SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Vitre Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT)
1N4756AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4756AHA0G -
RFQ
ECAD 2249 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tape & Box (TB) Actif ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1N4756 1 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 5 µA à 35,8 V 47 V 80 ohms
1N4756G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4756G A0G -
RFQ
ECAD 4449 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1N4756 1 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,2 V @ 200 mA 5 µA à 35,8 V 47 V 80 ohms
1N4760AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4760AHA0G -
RFQ
ECAD 5662 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tape & Box (TB) Actif ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1N4760 1 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 5 µA @ 51,7 V 68 V 150 ohms
1N4763AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4763AHA0G -
RFQ
ECAD 5160 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tape & Box (TB) Actif ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1N4763 1 W DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 5 µA à 69,2 V 91 V 250 ohms
1N4933GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933GHA0G -
RFQ
ECAD 4377 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Tape & Box (TB) Actif Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1N4933 Standard DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1,2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4v, 1mhz
1N4934G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4934G A0G -
RFQ
ECAD 3747 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1N4934 Standard DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 1,2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4v, 1mhz
1N4937G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4937G A0G -
RFQ
ECAD 9934 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1N4937 Standard DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4v, 1mhz
1N5225B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5225B A0G -
RFQ
ECAD 5533 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5225 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 50 µA @ 1 V 3 V 29 ohms
1N5234B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5234B A0G -
RFQ
ECAD 7514 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5234 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 5 µA @ 4 V 6.2 V 7 ohms
1N5235B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5235B A0G -
RFQ
ECAD 4930 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5235 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 3 µA @ 5 V 6,8 V 5 ohms
1N5237B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5237B A0G -
RFQ
ECAD 4239 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5237 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 3 µA @ 6,5 V 8.2 V 8 ohms
1N5239B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5239B A0G -
RFQ
ECAD 1035 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5239 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 3 µA @ 7 V 9.1 V 10 ohms
1N5242B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5242B A0G 0,3200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban de Coupé (CT) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5242 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 500 na @ 9 V 12 V 30 ohms
1N5244B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5244B A0G -
RFQ
ECAD 8297 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5244 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 10 V 14 V 15 ohms
1N5249B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5249B A0G -
RFQ
ECAD 2576 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5249 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 14 V 19 V 23 ohms
1N5252B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5252B A0G 0,3200
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban de Coupé (CT) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5252 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 18 V 24 V 33 ohms
1N5257B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5257B A0G -
RFQ
ECAD 3584 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5257 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 25 V 33 V 58 ohms
1N5259B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5259B A0G -
RFQ
ECAD 7147 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5259 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 30 V 39 V 80 ohms
1N5262B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5262B A0G -
RFQ
ECAD 9962 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 5% 100 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5262 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,1 V @ 200 mA 100 na @ 39 V 51 V 125 ohms
1N5817 A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5817 A0G 0,0877
RFQ
ECAD 3591 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1N5817 Schottky DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 20 V 450 mV @ 1 a 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A 55pf @ 4v, 1mhz
1N914B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N914B A0G 0,0266
RFQ
ECAD 3817 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N914 Standard Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 5 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 100 V 720 mV @ 5 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 150m 4pf @ 0v, 1mhz
BA158G A0G Taiwan Semiconductor Corporation BA158G A0G -
RFQ
ECAD 3923 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial BA158 Standard DO-204AL (DO-41) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,2 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4v, 1mhz
BZX79B15 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B15 A0G -
RFQ
ECAD 1243 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 10,5 Ma @ 50 mV 15 V 30 ohms
BZX79B24 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B24 A0G -
RFQ
ECAD 6300 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 16,8 Ma @ 50 mV 24 V 70 ohms
BZX79B33 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B33 A0G -
RFQ
ECAD 5066 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 23.1 Ma @ 50 mV 33 V 80 ohms
BZX79B3V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79b3v3 a0g -
RFQ
ECAD 8794 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 1 ma @ 25 V 3,3 V 95 ohms
BZX79B3V6 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79b3v6 a0g -
RFQ
ECAD 5537 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 1 ma @ 15 V 3,6 V 90 ohms
BZX79B4V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79b4v3 a0g -
RFQ
ECAD 9617 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 1 ma @ 5 V 4.3 V 90 ohms
BZX79B6V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79b6v2 a0g -
RFQ
ECAD 8413 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 4 Ma @ 3 V 6.2 V 10 ohms
BZX79B75 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B75 A0G -
RFQ
ECAD 9943 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79 500 MW Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 5 000 1,5 V @ 100 mA 52,5 ma @ 50 mV 75 V 255 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock