | 50 µA @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 29pf @ 5v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Tszu52c12 | 0,0669 | ![]() | 7654 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | 0603 (1608 MÉTrique) | Tszu52 | 150 MW | 0603 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSZU52C12TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 20 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 9 V | 12 V | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||
Rs2gfsh | 0,0690 | ![]() | 3267 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | Standard | SOD-128 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-RS2GFSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 28 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 11pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55B30 A0G | - | ![]() | 2199 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 22 V | 30 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||
GBPC5002M T0G | - | ![]() | 8343 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Plateau | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Carrés, GBPC40-M | GBPC5002 | Standard | GBPC40-M | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA à 100 V | 50 a | Monophasé | 200 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS15150CTH | 0 7674 | ![]() | 9551 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MBRS15150 | Schottky | À-263ab (d2pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-MBRS15150CTHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 600 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 15A | 950 MV à 7,5 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55B6V2 A0G | - | ![]() | 4452 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Bzx55 | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohms |
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