SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Vitre Taper fet Condition de test Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Type de transistor Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition Figure de Bruit (db typ @ f)
IRF523 Harris Corporation IRF523 0,3300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 80 V 8A (TC) 10V 360 MOHM @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 60W (TC)
IRF640R Harris Corporation Irf640r -
RFQ
ECAD 3065 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 299 Canal n 200 V 18A (TC) 10V 180MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 V ± 20V 1275 PF @ 25 V - 125W (TC)
IRF453 Harris Corporation IRF453 1 0000
RFQ
ECAD 3120 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 450 V 7.2a (TC) 10V 500mohm @ 7.2a, 10v 4V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 25 V - 125W (TC)
2N7224JANTXV Harris Corporation 2N7224JANTXV 1 0000
RFQ
ECAD 4610 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 254-3, à 254aa MOSFET (Oxyde Métallique) À 254aa télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 34A (TC) 10V 81MOHM @ 34A, 10V 4V @ 250µA 125 NC @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
BUZ41A Harris Corporation Buz41a 1.3600
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 4.5a (TC) 10V 1,5 ohm @ 2,5a, 10v 4V @ 1MA ± 20V 2000 pf @ 25 V - 75W (TC)
IRF612 Harris Corporation Irf612 1 0000
RFQ
ECAD 1935 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 200 V 2.6a (TC) 10V 2,4 ohm @ 1,6a, 10v 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 135 pf @ 25 V - 43W (TC)
HGTG24N60D1D Harris Corporation HGTG24N60D1D 9.6000
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 125 W À 247 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 - 60 ns - 600 V 40 A 96 A 2.3V @ 15V, 24A - 155 NC -
IRFD121 Harris Corporation IRFD121 0 4500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (Oxyde Métallique) 4-Dip, hexdip télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 80 V 1.3A (TC) 10V 300mohm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 1W (TC)
SP600 Harris Corporation SP600 5.5100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif SP60 - - Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 1 -
HGTH12N50CID Harris Corporation HGTH12N50CID 2.4900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 1
HFA3096B96 Harris Corporation HFA3096B96 2.1900
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) 150mw 16 ans télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 0000.00.0000 2 500 - 8v 65mA 3 npn + 2 pnp 40 @ 10mA, 2V, 20 @ 10mA, 2V 8 GHz, 5,5 GHz 3,5 dB à 1Hz
RHRP30100 Harris Corporation RHRP30100 -
RFQ
ECAD 2029 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif Par le trou À 220-2 Avalanche À 220AC télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 155 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1000 V 3 V @ 30 A 75 ns 500 µA à 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
HGTD7N60B3S Harris Corporation Hgtd7n60b3s 0,7500
RFQ
ECAD 703 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Standard 60 W À 252aa télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 1 480v, 7a, 50 ohms, 15v - 600 V 14 A 56 A 2.1V @ 15V, 7A 72µJ (ON), 120µJ (OFF) 37 NC 26NS / 130NS
RF1S530SM9AS2457 Harris Corporation RF1S530SM9AS2457 0,8800
RFQ
ECAD 800 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif RF1 - - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 800 -
RURG1560CC Harris Corporation Rurg1560cc 2.1200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif Par le trou À 274aa Standard Super-247 (à 274aa) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 600 V 15A 1,5 V @ 15 A 60 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C
HGTP10N40EID Harris Corporation Hgtp10n40eid 1.5800
RFQ
ECAD 225 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif - Non applicable 3 (168 Heures) Vendeur indéfini 225
A115DX11 Harris Corporation A115dx11 0,6700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif Par le trou - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.10.0080 1 600 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,3 V @ 3 A 150 µs 2 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4v, 1mhz
RFB18N10CS Harris Corporation RFB18N10CS 2.4900
RFQ
ECAD 950 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-5 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220AB-5 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 0000.00.0000 1 Canal n 100 V 18A (TC) 100MOHM @ 9A, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V Détection de Courant 79W (TC)
HFA3127B96-HC Harris Corporation HFA3127B96-HC 2.9600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) 150mw 16 ans télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 0000.00.0000 2 500 - 12V 65mA 5 npn 40 @ 10mA, 2V 8 GHz 3,5 dB à 1Hz
RHRU10060 Harris Corporation RHRU10060 7.2300
RFQ
ECAD 8785 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif Par le trou À 218-3 Standard SOT-93 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 34 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 2.1 V @ 100 A 60 ns 500 µA à 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 100A -
RFP42N03L Harris Corporation RFP42N03L 1.1400
RFQ
ECAD 63 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 0000.00.0000 1 Canal n 30 V 42A (TC) 25MOHM @ 42A, 5V 2V à 250µA 60 NC @ 10 V ± 10V 1650 pf @ 25 V - 90W (TC)
IRF442119U Harris Corporation IRF442119U 1.4600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif IRF442119 - - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 1 -
IGTM10N50 Harris Corporation IGTM10N50 1 5500
RFQ
ECAD 234 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif - Par le trou To-204aa, to-3 Standard To-3 télécharger Non applicable 3 (168 Heures) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 1 - - 500 V 10 a - - -
RURD30100 Harris Corporation RURD30100 2.8900
RFQ
ECAD 365 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 1
RFP70N06S5001 Harris Corporation RFP70N06S5001 0,3600
RFQ
ECAD 2513 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif RFP70 - - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini 800 -
RFP40N10S5001 Harris Corporation RFP40N10S5001 1 0000
RFQ
ECAD 3724 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif RFP40 - - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 1 -
IRF614 Harris Corporation IRF614 0,4100
RFQ
ECAD 2703 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRF614 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 0000.00.0000 695 Canal n 250 V 2.7A (TC) 10V 2OHM @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 36W (TC)
IRF540RP2 Harris Corporation Irf540rp2 -
RFQ
ECAD 6471 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif IRF540 - - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini 1 -
RURDG1540 Harris Corporation Rurdg1540 1.7800
RFQ
ECAD 210 0,00000000 Harris Corporation * En gros Actif - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini 1
RHRU150100 Harris Corporation RHRU150100 8.3600
RFQ
ECAD 383 0,00000000 Harris Corporation - En gros Actif Par le trou À 218-3 Standard SOT-93 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1000 V 3 V @ 150 A 100 ns 500 µA à 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 150a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock