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Produits semi-conduurs discrètes (2909)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
CLS03 (T6L, Shina, Q)	-	RFQ	4372	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète		Support de surface	L-Flat ™	CLS03	Schottky		L-Flat ™ (4x5,5)	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)												60 V	580 MV @ 10 A		1 ma @ 60 V	-40 ° C ~ 125 ° C	10A	345pf @ 10v, 1MHz
CCS15S30, L3IDTF	-	RFQ	4741	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		Support de surface	2-md, pas d'Avance	CCS15	Schottky		CST2C	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	10 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)												20 V	400 mV @ 1 a		500 µA @ 30 V	125 ° C (max)	1.5a	200pf @ 0v, 1mhz
TK7A60W5, S5VX	1.6400	RFQ	100	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Dtmosiv	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	TK7A60	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220sis	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	600 V	7a (ta)	10V	650mohm @ 3,5a, 10v	4,5 V @ 350µA	16 NC @ 10 V	± 30V	490 pf @ 300 V	-	30W (TC)
SSM3J325F, LF	0,4100	RFQ	17	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosvi	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	SSM3J325	MOSFET (Oxyde Métallique)		S-mini	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal p	20 V	2a (ta)	1,5 V, 4,5 V	150 mohm @ 1a, 4,5 V	-	4,6 NC @ 4,5 V	± 8v	270 pf @ 10 V	-	600mw (TA)
SSM6N44FE, LM	0,4300	RFQ	111	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	SSM6N44	MOSFET (Oxyde Métallique)	150mw	ES6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000	2 Canaux N (double)			30V	100 mA		4OHM @ 10mA, 4V	1,5 V à 100 µA	-		8.5pf @ 3v	Porte de Niveau Logique
2SC2235-Y (T6canofm	-	RFQ	1780	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long	2SC2235		900 MW	To-92mod	télécharger		1 (illimité)	2SC2235YT6CANOFM	EAR99	8541.21.0075	1																					120 V	800 mA	100NA (ICBO)	NPN	1V @ 50mA, 500mA	80 @ 100mA, 5V	120 MHz
RN4609 (TE85L, F)	0,4800	RFQ	1	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SC-74, SOT-457	RN4609		300mw	SM6	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																					50v	100 mA	100NA (ICBO)	1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	70 @ 10mA, 5V	200 MHz	47 kohms	22 kohms
RN1968FE (TE85L, F)	-	RFQ	5591	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	SOT-563, SOT-666	RN1968		100 MW	ES6	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000																					50v	100 mA	100NA (ICBO)	2 npn - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	250 MHz	22 kohms	47 kohms
TK16J60W5, S1VQ	5.2000	RFQ	32	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Tube	Actif	150 ° C	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	TK16J60	MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p (n)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n	600 V	15.8A (TA)	10V	230MOHM @ 7.9A, 10V	4,5 V @ 790µA	43 NC @ 10 V	± 30V	1350 pf @ 300 V	-	130W (TC)
RN2908FE, LXHF (CT	0,3800	RFQ	8	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SOT-563, SOT-666	RN2908		100 MW	ES6	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000																					50v	100 mA	500NA	2 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200 MHz	22 kohms	47 kohms
2SC5354, TOJSQ (O	-	RFQ	2914	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	*	Tube	Actif				2SC5354				télécharger	Rohs conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	50
2SA1869-Y, Q (J	-	RFQ	3028	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	2SA1869		10 W	À 220nis	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1																					50 V	3 A	1µA (ICBO)	Pnp	600mV @ 200mA, 2A	70 @ 500mA, 2V	100 MHz
TRS8E65H, S1Q	2.7600	RFQ	395	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Tube	Actif		Par le trou	À 220-2		Sic (Carbure de Silicium) Schottky		À 220-2L	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	264-TRS8E65H, S1Q	EAR99	8541.10.0080	50		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)												650 V	1,35 V @ 8 A	0 ns	90 µA à 650 V	175 ° C	8a	520pf @ 1v, 1MHz
2SC5354, XGQ (O	-	RFQ	1637	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	*	Tube	Actif				2SC5354				télécharger	Rohs conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	50
RN4984FE, LF (CT	0,2800	RFQ	70	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SOT-563, SOT-666	RN4984		100 MW	ES6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000																					50v	100 mA	100NA (ICBO)	1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	250 MHz	47 kohms	47 kohms
