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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Condition de test	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
FSAB20PH60	9.3500	RFQ	74	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète			Par le trou	Module 27-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm)	Igbt						télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8542.39.0001	60	1 phase				11 A	600 V	2500 VRM
BSS123L	-	RFQ	2627	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	télécharger					EAR99	8541.21.0095	1			Canal n					100 V	170mA (TA)	4,5 V, 10V	6OHM @ 170mA, 10V	2v @ 1MA	2,5 NC @ 10 V	± 20V	21,5 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
FES16JT	0,8700	RFQ	7947	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 220-2				Standard		À 220-2	télécharger	Rohs3 conforme			2156-FES16JT-FS	EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																600 V	1,5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	145pf @ 4v, 1MHz
1N4738A_NL	0,0400	RFQ	5216	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial					1 W	DO-41	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	1 970																					10 µA @ 6 V													8.2 V	4,5 ohms
HRF3205F102	1 0000	RFQ	8280	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1			Canal n					55 V	100A (TC)	10V	8MOHM @ 59A, 10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	± 20V	4000 pf @ 25 V	-	175W (TC)
MBR0520L	-	RFQ	1880	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Support de surface	SOD-123				Schottky		SOD-123	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																20 V	385 MV @ 500 mA		250 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	500mA	-
ISL9N310AD3ST_NL	0,3300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252-3 (DPAK)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1			Canal n					30 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	10OHM @ 35A, 10A	3V à 250µA	48 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 15 V	-	70W (TA)
FJA4210OTU	-	RFQ	7629	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3					100 W	To-3p	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1																										140 V	10 a						10µA (ICBO)			Pnp	500 MV à 500mA, 5A	70 @ 3A, 4V	30 MHz
FDMS0310AS	-	RFQ	7155	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN				MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre Affeté	2156-FDMS0310AS-600039			1			Canal n					30 V	19A (TA), 22A (TC)	4,5 V, 10V	4.3MOHM @ 19A, 10V	3V @ 1MA	37 NC @ 10 V	± 20V	2280 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 41W (TC)
Bzx79c7v5-t50a	0,0300	RFQ	80	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial					500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																			1,5 V @ 100 mA		1 µA @ 5 V													7,5 V	15 ohms
BC859b	0,0800	RFQ	75	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3					250 MW	SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	3 000																										30 V	100 mA						15NA (ICBO)			Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	220 @ 2MA, 5V	100 MHz
KSB772YSTU	0.1900	RFQ	814	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3					1 W	TO-126-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1 576																										30 V	3 A						1µA (ICBO)			Pnp	500 MV @ 200mA, 2A	160 @ 1A, 2V	80 MHz
1N5995B	1.8400	RFQ	24	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial					500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	163																			1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 4 V													6.2 V	10 ohms
FQP4N80	1 0000	RFQ	7505	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					800 V	3.9A (TC)	10V	3,6 ohm @ 1 95a, 10v	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 30V	880 pf @ 25 V	-	130W (TC)
FQI13N06TU	0,3100	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa				MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n					60 V	13A (TC)	10V	135MOHM @ 6.5A, 10V	4V @ 250µA	7,5 NC @ 10 V	± 25V	310 PF @ 25 V	-	3,75W (TA), 45W (TC)
MMSZ5247B	1 0000	RFQ	8792	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	150 ° C (TJ)	Support de surface	SOD-123					500 MW	SOD-123	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000																			900 mV @ 10 mA		100 na @ 13 V													17 V	19 ohms
SS8550DTA	-	RFQ	2789	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes					1 W	To-92-3	télécharger					EAR99	8541.29.0075	1																										25 V	1,5 A						100NA			Pnp	500 mV @ 80mA, 800mA	160 @ 100mA, 1V	200 MHz
Ss9011hbu	0,0200	RFQ	100	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)					400 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	1 000																										30 V	30 mA						100NA (ICBO)			NPN	300 mV @ 1MA, 10mA	97 @ 1MA, 5V	2 MHz
FQP9N50	-	RFQ	1680	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1			Canal n					500 V	9A (TC)	10V	730MOHM @ 4.5A, 10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 30V	1450 pf @ 25 V	-	147W (TC)
FQP5N50C	0.4400	RFQ	62	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					500 V	5A (TC)	10V	1,4 ohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	± 30V	625 PF @ 25 V	-	73W (TC)
MJD41CTF	1 0000	RFQ	4051	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MJD41			1,75 W	À 252, (d-pak)	-						0000.00.0000	1																										100 V	6 A						10 µA			NPN	1,5 V @ 600mA, 6A	15 @ 3A, 4V	3 MHz
HUFA76419D3ST_QF085	-	RFQ	5933	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif											-						0000.00.0000	1
Ssr1n60btf	0,2600	RFQ	76	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal n					600 V	900mA (TC)	10V	12OHM @ 450mA, 10V	4V @ 250µA	7,7 NC @ 10 V	± 30V	215 PF @ 25 V	-	2.5W (TA), 28W (TC)
MMSD4448	0,0300	RFQ	76	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	SOD-123				Standard		SOD-123	télécharger					EAR99	8542.39.0001	10 764		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																100 V	1 V @ 100 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	150 ° C (max)	200m	2pf @ 0v, 1mhz
FDS7788	2.6000	RFQ	73	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)				MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n					30 V	18A (TA)	4,5 V, 10V	4MOHM @ 18A, 10V	3V à 250µA	48 NC @ 5 V	± 20V	3845 PF @ 15 V	-	2.5W (TA)
D45H8	0,5300	RFQ	3154	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3					2 W	À 220-3	télécharger					EAR99	8541.29.0075	177																										60 V	10 a						10 µA			Pnp	1V @ 400mA, 8A	40 @ 4a, 1v	40 MHz
FGH40N60SMDF-F085	-	RFQ	3861	Semi-conducteur de Fairchild	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			Standard		349 W	À 247	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1				400V, 40A, 6OHM, 15V																90 ns					Arrêt sur le terrain	600 V	80 A	120 A	2,5 V @ 15V, 40A	1,3mj (on), 260 µJ (off)	122 NC	18NS / 110NS
FDMC8676	0,7000	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN				MOSFET (Oxyde Métallique)		Power33	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n					30 V	16A (TA), 18A (TC)	4,5 V, 10V	5,9MOHM @ 14,7A, 10V	3V à 250µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1935 PF @ 15 V	-	2.3W (TA), 41W (TC)
FSB67508	3.1500	RFQ	166	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète			Par le trou	Module à 10 powersip, fils Formes	-						télécharger	Non applicable				EAR99	8542.39.0001	19	-						-
IRFM120ATF	-	RFQ	9581	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa				MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	214			Canal n					100 V	2.3A (TA)	10V	200 mohm @ 1.15a, 10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	± 20V	480 pf @ 25 V	-	2.4W (TA)