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Produits semi-conduurs discrètes (2909)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
TK15A60U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60U (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 1261 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosii Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK15A60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 15A (TA) 10V 300 mOhm @ 7,5a, 10v 5V @ 1MA 17 NC @ 10 V ± 30V 950 pf @ 10 V - 40W (TC)
TK2P60D(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D (TE16L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 2671 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Tk2p60 MOSFET (Oxyde Métallique) PW-Mold télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 600 V 2a (ta) 10V 4,3 ohm @ 1a, 10v 4.4 V @ 1MA 7 NC @ 10 V ± 30V 280 pf @ 25 V - 60W (TC)
TTC5460B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC5460B, Q ​​(S -
RFQ
 ECAD 9144 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Actif TTC5460 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 250
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403, LF 0 2200
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 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1403 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401, LF 0 2200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2401 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 4,7 kohms
RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1511 (TE85L, F) 0 4700
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 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-74A, SOT-753 RN1511 300mw SMV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) (couple d'émetteur) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 10 kohms -
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901 (TE85L, F, M) -
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 ECAD 6955 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TPC6901 400mw VS-6 (2.9x2.8) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 1A, 700mA 100NA (ICBO) Npn, pnp 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V -
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R, LF 0,4300
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 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-3 PLATS PLATS SSM3K345 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23F télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 4a (ta) 1,5 V, 4,5 V 33MOHM @ 4A, 4,5 V 1v @ 1MA 3,6 NC @ 4,5 V ± 8v 410 PF @ 10 V - 1W (ta)
2SA965-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y, F (J -
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 ECAD 3433 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA965 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100NA (ICBO) Pnp 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120 MHz
TPC8228-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8228-H, LQ -
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 ECAD 6012 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TPC8228 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.5W (TA) 8-SOP télécharger 264-TPC8228-HLQTR EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 60V 3.8a 57MOHM @ 1.9A, 10V 2,3 V à 100 µA 11nc @ 10v 640pf @ 10v -
2SC2655-Y,T6APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6APNF (M -
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 ECAD 3058 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2655 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE (TE85L, F) 0,3900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-553 RN2706 100 MW ESV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (Double) (couple Émetteur) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 47 kohms
RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904, LF (CT 0,2800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200 MW US6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110CT (TPL3) -
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 ECAD 1745 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-101, SOT-883 RN2110 50 MW CST3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 20 V 50 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 300 @ 1MA, 5V 4,7 kohms
SSM3K17SU,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17SU, LF (D -
RFQ
 ECAD 9558 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète SSM3K17 - 1 (illimité) SSM3K17SULF (D EAR99 8541.21.0095 3 000 100mA (TA)
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2313 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 4403 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2313 100 MW SC-70 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 47 kohms
RN1962TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1962TE85LF -
RFQ
 ECAD 5519 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1962 500mw US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
CRS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04 (TE85L, Q, M) 0 4600
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 ECAD 112 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface Sod-123f CRS04 Schottky S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 510 MV @ 1 A 100 µA @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A 47pf @ 10v, 1MHz
1SS417,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417, L3M 0,2700
RFQ
 ECAD 9195 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 2 mm, plomb plat 1SS417 Schottky FSC télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 10 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 40 V 620 mV @ 50 mA 5 µA @ 40 V 125 ° C (max) 100 mA 15pf @ 0v, 1mhz
1SS301,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301, LF 0,2100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 1SS301 Standard SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 1 paire la commune de cathode 80 V 100 mA 1,2 V @ 100 mA 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (max)
TTA004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA004B, Q 0 4500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 225aa, à 126-3 TTA004 10 W TO-126N télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 250 160 V 1,5 A 100NA (ICBO) Pnp 500 mV à 50ma, 500mA 140 @ 100mA, 5V 100 MHz
2SC6139,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6139, T2F (M -
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 ECAD 7133 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou SC-71 2SC6139 1 W MSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 160 V 1,5 A 100NA (ICBO) NPN 500 mV à 50ma, 500mA 140 @ 100mA, 5V 100 MHz
RN2965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2965 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2,2 kohms 47 kohms
CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B (TE85L, QM 0.4900
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 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface Sod-123f CRS20I30 Schottky S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 450 MV @ 2 A 100 µA @ 30 V 150 ° C (max) 2A 82pf @ 10v, 1MHz
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-Y (Q) -
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 ECAD 1152 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa 2SA1244 1 W PW-Mold - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 200 50 V 5 a 1µA (ICBO) Pnp 400 mV @ 150mA, 3A 120 @ 1A, 1V 60 MHz
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S16U (TE85L, F) 0,2500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 MT3S16 100 MW SC-70 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 4,5 DBI 5V 60m NPN 80 @ 5mA, 1v 4 GHz 2,4 dB à 1Hz
RN1409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409, LF 0.1900
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 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 22 kohms
TK5R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R3E08QM, S1X 1.5800
RFQ
 ECAD 98 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosx-h Tube Actif 175 ° C Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 80 V 120A (TC) 6v, 10v 5,3MOHM @ 50A, 10V 3,5 V @ 700µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3980 PF @ 40 V - 150W (TC)
CLS03(TE16L,DNSO,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, DNSO, Q -
RFQ
 ECAD 9888 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Support de surface L-Flat ™ CLS03 Schottky L-Flat ™ (4x5,5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 60 V 580 MV @ 10 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 125 ° C 10A 345pf @ 10v, 1MHz
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2114MFV, L3F 0,2000
RFQ
 ECAD 7888 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN2114 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 50 @ 10mA, 5V 1 kohms 10 kohms
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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