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Produits semi-conduurs discrètes (181)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Applications | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Évaluation Actullelle (AMPS) | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Type de transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ald114813pcl | 7.1248 |  | 6043 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald114813 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1057 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500 ohm @ 2,7 V | 1,26 V @ 1µA | - | 2,5pf @ 5v | Mode d'Épuiment | |||||
 | Ald910028sal | 4.7014 | | 3317 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald910028 | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1268-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 2 Canaux N (double) | ||||||||||||
 | Ald1110epal | 6.8234 | | 6708 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 600mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10V | - | 500OHM @ 5V | 1,01 V @ 1µA | - | 2,5pf @ 5v | - | ||||||
 | Ald810025scl | 5.6500 | | 820 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810025 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1259-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | ||||||||||||
| Ald114904apal | 6.8234 | | 7241 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald114904 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1061 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 12mA, 3MA | 500 ohm @ 3,6 V | 380 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | Mode d'Épuiment | |||||
| Ald210808apcl | 8.3302 | | 7246 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald210808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Ald114804scl | 5.7644 | | 1045 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald114804 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1056 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500 ohm @ 3,6 V | 360 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | Mode d'Épuiment | |||||
| Ald110808pcl | 5.9624 | | 8290 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald110808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1026 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500OHM @ 4.8V | 820 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald210808ascl | 7.5122 | | 5149 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald210808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Ald110804scl | 5.8548 | | 3209 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald110804 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1023 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500OHM @ 4,4 V | 420 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
 | Ald1103sbl | 8.2500 | | 105 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1103 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 14-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1009 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Paire de 2 n et 2 paire assortie du canal p | 10.6v | 40mA, 16mA | 75ohm @ 5v | 1v @ 10µA | - | 10pf @ 5v | - | |||||
 | Ald1103pbl | 9.2600 | | 535 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 14-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1103 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 14-pdip | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1008 | EAR99 | 8541.21.0095 | 25 | Paire de 2 n et 2 paire assortie du canal p | 10.6v | 40mA, 16mA | 75ohm @ 5v | 1v @ 10µA | - | 10pf @ 5v | - | |||||
| Ald212902sal | 5.6228 | | 6120 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald212902 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Ald110902sal | 4.9800 | | 33 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald110902 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1035 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | - | 500OHM @ 4.2V | 220 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald1102pal | 8.2700 | | 54 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1102 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1006 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires correspondantes au canal p (double) | 10.6v | - | 270OHM @ 5V | 1,2 V @ 10µA | - | 10pf @ 5v | - | |||||
| Ald110808ascl | 8.9544 | | 6140 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald110808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1025 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500OHM @ 4.8V | 810 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald910025Sali | 5.3628 | | 9819 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald910025 | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 2 Canaux N (double) | |||||||||||||
| Ald810016scl | 4.7958 | | 5353 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810016 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1269-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | ||||||||||||
| Ald810023scli | 5.5750 | | 9679 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810023 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | |||||||||||||
| Ald1115sal | 3.6146 | | 3719 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1115 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1045 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | N et p-canal p Complémentaire | 10.6v | - | 1800 ohm @ 5v | 1v @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
| Ald1102bpal | 8.8038 | | 8398 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1102 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires correspondantes au canal p (double) | 10.6v | - | 270OHM @ 5V | 1,2 V @ 10µA | - | 10pf @ 5v | - | ||||||
| Ald110800pcl | 6.3700 | | 6 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald110800 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1018 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | - | 500OHM @ 4V | 20 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald810017scli | 5.5750 | | 5175 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810017 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 4 N-Canal | |||||||||||||
| Ald210802scl | 5.7256 | | 7560 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald210802 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Ald310702scl | 6.0054 | | 2024 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald310702 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1291 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 paires de canaux P, correspondant | 8v | - | - | 180 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald310702apcl | 10.1814 | | 7292 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald310702 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1288 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 paires de canaux P, correspondant | 8v | - | - | 180 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald114904asal | 6.1776 | | 6987 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald114904 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1062 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 12mA, 3MA | 500 ohm @ 3,6 V | 380 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | Mode d'Épuiment | |||||
| Ald1105sbl | 5.9800 | | 50 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1105 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 14-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1011 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Paire de 2 n et 2 paire assortie du canal p | 10.6v | - | 500OHM @ 5V | 1v @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
| Ald310702ascl | 7.4692 | | 5116 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald310702 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1290 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 paires de canaux P, correspondant | 8v | - | - | 180 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald110908sal | 4.7014 | | 2643 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald110908 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1041 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 12mA, 3MA | 500OHM @ 4.8V | 820 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - |
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