SIC
close

Produits semi-conduurs discrètes (2909)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Courant - Max Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Type de diode Tension - Pic inverse (max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Résistance @ si, f Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
RN1908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908, LF (CT 0,2800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200 MW US6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50v 100 mA 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 47 kohms
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 7160 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-101, SOT-883 RN2101 100 MW CST3 - 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 V 80 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 150 mV à 500 µA, 5mA 30 @ 10mA, 5V 4,7 kohms 4,7 kohms
TK3A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D (STA4, Q, M) 1.6100
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK3A65 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 3a (ta) 10V 2,25 ohm @ 1,5a, 10v 4.4 V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 35W (TC)
RN2113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2113MFV, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN2113 150 MW Vesm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 120 @ 1MA, 5V 47 kohms
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1705JE (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 769 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-553 RN1705 100 MW ESV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) (couple d'émetteur) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2,2 kohms 47 kohms
TK72A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A12N1, S4X 3.0100
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK72A12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 120 V 72A (TC) 10V 4,5 mohm @ 36a, 10v 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 60 V - 45W (TC)
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8203 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5326 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat TPCP8203 MOSFET (Oxyde Métallique) 360 MW PS-8 (2.9x2.4) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 40V 4.7a - 2,5 V @ 1MA - - -
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110ACT (TPL3) 0,0527
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-101, SOT-883 RN2110 100 MW CST3 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 V 80 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 4,7 kohms
RN1309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN1309 100 MW SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 5mA, 5V 250 MHz 47 kohms 22 kohms
2SC3665-Y,T2NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y, T2NSF (J -
RFQ
 ECAD 3531 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou SC-71 2SC3665 1 W MSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 120 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120 MHz
TK5A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A55D (STA4, Q, M) 1.3900
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK5A55 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 550 V 5A (TA) 10V 1,7 ohm @ 2,5a, 10v 4.4 V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 35W (TC)
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60D (STA4, Q, M) 1.5700
RFQ
 ECAD 3980 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK5A60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 5A (TA) 10V 1 43 ​​ohm @ 2,5a, 10v 4.4 V @ 1MA 16 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 35W (TC)
2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380 (F) -
RFQ
 ECAD 1045 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SJ380 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 100 V 12A (TA) 4V, 10V 210MOHM @ 6A, 10V 2v @ 1MA 48 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 10 V - 35W (TC)
2SA1668 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1668 -
RFQ
 ECAD 4425 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Actif 2SA166 - Rohs conforme 1 (illimité) 2SA1668ts 0000.00.0000 50
RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2902, LF -
RFQ
 ECAD 7224 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
TPCA8016-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8016-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6814 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Digi-reel® Obsolète Support de surface 8 powervdfn TPCA8016 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 25A (TA) 21MOHM @ 13A, 10V 2.3V @ 1mA 22 NC @ 10 V 1375 PF @ 10 V -
CMS30I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I40A (TE12L, QM 0,6100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-128 CMS30 Schottky M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 550 mV @ 3 a 100 µA @ 40 V 150 ° C (max) 3A 62pf @ 10v, 1MHz
TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E, RQ 1.1500
RFQ
 ECAD 4414 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 800 V 3a (ta) 10V 4,9 ohm @ 1,5a, 10v 4V à 300µA 12 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 80W (TC)
CUS05F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05F40, H3F 0,3000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-76, SOD-323 CUS05F40 Schottky USC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 810 MV @ 500 mA 15 µA @ 40 V 150 ° C (max) 500mA 28pf @ 0v, 1mhz
1SS308(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS308 (TE85L, F 0,4300
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-74A, SOT-753 1SS308 Standard SMV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 4 Commune d'anode 80 V 100 mA 1,2 V @ 100 mA 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (max)
2SA1020-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 3483 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA1020 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2504 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 247 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-74A, SOT-753 RN2504 300mw SMV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (Double) (couple Émetteur) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
RN2103(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103 (T5L, F, T) 0,2800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2103 100 MW SSM télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2,2 kohms 47 kohms
JDP2S02AFS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02AFS (TPL3) 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) 2 mm, plomb plat JDP2S02 FSC télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 10 000 50 mA 0,4pf @ 1v, 1MHz Broche - simple 30V 1,5 ohm @ 10mA, 100mhz
RN2104(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104 (T5L, F, T) 0,2800
RFQ
 ECAD 727 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2104 100 MW SSM télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A45D (STA4, Q, M) 1.7100
RFQ
 ECAD 8473 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK9A45 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 450 V 9a (ta) 10V 770MOHM @ 4.5A, 10V 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ± 30V 800 pf @ 25 V - 40W (TC)
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1970 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 4,7 kohms -
2SC2655-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6KEHF (M -
RFQ
 ECAD 1327 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2655 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907FE, LF (CT 0,2700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN1907 100 MW ES6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

Liste RFQ (0 éléments)
Liste des paniers (0 articles)
WishlistWishList (0 éléments)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

Quantité: 1

Comparez la liste (0 éléments)
Appuyez sur Entrée pour rechercher ou ESC pour fermer