RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Produits semi-conduurs discrètes (2909)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
TK12A45D (STA4, Q, M)	2.2300	RFQ	1473	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	π-mosvii	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	TK12A45	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220sis	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	450 V	12A (TA)	10V	520 mohm @ 6a, 10v	4V @ 1MA	24 NC @ 10 V	± 30V	1200 pf @ 25 V	-	45W (TC)
2SC5354, XGQ (O	-	RFQ	1637	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	*	Tube	Actif				2SC5354				télécharger	Rohs conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	50
RN4984FE, LF (CT	0,2800	RFQ	70	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SOT-563, SOT-666	RN4984		100 MW	ES6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000																							50v	100 mA	100NA (ICBO)	1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	250 MHz	47 kohms	47 kohms
TK14A55D (STA4, Q, M)	3.1600	RFQ	50	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	π-mosvii	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	TK14A55	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220sis	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	550 V	14A (TA)	10V	370MOHM @ 7A, 10V	4V @ 1MA	40 NC @ 10 V	± 30V	2300 pf @ 25 V	-	50W (TC)
HN1D03FU, LF	0,3700	RFQ	35	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN1D03	Standard		US6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0070	3 000		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse												2 paires ca + cc	80 V	80m	1,2 V @ 100 mA	4 ns	500 na @ 80 V	125 ° C (max)
2SA1869-Y, Q (J	-	RFQ	3028	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	2SA1869		10 W	À 220nis	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1																							50 V	3 A	1µA (ICBO)	Pnp	600mV @ 200mA, 2A	70 @ 500mA, 2V	100 MHz
1SS319 (TE85L, F)	0,4000	RFQ	5	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SC-61AA	1SS319	Schottky		SC-61B	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0070	3 000		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse												2 indépendant	40 V	100 mA	600 mV à 100 mA		5 µA @ 40 V	125 ° C (max)
2SC5354, TOJSQ (O	-	RFQ	2914	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	*	Tube	Actif				2SC5354				télécharger	Rohs conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	50
SSM3J306T (TE85L, F)	-	RFQ	5083	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	SSM3J306	MOSFET (Oxyde Métallique)		TSM	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal p	30 V	2.4a (TA)	4V, 10V	117MOHM @ 1A, 10V	-	2,5 NC @ 15 V	± 20V	280 pf @ 15 V	-	700MW (TA)
TK30A06N1, S4X	0,9300	RFQ	4866	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosviii-h	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	TK30A06	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220sis	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	60 V	30a (TC)	10V	15MOHM @ 15A, 10V	4V @ 200µA	16 NC @ 10 V	± 20V	1050 pf @ 30 V	-	25W (TC)
RN2404TE85LF	-	RFQ	6084	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2404		200 MW	S-mini	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0075	3 000																							50 V	100 mA	500NA	PNP - Pré-biaisé	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200 MHz	47 kohms	47 kohms
TK20C60W, S1VQ	-	RFQ	8691	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Dtmosiv	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	TK20C60	MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	600 V	20A (TA)	10V	155MOHM @ 10A, 10V	3,7 V @ 1MA	48 NC @ 10 V	± 30V	1680 PF @ 300 V	-	165W (TC)
RN4903FE, LXHF (CT	0,3800	RFQ	7	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SOT-563, SOT-666	RN4903		100 MW	ES6	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000																							50v	100 mA	500NA	1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	70 @ 10mA, 5V	200 MHz, 250 MHz	22 kohms	22 kohms
CCS15S30, L3IDTF	-	RFQ	4741	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		Support de surface	2-md, pas d'Avance	CCS15	Schottky		CST2C	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	10 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													20 V		400 mV @ 1 a		500 µA @ 30 V	125 ° C (max)	1.5a	200pf @ 0v, 1mhz
RN1401, LXHF	0,3400	RFQ	3	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1401		200 MW	S-mini	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																							50 V	100 mA	500NA	NPN - Pré-biaisé	300 mV à 250µa, 5mA	30 @ 10mA, 5V	250 MHz	4,7 kohms	4,7 kohms
