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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
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![]() | SFS1607G MNG | - | ![]() | 4748 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SFS1607 | Standard | À 263ab (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 500 V | 1,7 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA à 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
Ss14lhm2g | - | ![]() | 4943 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS14 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 550 mV @ 1 a | 400 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S4J R7G | 0,5100 | ![]() | 79 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S4J | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,15 V @ 4 A | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF504G | 1.5200 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | SFAF504 | Standard | ITO-220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 975 MV @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 70pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4750AHR1G | - | ![]() | 5077 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4750 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 20,6 V | 27 V | 35 ohms | |||||||||||||||||||||||||
HS1DL RHG | - | ![]() | 2431 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | HS1D | Standard | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4761A | 0.1118 | ![]() | 5919 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4761 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 5 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Es3dbhm4g | - | ![]() | 8803 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AA, SMB | ES3D | Standard | DO-214AA (SMB) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 46pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SF38G B0G | - | ![]() | 6544 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Abandonné à sic | Par le trou | DO-201D, axial | SF38 | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C18 RFG | 0,3400 | ![]() | 9660 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 12,6 V | 18 V | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S3A R7G | - | ![]() | 4760 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | S3A | Standard | DO-214AB (SMC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | RS3D M6 | - | ![]() | 1895 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-RS3dm6tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1035CTHC0G | - | ![]() | 9385 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 | MBR1035 | Schottky | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 35 V | 10A | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
SK33A | 0,1053 | ![]() | 2636 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | SK33 | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 7 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 550 mV @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||
Rs1kfsh | 0,0603 | ![]() | 9891 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SOD-128 | Rs1k | Standard | SOD-128 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | FR102G | - | ![]() | 7380 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-204AL (DO-41) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-FR102GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | HS1DALH | 0.1008 | ![]() | 2782 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-221AC, SMA PLATS À PLAT | Standard | Sma hachce | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-HS1DALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55C15 RXG | 0,0340 | ![]() | 3962 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 1206 (3216 MÉTrique) | BZS55 | 500 MW | 1206 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 10 mA | 100 na @ 11 V | 15 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM055N03PQ56 | 0,7033 | ![]() | 5653 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM055 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PDFN (5x5,8) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM055N03PQ56TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 30 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 20a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 11.1 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1160 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||
1SMA5937H | 0,0995 | ![]() | 6598 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA5937 | 1,5 w | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 500 na @ 25,1 V | 33 V | 33 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR110 R1G | - | ![]() | 1583 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | SR110 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 850 mV @ 1 a | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||
1SMA4745H | 0,0995 | ![]() | 8043 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1SMA4745 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 500 | 1 µA @ 12,2 V | 16 V | 16 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM2N7002KCX RFG | - | ![]() | 7633 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2N7002 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 300mA (TA) | 4,5 V, 10V | 2OHM @ 300mA, 10V | 2,5 V @ 250µA | 0,4 NC @ 4,5 V | ± 20V | 30 pf @ 25 V | - | 300mw (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | MBR7100 C0G | - | ![]() | 1766 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-2 | MBR7100 | Schottky | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 920 MV @ 7,5 A | 100 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | |||||||||||||||||||||||
TSM052NB03CR RLG | 0,8200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM052 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 17A (TA), 90A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,2MOHM @ 17A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2294 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FR155G | 0,0795 | ![]() | 4372 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | FR155 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1,5 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SF27G A0G | - | ![]() | 7199 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | SF27 | Standard | DO-204AC (DO-15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 500 V | 1,7 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 20pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||
![]() | KBP307G C2G | - | ![]() | 2183 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBP | Standard | Kbp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | 1.1 V @ 3 A | 10 µA à 1000 V | 3 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||
SS13L RQG | - | ![]() | 6504 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-219AB | SS13 | Schottky | Sous-sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 500 mV @ 1 a | 400 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||
YBS2205G | 0.4230 | ![]() | 7614 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4 mm, plombes plombes | Ybs2205 | Standard | YBS | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | 970 MV @ 2,2 A | 5 µA @ 600 V | 2.2 A | Monophasé | 600 V |
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