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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Couprage de tension Au Courant - FUITE INVERSÉ @ VR | COUPLIER COURANT à la tension - en Avant (VF) (max) @ si |
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![]() | FQI13N50CTU | 1.4200 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 212 | Canal n | 500 V | 13A (TC) | 10V | 480mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 2055 PF @ 25 V | - | 195W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB3N40TM | 0,3700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 400 V | 2.5a (TC) | 10V | 3,4 ohm @ 1,25a, 10v | 5V @ 250µA | 7,5 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC655AN | 1.7900 | ![]() | 299 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 6.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 27MOHM @ 6.3A, 10V | 3V à 250µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | 830 pf @ 15 V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSS2N60B | 0.1900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 2A (TJ) | 10V | 5OHM @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 23W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx79c3v9 | 0,0300 | ![]() | 474 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Do-35 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 727 | 1.5 | 10 | 1 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP5555STU | 0,4100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hgtg30n60c3d_nl | - | ![]() | 7652 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 208 W | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 13 | - | 60 ns | - | 600 V | 63 A | 252 A | 1,8 V @ 15V, 30A | - | 250 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa539ybu | 0,0300 | ![]() | 8619 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 400 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 9 000 | 45 V | 200 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 mV @ 15mA, 150mA | 120 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCI25N60N | - | ![]() | 9481 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Supremos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | FCI25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 600 V | 25a (TC) | 10V | 125 mOhm @ 12,5a, 10v | 4V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ± 30V | 3352 PF @ 100 V | - | 216W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB10N20LTM | 0,5900 | ![]() | 5050 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 457 | Canal n | 200 V | 10A (TC) | 5v, 10v | 360 MOHM @ 5A, 10V | 2V à 250µA | 17 NC @ 5 V | ± 20V | 830 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 87W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRP745TU | 0,3000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | Schottky | À 220-2 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 650 MV @ 7,5 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP5N120CN | - | ![]() | 5235 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Standard | 167 W | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 960v, 5,5a, 25 ohms, 15v | NPT | 1200 V | 25 A | 40 A | 2,4 V @ 15V, 5.5A | 400 µJ (ON), 640µJ (OFF) | 75 NC | 22NS / 180NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N754atr | 0,0500 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 1 V | 6,8 V | 5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rhrg1560cc_nl | 1 0000 | ![]() | 8803 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Avalanche | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 15A | 2.1 V @ 15 A | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD1621RTF | 0.1400 | ![]() | 6823 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 500 MW | SOT-89-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 170 | 25 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 400 mV à 75mA, 1,5a | 100 @ 100mA, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6670A | 0,3900 | ![]() | 110 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 779 | Canal n | 30 V | 13a (ta) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 13A, 10V | 3V à 250µA | 30 NC @ 5 V | ± 20V | 2220 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z43V | 0,0200 | ![]() | 54 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523F | MM5Z4 | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 50 na @ 30,1 V | 43 V | 150 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76132P3 | 0,9000 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Vendeur indéfini | 2156-HUF76132P3-600039 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5249b | 1.8400 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 14 V | 19 V | 23 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFAF10U170STU | 0,6000 | ![]() | 117 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | Variante to-3pf, 2 pistes | Standard | To-3pf-2l | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 360 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1700 V | 2.2 V @ 10 A | 140 ns | 100 µA à 1700 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C15-T50R | 0,0300 | ![]() | 35 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 539 | 1,5 V @ 100 mA | 50 na @ 10,5 V | 15 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC308 | - | ![]() | 4627 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 036 | 25 V | 100 mA | 15NA | Pnp | 500 mV @ 5mA, 100mA | 120 @ 2MA, 5V | 130 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMD8260L | 1.6600 | ![]() | 122 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 12-POWERWDFN | FDMD8260 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 12 Puisse3.3x5 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 60V | 15A | 5,8MOHM @ 15A, 10V | 3V à 250µA | 68nc @ 10v | 5245pf @ 30v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9012HBU | 0,0300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | SS9012 | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 600 mV à 50ma, 500mA | 144 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU6N25 | 0,2500 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 211 | Canal n | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1,1 ohm @ 2,2a, 10v | 5V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS86204 | 0,8700 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76439P3 | 0,5700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 60 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 84 NC @ 10 V | ± 16V | 2745 PF @ 25 V | - | 155W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP12N10L | - | ![]() | 5242 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-RFP12N10L-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA5N90 | 1.1200 | ![]() | 523 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | Canal n | 900 V | 5.8A (TC) | 10V | 2,3 ohm @ 2,9a, 10v | 5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1550 pf @ 25 V | - | 185W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp8099tf | 0,0200 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 15 000 | 80 V | 500 mA | 100NA | NPN | 300 mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 1MA, 5V | 150 MHz |
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