1SS403E, L3F	0,3200	RFQ	4	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SC-79, SOD-523	1SS403	Standard		Échap	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0070	8 000		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse													200 V		1,2 V @ 100 mA	60 ns	1 µA @ 200 V	150 ° C (max)	100 mA	3pf @ 0v, 1mhz
SSM3J325F, LF	0,4100	RFQ	17	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosvi	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	SSM3J325	MOSFET (Oxyde Métallique)		S-mini	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal p	20 V	2a (ta)	1,5 V, 4,5 V	150 mohm @ 1a, 4,5 V	-	4,6 NC @ 4,5 V	± 8v	270 pf @ 10 V	-	600mw (TA)
RN2908FE, LXHF (CT	0,3800	RFQ	8	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SOT-563, SOT-666	RN2908		100 MW	ES6	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000																							50v	100 mA	500NA	2 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200 MHz	22 kohms	47 kohms
CLS03 (T6L, Shina, Q)	-	RFQ	4372	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète		Support de surface	L-Flat ™	CLS03	Schottky		L-Flat ™ (4x5,5)	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													60 V		580 MV @ 10 A		1 ma @ 60 V	-40 ° C ~ 125 ° C	10A	345pf @ 10v, 1MHz
TK7A60W5, S5VX	1.6400	RFQ	100	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Dtmosiv	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	TK7A60	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220sis	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	600 V	7a (ta)	10V	650mohm @ 3,5a, 10v	4,5 V @ 350µA	16 NC @ 10 V	± 30V	490 pf @ 300 V	-	30W (TC)
TK16J60W5, S1VQ	5.2000	RFQ	32	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Tube	Actif	150 ° C	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	TK16J60	MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p (n)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n	600 V	15.8A (TA)	10V	230MOHM @ 7.9A, 10V	4,5 V @ 790µA	43 NC @ 10 V	± 30V	1350 pf @ 300 V	-	130W (TC)
RN1968FE (TE85L, F)	-	RFQ	5591	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	SOT-563, SOT-666	RN1968		100 MW	ES6	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000																							50v	100 mA	100NA (ICBO)	2 npn - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	250 MHz	22 kohms	47 kohms
SSM6N44FE, LM	0,4300	RFQ	111	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	SSM6N44	MOSFET (Oxyde Métallique)	150mw	ES6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000	2 Canaux N (double)			30V	100 mA		4OHM @ 10mA, 4V	1,5 V à 100 µA	-		8.5pf @ 3v	Porte de Niveau Logique
2SC2235-Y (T6canofm	-	RFQ	1780	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long	2SC2235		900 MW	To-92mod	télécharger		1 (illimité)	2SC2235YT6CANOFM	EAR99	8541.21.0075	1																							120 V	800 mA	100NA (ICBO)	NPN	1V @ 50mA, 500mA	80 @ 100mA, 5V	120 MHz
RN4609 (TE85L, F)	0,4800	RFQ	1	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SC-74, SOT-457	RN4609		300mw	SM6	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																							50v	100 mA	100NA (ICBO)	1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	70 @ 10mA, 5V	200 MHz	47 kohms	22 kohms
TPN4R712MD, L1Q	0,8500	RFQ	4	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosvi	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	TPN4R712	MOSFET (Oxyde Métallique)		Advance 8-Tson (3.1x3.1)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	5 000			Canal p	20 V	36a (TC)	2,5 V, 4,5 V	4,7MOHM @ 18A, 4,5 V	1,2 V @ 1MA	65 NC @ 5 V	± 12V	4300 pf @ 10 V	-	42W (TC)
2SA1931, Netq (J	-	RFQ	8766	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	2SA1931		2 W	À 220nis	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1																							50 V	5 a	1µA (ICBO)	Pnp	400mV @ 200mA, 2A	100 @ 1A, 1V	60 MHz
RN1116 (TE85L, F)	0,2800	RFQ	73	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SC-75, SOT-416	RN116		100 MW	SSM	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0075	3 000																							50 V	100 mA	500NA	NPN - Pré-biaisé	300 mV à 250µa, 5mA	50 @ 10mA, 5V	250 MHz	4,7 kohms	10 kohms
TK5P53D (T6RSS-Q)	1.3400	RFQ	4199	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Tk5p53	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal n	525 V	5A (TA)	10V	1,5 ohm @ 2,5a, 10v	4.4 V @ 1MA	11 NC @ 10 V	± 30V	540 pf @ 25 V	-	80W (TC)
TK125V65Z, LQ	4.9000	RFQ	7993	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Dtmosvi	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C	Support de surface	Pad Exposé 4-VSFN	TK125V65	MOSFET (Oxyde Métallique)		4-DFN-EP (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	650 V	24a (TA)	10V	125MOHM @ 12A, 10V	4V @ 1 02 mA	40 NC @ 10 V	± 30V	2250 pf @ 300 V	-	190W (TC)