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Produits semi-conduurs discrètes (15635)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Tension - en Avant (vf) (max) @ si Courant - FUITE INVERSEE @ VR Current - Rectifié Moyen (IO) Type de diode Tension - Pic inverse (max) Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT)
KBP155G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP155G C2G -
RFQ
 ECAD 1407 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, KBP Standard Kbp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 000 1,1 V @ 1,5 A 10 µA @ 600 V 1,5 A Monophasé 600 V
KBPF304G B0G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF304G B0G -
RFQ
 ECAD 4589 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbpf Standard Kbpf télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBPF304GB0G EAR99 8541.10.0080 720 1.1 V @ 3 A 5 µA @ 400 V 3 A Monophasé 400 V
TS25P06G-K C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P06G-K C2G -
RFQ
 ECAD 9339 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-6P Standard TS-6P télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté TS25P06G-KC2G EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 800 V 25 A Monophasé 800 V
TS10K40-A Taiwan Semiconductor Corporation TS10K40-A 0,9300
RFQ
 ECAD 149 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, ts4k TS10K40 Standard Ts4k télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 20 1 V @ 5 A 10 µA @ 400 V 10 a Monophasé 400 V
TS4K80-A Taiwan Semiconductor Corporation TS4K80-A 0,8100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, ts4k TS4K80 Standard Ts4k télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 A 10 µA @ 800 V 4 A Monophasé 800 V
KBU802G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU802G T0G -
RFQ
 ECAD 6063 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu Standard Kbu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBU802GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 100 V 8 A Monophasé 100 V
KBU807G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU807G T0G -
RFQ
 ECAD 6822 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu Standard Kbu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBU807GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 A 5 µA à 1000 V 8 A Monophasé 1 kv
KBL403G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBL403G T0 -
RFQ
 ECAD 8658 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbl KBL403 Standard Kbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBL403GT0 EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 200 V 4 A Monophasé 200 V
KBL601G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBL601G T0 -
RFQ
 ECAD 1451 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbl KBL601 Standard Kbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBL601GT0 EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 50 V 6 A Monophasé 50 V
KBL602G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBL602G T0 -
RFQ
 ECAD 3627 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbl KBL602 Standard Kbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBL602GT0 EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 10 µA à 100 V 6 A Monophasé 100 V
KBL603G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBL603G T0 -
RFQ
 ECAD 3516 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbl KBL603 Standard Kbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBL603GT0 EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 200 V 6 A Monophasé 200 V
KBU1004G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1004G 1.9362
RFQ
 ECAD 8346 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu KBU1004 Standard Kbu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 400 V 10 a Monophasé 400 V
KBU405G Taiwan Semiconductor Corporation KBU405G 1.7816
RFQ
 ECAD 2946 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu KBU405 Standard Kbu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V 4 A Monophasé 600 V
KBU407G Taiwan Semiconductor Corporation KBU407G 1.7816
RFQ
 ECAD 6998 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu KBU407 Standard Kbu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA à 1000 V 4 A Monophasé 1 kv
KBU603G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBU603G T0 -
RFQ
 ECAD 1466 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Abandonné à sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu KBU603 Standard Kbu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBU603GT0 EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 200 V 6 A Monophasé 200 V
KBU604G Taiwan Semiconductor Corporation KBU604G 1.7406
RFQ
 ECAD 6289 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu KBU604 Standard Kbu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 400 V 6 A Monophasé 400 V
KBU607G Taiwan Semiconductor Corporation KBU607G 2.7800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu KBU607 Standard Kbu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA à 1000 V 6 A Monophasé 1 kv
KBU806G Taiwan Semiconductor Corporation KBU806G 1.8801
RFQ
 ECAD 9225 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu KBU806 Standard Kbu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 800 V 8 A Monophasé 800 V
KBL404G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL404G T0G -
RFQ
 ECAD 1143 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbl Standard Kbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBL404GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 400 V 4 A Monophasé 400 V
KBL406G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL406G T0G -
RFQ
 ECAD 6203 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbl Standard Kbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBL406GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 800 V 4 A Monophasé 800 V
KBL601G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL601G T0G -
RFQ
 ECAD 2522 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbl Standard Kbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBL601GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 50 V 6 A Monophasé 50 V
KBL602G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL602G T0G -
RFQ
 ECAD 4342 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbl Standard Kbl télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBL602GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 10 µA à 100 V 6 A Monophasé 100 V
KBU1001G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1001G T0G -
RFQ
 ECAD 6979 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu Standard Kbu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBU1001GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 50 V 10 a Monophasé 50 V
KBU1004G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1004G T0G -
RFQ
 ECAD 8389 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu Standard Kbu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBU1004GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 µA @ 400 V 10 a Monophasé 400 V
KBU402G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBU402G T0G -
RFQ
 ECAD 5486 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Plateau Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu Standard Kbu télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté KBU402GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 100 V 4 A Monophasé 100 V
YBS2206G Taiwan Semiconductor Corporation Ybs2206g 0,9300
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 mm, plombes plombes Ybs2206 Standard YBS télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 3 000 970 MV @ 2,2 A 5 µA @ 800 V 2.2 A Monophasé 800 V
MTZJ39SE R0G Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj39se r0g 0,0305
RFQ
 ECAD 5246 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AG, DO-34, axial Mtzj39 500 MW Do-34 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 10 000 200 na @ 30 V 38,33 V 85 ohms
BZT55C15 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C15 L1G -
RFQ
 ECAD 2530 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Bzt55 500 MW Mini-MF télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 2 500 1 V @ 10 mA 100 na @ 11 V 15 V 30 ohms
TS10P01G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P01G C2G -
RFQ
 ECAD 7118 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-6P Ts10p01 Standard TS-6P télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 µA @ 50 V 10 a Monophasé 50 V
TS10P01GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P01GHC2G -
RFQ
 ECAD 8478 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, TS-6P Ts10p01 Standard TS-6P télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 µA @ 50 V 10 a Monophasé 50 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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