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PRODUITS SEMI-CONDUCTURS DISCRETS (181)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Applications | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Évaluation Actullelle (AMPS) | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Type de transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ald1102bsal | 6.6082 |  | 7427 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1102 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1256 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires correspondantes au canal p (double) | 10.6v | - | - | - | - | - | - | |||||
 | Ald810024scl | 4.7958 | | 8235 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810024 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1258-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | ||||||||||||
| Ald810026scl | 6.4800 | | 50 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810026 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1260-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | ||||||||||||
| Ald810027scl | 6.4800 | | 9860 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810027 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1261-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | ||||||||||||
| Ald810028scl | 5.5046 | | 4021 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810028 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1262-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | ||||||||||||
| Ald910023sal | 5.0400 | | 51 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald910023 | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1263-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 2 Canaux N (double) | ||||||||||||
| Ald210814scl | 5.7256 | | 8896 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | - | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald210814 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Ald212902pal | 5.6826 | | 5658 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald212902 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Ald310708scl | 6.9700 | | 72 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald310708 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1299 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 paires de canaux P, correspondant | 8v | - | - | 780 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald212914Sal | 6.6728 | | 4033 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | - | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald212914 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Ald111933pal | 5.7644 | | 7667 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald111933 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1051 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | - | 500 ohm @ 5,9 V | 3,35 V @ 1µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald1117sal | 4.2600 | | 574 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1117 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1049 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires correspondantes au canal p (double) | 10.6v | - | 1800 ohm @ 5v | 1v @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
| Ald212908sal | 5.6228 | | 5921 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald212908 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Ald114835pcl | 7.8996 | | 4717 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald114835 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1059 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 540ohm @ 0v | 3 45 V @ 1µA | - | 2,5pf @ 5v | Mode d'Épuiment | |||||
 | Ald1106pbl | 6.6500 | | 634 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 14-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1106 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 14-pdip | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1012 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | - | 500OHM @ 5V | 1v @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
| Ald110800ascl | 8.6000 | | 436 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald110800 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1017 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | - | 500OHM @ 4V | 10 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald111933sal | 5.1400 | | 250 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald111933 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | - | 500 ohm @ 5,9 V | 3,35 V @ 1µA | - | 2,5pf @ 5v | - | ||||||
| Ald810020scl | 4.7958 | | 2200 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810020 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1273-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | ||||||||||||
| Ald212900sal | 5.6228 | | 7016 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald212900 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1209 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 80m | 14 ohms | 20 mV à 20µA | - | 30pf @ 5v | Porte de Niveau Logique | |||||
| Ald212908pal | 5.6826 | | 7632 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald212908 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Ald310704scl | 6.0054 | | 9339 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald310704 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1295 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 paires de canaux P, correspondant | 8v | - | - | 380 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald110908pal | 5.7472 | | 9978 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald110908 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1040 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 12mA, 3MA | 500OHM @ 4.8V | 820 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
 | Ald111910pal | - | | 4901 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Obsolète | - | - | - | Ald111910 | - | - | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1220 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
| Ald110808apcl | 9.9446 | | 5951 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald110808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1024 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500OHM @ 4.8V | 810 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald210804pcl | 6.3498 | | 7102 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald210804 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Ald210808scl | 5.8118 | | 8523 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald210808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Ald1106sbl | 6.0100 | | 1 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1106 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 14-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1013 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | - | 500OHM @ 5V | 1v @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
| Ald1116sal | 4.2600 | | 5 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1116 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1047 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | - | 500OHM @ 5V | 1v @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
| Ald111910sal | - | | 9116 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Obsolète | - | - | - | Ald111910 | MOSFET (Oxyde Métallique) | - | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1221 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
| Ald210814pcl | 6.3498 | | 4240 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | - | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald210814 | MOSFET (Oxyde Métallique) | - | 16 PDI | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique |
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