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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
NZT6714	0,0900	RFQ	59	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa				1 W	SOT-223-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	2 500																								30 V	2 A						100NA (ICBO)			NPN	500 MV à 100MA, 1A	60 @ 100mA, 1V	-
SS9014CTA	-	RFQ	6452	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				450 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																								45 V	100 mA						50NA (ICBO)			NPN	300 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 1MA, 5V	270 MHz
MPS6523	-	RFQ	5385	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				625 MW	À 92 (à 226)	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000																								25 V	100 mA						50NA (ICBO)			Pnp	500 mV @ 5mA, 50mA	300 @ 2MA, 10V	-
MPSW06	-	RFQ	1726	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				1 W	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0075	824																								80 V	500 mA						500NA			NPN	400 mV @ 10mA, 250mA	100 @ 100mA, 1v	50 MHz
Ksa1201otf	0.1400	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa				1 W	SOT-89-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	4 000																								120 V	800 mA						100NA (ICBO)			Pnp	1V @ 50mA, 500mA	80 @ 100mA, 5V	120 MHz
KSB744aystu	0,1600	RFQ	21	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3				1 W	TO-126-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0075	60																								60 V	3 A						1µA (ICBO)			Pnp	2V @ 150mA, 1,5A	160 @ 500mA, 5V	45 MHz
HUF76639S3ST-F085	-	RFQ	3591	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-HUF76639S3ST-F085-600039			1		Canal n		100 V	51A (TC)	10V	26MOHM @ 51A, 10V	3V à 250µA	86 NC @ 10 V	± 16V	2400 pf @ 25 V	-	180W (TC)
FDFMA2P853	0,3600	RFQ	22	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-VDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		6 microfet (2x2)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal p		20 V	3a (ta)	1,8 V, 4,5 V	120 mohm @ 3a, 4,5 V	1,3 V à 250µA	6 NC @ 4,5 V	± 8v	435 PF @ 10 V	Diode Schottky (isolé)	1.4W (TA)
Bay73	1 0000	RFQ	7722	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			Standard		DO-35 (DO-204AH)	télécharger					EAR99	8541.10.0070	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)														125 V		1 V @ 200 mA	1 µs	5 na @ 100 V	175 ° C (max)	500mA	8pf @ 0v, 1mhz
ISL9R1560S2	-	RFQ	5129	Semi-conducteur de Fairchild	Furtivité ™	En gros	Obsolète			Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			Avalanche		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	81	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														600 V		2.2 V @ 15 A	40 ns	100 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	15A	-
Bzx55c22	0,0600	RFQ	19	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	1 000																	1,3 V @ 100 mA		100 na @ 17 V													22 V	55 ohms
Fja4213rtu	2.6300	RFQ	8519	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3				130 W	To-3p	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1																								250 V	17 A						5µA (ICBO)			Pnp	3V @ 800mA, 8A	55 @ 1A, 5V	30 MHz
SGH20N60RUFDTU-FS	1 0000	RFQ	3798	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	SGH20N60	Standard		195 W	To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1			300 V, 20A, 10OHM, 15V															50 ns					-	600 V	32 A	60 A	2.8V @ 15V, 20A	524µJ (ON), 473µJ (OFF)	80 NC	30ns / 48ns
FDI038AN06A0	2.9500	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		60 V	17A (TA), 80A (TC)	6v, 10v	3,8MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	124 NC @ 10 V	± 20V	6400 PF @ 25 V	-	310W (TC)
FDMS8888	-	RFQ	4054	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		30 V	13.5A (TA), 21A (TC)	4,5 V, 10V	9,5mohm @ 13,5a, 10v	2,5 V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V	1585 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
FQD30N06TF	-	RFQ	2403	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	21		Canal n		60 V	22.7A (TC)	10V	45MOHM @ 11.4A, 10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 25V	945 PF @ 25 V	-	2.5W (TA), 44W (TC)
MMBT6428	-	RFQ	4162	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1																								50 V	500 mA						100NA			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	250 @ 100µA, 5V	700 MHz
FQB5N40TM	0 4600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		400 V	4.5a (TC)	10V	1,6 ohm @ 2 25a, 10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 30V	460 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 70W (TC)
Bzx79c9v1-t50a	0,0200	RFQ	2197	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																	1,5 V @ 100 mA		500 na @ 6 V													9.1 V	15 ohms
FQD630TF	0,3100	RFQ	207	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n		200 V	7a (TC)	10V	400MOHM @ 3,5A, 10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 25V	550 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 46W (TC)
FQP9N25C	1 0000	RFQ	4425	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		250 V	8.8A (TC)	10V	430MOHM @ 4.4A, 10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	710 PF @ 25 V	-	74W (TC)
FQA16N50-F109	-	RFQ	9640	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pn	-				2156-FQA16N50-F109			1		Canal n		500 V	16A (TC)	10V	320 mohm @ 8a, 10v	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 30V	3000 pf @ 25 V	-	200W (TC)
Flz13vb	0,0200	RFQ	66	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 MW	SOD-80	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	2 500																	1,2 V @ 200 mA		133 na @ 10 V													12.9 V	11,4 ohms
SB520	-	RFQ	1587	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-201AAAA, DO-27, Axial			Schottky		DO-2010	télécharger						0000.00.0000	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														20 V		550 mV @ 5 a		500 µA @ 20 V	-50 ° C ~ 150 ° C	5A	-
FDG410NZ	-	RFQ	3863	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-88 (SC-70-6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1 787		Canal n		20 V	2.2a (TA)	1,5 V, 4,5 V	70MOHM @ 2,2A, 4,5 V	1V @ 250µA	7,2 NC @ 4,5 V	± 8v	535 pf @ 10 V	-	420mw (TA)
FQB3N60CTM	0,6100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		600 V	3A (TC)	10V	3,4 ohm @ 1,5a, 10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 30V	565 pf @ 25 V	-	75W (TC)
1N5234B	0,0300	RFQ	542	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou					500 MW	-	télécharger					EAR99	8541.10.0050	11 539																			5 µA @ 4 V													6.2 V	7 ohms
Fep16ct	0 4700	RFQ	90	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 220-3			Standard		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0080	50	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													1 paire la commune de cathode	150 V	16A	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BC547ATA	0,0300	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				500 MW	To-92-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	8 959																								45 V	100 mA						15NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	300 MHz
FDS6576	1 0000	RFQ	1383	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal p		20 V	11a (ta)	2,5 V, 4,5 V	14MOHM @ 11A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	60 NC @ 4,5 V	± 12V	4044 PF @ 10 V	-	2.5W (TA)