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Produits semi-conduurs discrètes (15635)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f
Heraf802G C0G	-	RFQ	9184	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	Par le trou	À 220-2 EXCHET	Héraf802	Standard	ITO-220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		100 V		1 V @ 8 A	50 ns	10 µA à 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	80pf @ 4v, 1mhz
Héraf806G C0G	-	RFQ	6567	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Abandonné à sic	Par le trou	À 220-2 EXCHET	Héraf806	Standard	ITO-220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		600 V		1,7 V @ 8 A	80 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	60pf @ 4V, 1MHz
HERF1002G C0G	-	RFQ	3300	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	HERF1002	Standard	ITO-220AB	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	100 V	10A	1 V @ 10 A	50 ns	10 µA à 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
HERF1006G	-	RFQ	1759	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Abandonné à sic	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	HERF1006	Standard	ITO-220AB	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	600 V	10A	1,7 V @ 10 A	80 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
HERF1603G C0G	-	RFQ	9238	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	HERF1603	Standard	ITO-220AB	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	200 V	16A	1 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
HERF1604G	0,7206	RFQ	9363	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	HERF1604	Standard	ITO-220AB	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	300 V	16A	1 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR10100CT	-	RFQ	8408	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Abandonné à sic	Par le trou	À 220-3	MBR1010	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	100 V	10A	950 MV @ 10 A		100 µA à 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR10200CT	0,5302	RFQ	9686	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	Par le trou	À 220-3	MBR1020	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	200 V	10A	980 MV @ 10 A		100 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR10200HC0G	-	RFQ	9257	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif	Par le trou	À 220-2	MBR1020	Standard	À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		200 V		1.05 V @ 10 A		100 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MBR1035 C0G	-	RFQ	7269	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	Par le trou	À 220-2	MBR1035	Standard	À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		35 V		700 mV @ 10 a		100 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MBR1035CTHC0G	-	RFQ	9385	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif	Par le trou	À 220-3	MBR1035	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	35 V	10A	800 mV @ 10 a		100 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR1035HC0G	-	RFQ	2310	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif	Par le trou	À 220-2	MBR1035	Standard	À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		35 V		700 mV @ 10 a		100 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MBR1045HC0G	-	RFQ	3939	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Abandonné à sic	Par le trou	À 220-2	MBR104	Standard	À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		45 V		700 mV @ 10 a		100 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MBR1050 C0G	-	RFQ	1627	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	Par le trou	À 220-2	MBR1050	Standard	À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)		50 V		800 mV @ 10 a		100 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MBR1060HC0G	-	RFQ	4970	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif	Par le trou	À 220-2	MBR106	Schottky	À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		60 V		800 mV @ 10 a		100 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
MBR1560CT	-	RFQ	1291	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Abandonné à sic	Par le trou	À 220-3	MBR1560	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	60 V	15A	750 MV @ 7,5 A		300 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR16100 C0G	-	RFQ	6583	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Abandonné à sic	Par le trou	À 220-2	MBR1610	Schottky	À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		100 V		850 MV @ 16 A		300 µA à 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
MBR1650HC0G	-	RFQ	1334	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Abandonné à sic	Par le trou	À 220-2	MBR1650	Schottky	À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		50 V		750 MV @ 16 A		500 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
MBR1690 C0G	-	RFQ	9429	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Abandonné à sic	Par le trou	À 220-2	MBR1690	Schottky	À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)		90 V		850 MV @ 16 A		300 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
MBR20200CTH	0 7673	RFQ	4500	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif	Par le trou	À 220-3	MBR20200	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	200 V	20A	1,23 V @ 20 A		100 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2035CTHC0G	-	RFQ	6815	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif	Par le trou	À 220-3	MBR2035	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	35 V	20A	840 MV @ 20 A		100 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2050CTHC0G	-	RFQ	5129	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif	Par le trou	À 220-3	MBR2050	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	50 V	20A	950 MV @ 20 A		100 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2060CT	0,5920	RFQ	2689	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	Par le trou	À 220-3	MBR2060	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	60 V	20A	950 MV @ 20 A		100 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2060PT	1.4413	RFQ	9160	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	Par le trou	À 247-3	MBR2060	Schottky	À 247ad (to-3p)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	60 V	20A	950 MV @ 20 A		100 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2090CT C0G	-	RFQ	9217	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	Par le trou	À 220-3	MBR2090	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	90 V	20A	950 MV @ 20 A		100 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2090PTHC0G	-	RFQ	4946	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif	Par le trou	À 247-3	MBR2090	Schottky	À 247ad (to-3p)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	90 V	20A	950 MV @ 20 A		100 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR20H100CT	0,6433	RFQ	7230	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Actif	Par le trou	À 220-3	Mbr20	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	100 V	20A	950 MV @ 20 A		5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
MBR20L100CTHC0G	-	RFQ	3873	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif	Par le trou	À 220-3	Mbr20	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	100 V	20A	850 MV @ 20 A		20 µA à 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR25150CTHC0G	-	RFQ	4571	Taiwan Semiconductor Corporation	Automobile, AEC-Q101	Tube	Actif	Par le trou	À 220-3	MBR25150	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	150 V	25A	1.02 V @ 25 A		100 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR2545CT	-	RFQ	4263	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tube	Abandonné à sic	Par le trou	À 220-3	MBR2545	Schottky	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)	1 paire la commune de cathode	45 V	25A	850 MV @ 25 A		200 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C