TK12A45D (STA4, Q, M)	2.2300	RFQ	1473	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	π-mosvii	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	TK12A45	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220sis	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	450 V	12A (TA)	10V	520 mohm @ 6a, 10v	4V @ 1MA	24 NC @ 10 V	± 30V	1200 pf @ 25 V	-	45W (TC)
2SA1931, Netq (J	-	RFQ	8766	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	2SA1931		2 W	À 220nis	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1																					50 V	5 a	1µA (ICBO)	Pnp	400mV @ 200mA, 2A	100 @ 1A, 1V	60 MHz
RN1116 (TE85L, F)	0,2800	RFQ	73	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SC-75, SOT-416	RN116		100 MW	SSM	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0075	3 000																					50 V	100 mA	500NA	NPN - Pré-biaisé	300 mV à 250µa, 5mA	50 @ 10mA, 5V	250 MHz	4,7 kohms	10 kohms
TK5P53D (T6RSS-Q)	1.3400	RFQ	4199	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Tk5p53	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal n	525 V	5A (TA)	10V	1,5 ohm @ 2,5a, 10v	4.4 V @ 1MA	11 NC @ 10 V	± 30V	540 pf @ 25 V	-	80W (TC)
TPN4R712MD, L1Q	0,8500	RFQ	4	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosvi	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	TPN4R712	MOSFET (Oxyde Métallique)		Advance 8-Tson (3.1x3.1)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	5 000			Canal p	20 V	36a (TC)	2,5 V, 4,5 V	4,7MOHM @ 18A, 4,5 V	1,2 V @ 1MA	65 NC @ 5 V	± 12V	4300 pf @ 10 V	-	42W (TC)
RN2404TE85LF	-	RFQ	6084	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2404		200 MW	S-mini	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0075	3 000																					50 V	100 mA	500NA	PNP - Pré-biaisé	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200 MHz	47 kohms	47 kohms
TK30A06N1, S4X	0,9300	RFQ	4866	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosviii-h	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	TK30A06	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220sis	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	60 V	30a (TC)	10V	15MOHM @ 15A, 10V	4V @ 200µA	16 NC @ 10 V	± 20V	1050 pf @ 30 V	-	25W (TC)
SSM3J306T (TE85L, F)	-	RFQ	5083	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	SSM3J306	MOSFET (Oxyde Métallique)		TSM	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal p	30 V	2.4a (TA)	4V, 10V	117MOHM @ 1A, 10V	-	2,5 NC @ 15 V	± 20V	280 pf @ 15 V	-	700MW (TA)
RN4901 (T5L, F, T)	-	RFQ	4562	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4901		200 MW	US6	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																					50v	100 mA	500NA	1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	30 @ 10mA, 5V	200 MHz, 250 MHz	4,7 kohms	4,7 kohms
RN4907, LF	0,2800	RFQ	3821	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4907		200 MW	US6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																					50v	100 mA	500NA	1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200 MHz	10 kohms	47 kohms
HN1B04FE-Y, LF	0,3000	RFQ	4	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-563, SOT-666	HN1B04		100 MW	ES6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000																					50v	150m	100NA (ICBO)	Npn, pnp	250 mV @ 10mA, 100mA	120 @ 2MA, 6V	80 MHz
TK125V65Z, LQ	4.9000	RFQ	7993	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Dtmosvi	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C	Support de surface	Pad Exposé 4-VSFN	TK125V65	MOSFET (Oxyde Métallique)		4-DFN-EP (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	650 V	24a (TA)	10V	125MOHM @ 12A, 10V	4V @ 1 02 mA	40 NC @ 10 V	± 30V	2250 pf @ 300 V	-	190W (TC)
TPH3R10AQM, LQ	1,7000	RFQ	10	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	175 ° C	Support de surface	8-PowerTDFN	TPH3R10	MOSFET (Oxyde Métallique)		Advance 8-SOP (5x5,75)	télécharger		1 (illimité)				5 000			Canal n	100 V	180a (TA), 120a (TC)	6v, 10v	3,1MOHM @ 50A, 10V	3,5 V @ 500µA	83 NC @ 10 V	± 20V	7400 PF @ 50 V	-	3W (TA), 210W (TC)
RN2114 (TE85L, F)	0,2800	RFQ	5009	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SC-75, SOT-416	RN2114		100 MW	SSM	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0075	3 000																					50 V	100 mA	500NA	PNP - Pré-biaisé	300 mV à 250µa, 5mA	50 @ 10mA, 5V	200 MHz	1 kohms	10 kohms
SSM3J375F, LXHF	0.4900	RFQ	6	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		S-mini	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal p	20 V	2a (ta)	1,5 V, 4,5 V	150 mohm @ 1a, 4,5 V	1v @ 1MA	4,6 NC @ 4,5 V	+ 6v, -8V	270 pf @ 10 V	-	600mw (TA)