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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Courant - Hold (IH) (Max) | Condition de test | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | FJP5554 | 1 0000 | ![]() | 2934 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 70 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 400 V | 4 A | 250 µA | NPN | 1,5 V @ 1A, 3,5A | 20 @ 800mA, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fkn08pn60 | 0,1600 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 000 | Célibataire | 15 mA | Logique - Porte sensible | 600 V | 800 mA | 2 V | 8a, 9a | 5 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP105 | 1 0000 | ![]() | 5507 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | TIP105 | 2 W | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 8 A | 50 µA | PNP - Darlington | 2,5 V @ 80mA, 8A | 2000 @ 3a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC8678 | 0,7000 | ![]() | 336 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | Power33 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 15A (TA), 18A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,2MOHM @ 15A, 10V | 3V @ 1MA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 2075 PF @ 15 V | - | 2.3W (TA), 41W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC4436BZ | 0 2900 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | - | - | - | - | - | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz3v6a | 1 0000 | ![]() | 9916 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,2 V @ 200 mA | 2,8 µA @ 1 V | 3,6 V | 48 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu2n90tu-am002 | 0,5900 | ![]() | 977 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 900 V | 1.7A (TC) | 10V | 7,2 ohm @ 850mA, 10V | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 2,5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5404 | - | ![]() | 5611 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-201AAAA, DO-27, Axial | 1N5404 | Standard | DO-2010 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,2 V @ 3 A | 1,5 µs | 500 na @ 400 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5250BTR | 0,0200 | ![]() | 545 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5250 | 500 MW | Do-35 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C18 | - | ![]() | 8866 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 14 V | 18 V | 50 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC33716TFR | 0,0400 | ![]() | 4034 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 272 | 45 V | 800 mA | 100NA | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9013FTA | - | ![]() | 4673 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600 mV à 50ma, 500mA | 78 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSAM10SH60 | 14.3700 | ![]() | 95 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | Tube | Obsolète | Par le trou | Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 3 phase | 10 a | 600 V | 2500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76443S3S | 1 5500 | ![]() | 400 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 129 NC @ 10 V | ± 16V | 4115 PF @ 25 V | - | 260W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5089 | - | ![]() | 3523 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT5089 | 350 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 25 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 1MA, 10mA | 400 @ 100µA, 5V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76445S3S | 0,8400 | ![]() | 513 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 150 NC @ 10 V | ± 16V | 4965 PF @ 25 V | - | 310W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6670AS | 1.3500 | ![]() | 6386 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 162 | Canal n | 30 V | 76a (TA) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 13.8A, 10V | 3V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1580 pf @ 15 V | - | 70W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8674 | 0,5300 | ![]() | 147 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 17A (TA), 21A (TC) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 17A, 10V | 3V à 250µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 2320 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9947 | 0,7000 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NDS994 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 20V | 3.5a | 100MOHM @ 3,5A, 10V | 3V à 250µA | 13nc @ 10v | 542pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB9N25TM | 0,5300 | ![]() | 6551 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 52 | Canal n | 250 V | 9.4a (TC) | 10V | 420 MOHM @ 4.7A, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7000-D26Z | - | ![]() | 1096 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 200mA (TA) | 4,5 V, 10V | 5OHM @ 500mA, 10V | 3V @ 1MA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 400mw (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8870 | 0,9800 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | Canal n | 30 V | 21A (TA), 160A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,9MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 118 NC @ 10 V | ± 20V | 5160 PF @ 15 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW264P | 1.4100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 9.7A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 10MOHM @ 9.7A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 135 NC @ 5 V | ± 12V | 7225 PF @ 10 V | - | 1.3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGS10N60RUFDTU | 1 0000 | ![]() | 8047 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | SGS10N60 | Standard | 55 W | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V, 10A, 20OHM, 15V | 60 ns | - | 600 V | 16 A | 30 A | 2,8 V @ 15V, 10A | 141 µJ (ON), 215 µJ (OFF) | 30 NC | 15ns / 36ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75344P3_NL | 1 0000 | ![]() | 1029 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 8MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 210 NC @ 20 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 285W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP13N06 | 0,3100 | ![]() | 79 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 13A (TC) | 10V | 135MOHM @ 6.5A, 10V | 4V @ 250µA | 7,5 NC @ 10 V | ± 25V | 310 PF @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF30N45TTU | 1.0100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Standard | 50,4 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | Tranché | 450 V | 120 A | 1,6 V @ 15V, 20A | - | 73 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF710 | 0,3700 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 400 V | 2A (TC) | 3,6 ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 135 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB1116YBU | 1 0000 | ![]() | 6782 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 750 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 50 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 300 mV @ 50mA, 1A | 135 @ 100mA, 2V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC0225 | 0.1400 | ![]() | 200 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | Fdmc02 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - |
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