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Produits semi-conduurs discrètes (2909)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE, LF (CT 0,2500
RFQ
 ECAD 2649 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4991 100 MW ES6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz, 200 MHz 10 kohms -
RN1116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 170 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN116 100 MW SSM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 4,7 kohms 10 kohms
RN2104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2104 100 MW SSM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2105 100 MW SSM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2,2 kohms 47 kohms
RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2106 100 MW SSM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 47 kohms
RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2109 100 MW SSM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 22 kohms
RN2418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 7742 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2418 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 10 kohms
RN2425(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2425 (TE85L, F) 0,4000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2425 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 800 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 250 MV @ 1MA, 50MA 90 @ 100mA, 1v 200 MHz 10 kohms
2SA1362-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1362-GR, LF 0,4000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1362 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 15 V 800 mA 100NA (ICBO) Pnp 200 MV @ 8MA, 400mA 200 @ 100mA, 1v 120 MHz
2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFVGR, L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-723 2SA2154 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80 MHz
2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFV-Y, L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-723 2SC6026 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 60 MHz
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100, LF 0,5300
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, plombes plombes 2SC6100 500 MW Ufm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 2.5 A 100NA (ICBO) NPN 140mV @ 20mA, 1A 400 @ 300mA, 2V -
SSM3K127TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K127TU, LF 0,3700
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 3 mm, plombes plombes SSM3K127 MOSFET (Oxyde Métallique) Ufm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 2a (ta) 1,8 V, 4V 123MOHM @ 1A, 4V 1v @ 1MA 1,5 NC @ 4 V ± 12V 123 PF @ 15 V - 500mw (TA)
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P40TU, LF 0,4800
RFQ
 ECAD 3853 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 6 mm, plombes plombes Ssm6p40 MOSFET (Oxyde Métallique) 500mw (TA) Uf6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canal P (double) 30V 1.4A (TA) 226MOHM @ 1A, 10V 2v @ 1MA 2.9NC @ 10V 120pf @ 15v Porte de Niveau Logique, Leilleur 4V
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 6 mm, plombes plombes SSM6P54 MOSFET (Oxyde Métallique) 500mw (TA) Uf6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 1.2A (TA) 228MOHM @ 600mA, 2,5 V 1v @ 1MA 7.7nc @ 4v 331pf @ 10v Porte de Niveau Logique, Lecenteur de 1,5 V
1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS372 (TE85L, F) 0,3700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 1SS372 Schottky USM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 10 V 500 mV à 100 mA 20 µA @ 10 V 125 ° C (max) 100 mA 20pf @ 0v, 1mhz
1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385, LF (CT 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 1SS385 Schottky SSM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 10 V 500 mV à 100 mA 20 µA @ 10 V 125 ° C (max) 100 mA 20pf @ 0v, 1mhz
1SS422(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS422 (TE85L, F) 0,4000
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 1SS422 Schottky SSM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse Connexion de la Séririe 1 paire 30 V 100 mA 500 mV à 100 mA 50 µA @ 30 V 125 ° C (max)
HN2D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D02FU, LF 0,4000
RFQ
 ECAD 310 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2D02 Standard US6 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 3 indépendant 80 V 80m 1,2 V @ 100 mA 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (max)
HN4D02JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D02JU (TE85L, F) 0,0721
RFQ
 ECAD 5848 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 HN4D02 Standard USV télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 1 paire la commune de cathode 80 V 100 mA 1,2 V @ 100 mA 1,6 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (max)
TPCC8105,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105, L1Q (CM -
RFQ
 ECAD 1963 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface Pad Exposé 8-VDFN TPCC8105 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.3x3.3) - 1 (illimité) 264-TPCC8105L1Q (CMTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal p 30 V 23A (TA) 4,5 V, 10V 7,8MOHM @ 11,5A, 10V 2V @ 500µA 76 NC @ 10 V + 20V, -25V 3240 PF @ 10 V - 700MW (TA), 30W (TC)
TPCC8136.LQ Toshiba Semiconductor and Storage Tpcc8136.lq -
RFQ
 ECAD 7165 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 8 powervdfn TPCC8136 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.1x3.1) - 1 (illimité) 264-TPCC8136.lqtr EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 9.4A (TA) 1,8 V, 4,5 V 16MOHM @ 9.4A, 4,5 V 1,2 V @ 1MA 36 NC @ 5 V ± 12V 2350 pf @ 10 V - 700MW (TA), 18W (TC)
TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L, LXGQ 2.3200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab TK60F10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 msm (w) - 3 (168 Heures) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 100 V 60a (TA) 6v, 10v 6.11MOHM @ 30A, 10V 3,5 V @ 500µA 60 NC @ 10 V ± 20V 4320 PF @ 10 V - 205W (TC)
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB, L1XHQ 1.8400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8-SOIC (0,197 ", 5,00 mm de grandeur) Xph6r30 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 100 V 45A (TA) 6v, 10v 6,3MOHM @ 22,5A, 10V 3,5 V @ 500µA 52 NC @ 10 V ± 20V 3240 PF @ 10 V - 960mw (TA), 132W (TC)
TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L, LXGQ 3,7000
RFQ
 ECAD 4476 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab TK160F10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 msm (w) - 3 (168 Heures) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 100 V 160a (TA) 6v, 10v 2,4MOHM @ 80A, 10V 3,5 V @ 1MA 122 NC @ 10 V ± 20V 10100 pf @ 10 V - 375W (TC)
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6K516 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 6a (ta) 4,5 V, 10V 46MOHM @ 4A, 10V 2,5 V @ 100µA 2,5 NC @ 4,5 V + 20V, -12V 280 pf @ 15 V - 1.25W (TA)
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K518NU, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6K518 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 6a (ta) 1,5 V, 4,5 V 33MOHM @ 4A, 4,5 V 1v @ 1MA 3,6 NC @ 4,5 V ± 8v 410 PF @ 10 V - 1.25W (TA)
CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S40, H3F 0,4800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 2 mm, plomb plat CUHS15 Schottky US2H télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 510 MV @ 1,5 A 200 µA @ 40 V 150 ° C (max) 1.5a 170pf @ 0v, 1mhz
TRS12N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB, S1Q 4.9600
RFQ
 ECAD 55 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif Par le trou À 247-3 TRS12N65 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247 - 1 (illimité) 264-TRS12N65FBS1Q EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 650 V 6A (DC) 1,6 V @ 6 A 0 ns 30 µA à 650 V 175 ° C
TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB, S1Q 6.0900
RFQ
 ECAD 238 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif Par le trou À 247-3 TRS16N65 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247 - 1 (illimité) 264-TRS16N65FBS1Q EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 650 V 8A (DC) 1,6 V @ 8 A 0 ns 40 µA à 650 V 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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