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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Gagner | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | FGPF120N30TU | 4.2700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Standard | 60 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | - | - | 300 V | 120 A | 180 A | 1,4 V @ 15V, 25A | - | 112 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFA20U20DNTU | 0,8500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 20A | 1,2 V @ 20 A | 40 ns | 20 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1242YTU | 0,1800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | 10 W | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 5 040 | 20 V | 5 a | 100 µA (ICBO) | Pnp | 1V @ 100mA, 4A | 160 @ 500mA, 2V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FPAB50ph60 | 17.0600 | ![]() | 347 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | Module 27-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 | 2 phases | 30 A | 600 V | 2500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD1701A | 0,1000 | ![]() | 966 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Standard | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 30 V | 1,1 V @ 50 Ma | 1 ns | 50 na @ 20 V | 150 ° C (max) | 50m | 1pf @ 0v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW2503N | 0.4400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | FDW25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 600mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 20V | 5.5a | 21MOHM @ 5.5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 17nc @ 4,5 V | 1082pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB17P10TM | 1.0100 | ![]() | 5526 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 281 | Canal p | 100 V | 16,5a (TC) | 10V | 190mohm @ 8.25a, 10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2222TFR | - | ![]() | 6552 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 30 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pn2222anlbu | 1 0000 | ![]() | 3032 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | 40 V | 1 a | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgp15n60ruftu | 3.0300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | SGP15N | Standard | 160 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 300 V, 15A, 13OHM, 15V | - | 600 V | 24 A | 45 A | 2,8 V @ 15V, 15A | 320µJ (ON), 356µJ (OFF) | 42 NC | 17NS / 44NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3563 | 0,0400 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 350mw | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 14 dB ~ 26 dB | 15V | 50m | NPN | 20 @ 8mA, 10V | 1,5 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6714A | 0 2400 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 1 W | À 226-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 500 | 30 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500 MV à 100MA, 1A | 50 @ 1A, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD1616ALBU | 0,0700 | ![]() | 490 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 750 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 60 V | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 50mA, 1A | 300 @ 100mA, 2V | 160 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ztx749a | 0.1400 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 1 W | À 226 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 500 | 35 V | 2 A | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 MV @ 200mA, 2A | 100 @ 1A, 2V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjv4109rmtf | 0,0200 | ![]() | 2702 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV410 | 200 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 939 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV @ 1MA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 200 MHz | 4,7 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7060N7 | 1,6000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 188 | Canal n | 30 V | 19A (TA) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 19A, 10V | 3V à 250µA | 56 NC @ 5 V | ± 20V | 3274 PF @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS0308CS | 1 5000 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 22a (ta) | 3MOHM @ 21A, 10V | 3V @ 1MA | 66 NC @ 10 V | 4225 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 65W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDB039N06 | - | ![]() | 4318 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 10V | 3,9MOHM @ 75A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 133 NC @ 10 V | ± 20V | 8235 PF @ 25 V | - | 231W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB2P25TM | - | ![]() | 8715 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 250 V | 2.3A (TC) | 10V | 4OHM @ 1.15A, 10V | 5V @ 250µA | 8,5 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS3202RTA | - | ![]() | 5508 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Court | FJNS32 | 300 MW | To-92s | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 5mA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF8N80 | 1.6700 | ![]() | 557 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal n | 800 V | 5.9a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2 95a, 10v | 5V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ± 30V | 2350 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffaf10u120dntu | 1.4800 | ![]() | 360 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | Standard | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 10A | 3,5 V @ 10 A | 100 ns | 10 µA à 1200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3009R | 1 0000 | ![]() | 8646 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | FJY300 | 200 MW | SOT-523F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV @ 1MA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 250 MHz | 4,7 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjaf6810aydtbtu | 0,5100 | ![]() | 4819 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | 60 W | To-3pf | - | Rohs3 conforme | 2156-fjaf6810aydtbtu-fs | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 750 V | 10 a | 1 mA | NPN | 3V @ 1.5A, 6A | 5 @ 6a, 5v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDZ2553N | 0,5900 | ![]() | 135 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 18-WFBGA | FDZ25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W | 18-BGA (2,5x4) | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 9.6a | 14MOHM @ 9.6A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 17nc @ 4,5 V | 1299pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1N30N60A4D | 18.2300 | ![]() | 844 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | 255 W | Standard | SOT-227B | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Célibataire | - | 600 V | 96 A | 2,7 V @ 15V, 30A | 250 µA | Non | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA15N120FTDTU | - | ![]() | 3612 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA15N120 | Standard | 220 W | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 575 ns | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 30 A | 45 A | 2V @ 15V, 15A | - | 100 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDI33N25TU | 1 0000 | ![]() | 7880 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 33A (TC) | 10V | 94MOHM @ 16,5A, 10V | 5V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 2135 PF @ 25 V | - | 235W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fes16dt | - | ![]() | 7731 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | Standard | À 220-2 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 170pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7064N7 | 1 0000 | ![]() | 8665 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16.5A (TA) | 4,5 V | 7MOHM @ 16,5A, 4,5 V | 2V à 250µA | 48 NC @ 4,5 V | ± 12V | 3355 PF @ 15 V | - | 3W (TA) |
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