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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | FDMC8588 | - | ![]() | 1850 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | FDMC85 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Power33 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 25 V | 16.5A (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 17A, 10V | 1,8 V à 250µA | 12 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1228 PF @ 13 V | - | 2.4W (TA), 26W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75321D3 | 0,3000 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 55 V | 20A (TC) | 10V | 36MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 20 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 93W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF28N15 | 0,8300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 150 V | 16.7A (TC) | 10V | 90MOHM @ 8.35A, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 25V | 1600 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs1bfa | 0,0900 | ![]() | 8226 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Support de surface | SOD-123W | Standard | Sod-123fa | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 470 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC86520L | - | ![]() | 9527 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 MLP (3,3x3,3) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 13.5A (TA), 22A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,9mohm @ 13,5a, 10v | 3V à 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 4550 PF @ 30 V | - | 2.3W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI3N80TU | 1 0000 | ![]() | 6011 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 3A (TC) | 10V | 5OHM @ 1,5A, 10V | 5V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 690 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 107W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss32 | 0,2700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Schottky | SMC (DO-214AB) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75631SK8T | - | ![]() | 6747 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 5.5A (TA) | 10V | 39MOHM @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 79 NC @ 20 V | ± 20V | 1225 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1962RTU | 2.9500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | 130 W | To-3p | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 250 V | 17 A | 5µA (ICBO) | Pnp | 3V @ 800mA, 8A | 55 @ 1A, 5V | 30 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGL40N150TU | 8.5300 | ![]() | 459 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 264-3, à 264aa | SGL40 | Standard | 200 W | HPM F2 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 375 | - | - | 1500 V | 40 A | 120 A | 4.7 V @ 15V, 40A | - | 140 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521S30 | - | ![]() | 2184 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-79, SOD-523 | Schottky | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 500 mV @ 200 mA | 30 µA @ 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 200m | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD2612 | 0,8300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 4.9a (TA) | 10V | 720 mOhm @ 1,5a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 234 PF @ 100 V | - | 42W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMSD4148 | - | ![]() | 4598 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | SOD-123 | MMSD41 | Standard | SOD-123 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150 ° C (max) | 200m | 4pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6726A | 0,1000 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | 1 W | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 000 | 30 V | 1,5 A | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 MV à 100MA, 1A | 60 @ 100mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB20N06LTM | - | ![]() | 9801 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 107 | Canal n | 60 V | 21A (TC) | 5v, 10v | 55MOHM @ 10.5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | 630 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3A | 1 0000 | ![]() | 9473 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Alliance Plastics, S | En gros | Obsolète | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | SMC (DO-214AB) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA @ 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBM30SM60A | 24.2900 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | En gros | Actif | Par le trou | Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 48 | 3 phase | 30 A | 600 V | 2500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS3580 | - | ![]() | 5946 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 80 V | 7.6a (TA) | 6v, 10v | 29MOHM @ 7.6A, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fmg1g300us60le | 73.7500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | 892 W | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Célibataire | - | 600 V | 300 A | 2,7 V @ 15V, 300A | 250 µA | Non | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9013HBU | 0,0200 | ![]() | 885 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600 mV à 50ma, 500mA | 144 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMSZ5237B | 0,0200 | ![]() | 132 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 6,5 V | 8.2 V | 6 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP6676 | 0,9800 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 84A (TA) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 42A, 10V | 3V à 250µA | 60 NC @ 5 V | ± 16V | 5324 PF @ 15 V | - | 93W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF30N30TDTU | 0,8400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Standard | 44,6 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 200v, 20a, 20hm, 15v | 22 ns | Tranché | 300 V | 80 A | 1,5 V @ 15V, 10A | - | 65 NC | 22NS / 130NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqt4n20tf | 0,3200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-4 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 200 V | 850mA (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 425mA, 10V | 5V @ 250µA | 6,5 NC @ 10 V | ± 30V | 220 pf @ 25 V | - | 2.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5772 | - | ![]() | 4526 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 350 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 15 000 | 15 V | 300 mA | 500NA | NPN | 500 mV @ 3MA, 300mA | 30 @ 30mA, 400 mV | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfd8p06le | 0,3300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 60 V | 8A (TC) | 4,5 V, 5V | 300mohm @ 8a, 5v | 2V à 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 10V | 675 PF @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N973B | 1.8400 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 5 µA @ 25,1 V | 33 V | 58 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS2672 | - | ![]() | 5526 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 200 V | 3.9A (TA) | 6v, 10v | 70MOHM @ 3,9A, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 2535 PF @ 100 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP8N90C | 1 0000 | ![]() | 8403 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 900 V | 6.3A (TC) | 10V | 1,9 ohm @ 3,15a, 10v | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 2080 PF @ 25 V | - | 171W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5550TA | 0,0400 | ![]() | 64 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 036 | 140 V | 600 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 300 MHz |
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