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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | KBP204G C2 | - | ![]() | 3389 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBP | Standard | Kbp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1,2 V @ 2 A | 10 µA @ 400 V | 2 A | Monophasé | 400 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP205G C2G | - | ![]() | 8986 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBP | Standard | Kbp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1,2 V @ 2 A | 10 µA @ 600 V | 2 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP207G C2G | - | ![]() | 9220 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBP | Standard | Kbp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1,2 V @ 2 A | 10 µA à 1000 V | 2 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP302G C2 | - | ![]() | 6317 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBP | Standard | Kbp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1.1 V @ 3 A | 10 µA à 100 V | 3 A | Monophasé | 100 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP305G C2 | - | ![]() | 1720 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBP | Standard | Kbp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1.1 V @ 3 A | 10 µA @ 600 V | 3 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP306G C2 | - | ![]() | 8310 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBP | Standard | Kbp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1.1 V @ 3 A | 10 µA @ 800 V | 3 A | Monophasé | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP306G C2G | - | ![]() | 4010 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBP | Standard | Kbp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1.1 V @ 3 A | 10 µA @ 800 V | 3 A | Monophasé | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP307G C2G | - | ![]() | 2183 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBP | Standard | Kbp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1.1 V @ 3 A | 10 µA à 1000 V | 3 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPF207G B0G | - | ![]() | 8939 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbpf | Standard | Kbpf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | KBPF207GB0G | EAR99 | 8541.10.0080 | 720 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA à 1000 V | 2 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPF304G B0G | - | ![]() | 4589 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbpf | Standard | Kbpf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | KBPF304GB0G | EAR99 | 8541.10.0080 | 720 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 400 V | 3 A | Monophasé | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPF306G B0G | - | ![]() | 2956 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbpf | Standard | Kbpf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | KBPF306GB0G | EAR99 | 8541.10.0080 | 720 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 800 V | 3 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPF307G B0G | - | ![]() | 8748 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbpf | Standard | Kbpf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | KBPF307GB0G | EAR99 | 8541.10.0080 | 720 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA à 1000 V | 3 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPF407G B0G | - | ![]() | 8945 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbpf | Standard | Kbpf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | KBPF407GB0G | EAR99 | 8541.10.0080 | 720 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA à 1000 V | 4 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS15P07G-K C2G | - | ![]() | 4347 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | TS15P07G-KC2G | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA à 1000 V | 15 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS15P07G-K D2G | - | ![]() | 9225 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | TS15P07G-KD2G | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA à 1000 V | 15 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS25P06G-K C2G | - | ![]() | 9339 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | TS25P06G-KC2G | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 800 V | 25 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS25P07G-K C2G | - | ![]() | 5529 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | Standard | TS-6P | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | TS25P07G-KC2G | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA à 1000 V | 25 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT43 R0G | - | ![]() | 1973 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Schottky | Do-35 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | BAT43R0G | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 1 V @ 200 mA | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200m | 7pf @ 1v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM4ND60CI C0G | - | ![]() | 5832 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSM4ND60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 4A (TC) | 10V | 2,2 ohm @ 1,4a, 10v | 3,8 V @ 250µA | 17.2 NC @ 10 V | ± 30V | 582 pf @ 50 V | - | 41.6W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TS10K40-A | 0,9300 | ![]() | 149 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, ts4k | TS10K40 | Standard | Ts4k | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 5 A | 10 µA @ 400 V | 10 a | Monophasé | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSC873CT B0G | - | ![]() | 5899 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 1 W | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Tsc873ctb0g | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | 400 V | 1 a | 1 mA | NPN | 1V @ 250mA, 1A | 80 @ 250mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS4K80-A | 0,8100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, ts4k | TS4K80 | Standard | Ts4k | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 10 µA @ 800 V | 4 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hs1jfl | 0,4100 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | Sod-123f | HS1J | Standard | Sod-123f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS10K60-A | 1.8400 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, ts4k | TS10K60 | Standard | Ts4k | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 5 A | 10 µA @ 600 V | 10 a | Monophasé | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||
TSDGLW RVG | 0 4600 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-123W | Tsdglw | Standard | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | YBS3007G | 0,8800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 mm, plombes plombes | YBS3007 | Standard | YBS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA à 1000 V | 3 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tsd3ghv7g | 1.7300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | TSD3GH | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 45pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||
Bzd27c100pwh | 0,5400 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU602G T0G | - | ![]() | 3350 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Plateau | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | KBU602GT0G | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 100 V | 6 A | Monophasé | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU605G T0G | - | ![]() | 7926 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Plateau | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | KBU605GT0G | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 600 V | 6 A | Monophasé | 600 V |
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