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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | ES3D | - | ![]() | 9738 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Standard | SMC (DO-214AB) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS7572S | 0,8400 | ![]() | 81 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 25 V | 23A (TA), 49A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,9MOHM @ 23A, 10V | 3V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 2780 PF @ 13 V | - | 2.5W (TA), 46W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76639S3S | 0,6700 | ![]() | 9021 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 353 | Canal n | 100 V | 51A (TC) | 4,5 V, 10V | 26MOHM @ 51A, 10V | 3V à 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 16V | 2400 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5321 | 0 2400 | ![]() | 48 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | KSC532 | À 220-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 600mA, 3A | 15 @ 600mA, 5V | 14 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD14LN05SM | 0 2400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | RFD14 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si4963dy | 0,6300 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4963 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw (TA) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 Canal P (double) | 20V | 6.2a (TA) | 33MOHM @ 6.2A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 20nc @ 4,5 V | 1456pf @ 10v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N758atr | 0,0500 | ![]() | 101 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 1 V | 10 V | 17 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF46N15 | 1.2400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 150 V | 25,6a (TC) | 10V | 42MOHM @ 12.8A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 25V | 3250 pf @ 25 V | - | 66W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C15-T50A | 0,0300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | BZX85C15 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 095 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 10,5 V | 15 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSH17 | 0,0600 | ![]() | 42 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | MPSH17 | 350mw | To-92-3 | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | 24 dB | 15V | - | NPN | 25 @ 5mA, 10V | 800 MHz | 6 dB à 200mHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N308AD3 | 0,3300 | ![]() | 69 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 50A, 10V | 3V à 250µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 15 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4004R | 0,0200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | FJY400 | 200 MW | SOT-523F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 15 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 68 @ 5mA, 5V | 200 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS7620 | 1 0000 | ![]() | 5147 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | FDMS7620 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | Power56 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 30V | 10.1a, 12.4a | 20mohm @ 10.1a, 10v | 3V à 250µA | 11nc @ 10v | 608pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si4435dy | - | ![]() | 7057 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Hexfet® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 30 V | 8A (TC) | 4,5 V, 10V | 20 mohm @ 8a, 10v | 1V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2320 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C13 | 0,0200 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 1,5 V @ 100 mA | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5999B | 3.4100 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 96 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 7 V | 9.1 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB11P06TM | 0,7200 | ![]() | 814 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal p | 60 V | 11.4a (TC) | 10V | 175MOHM @ 5.7A, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 25V | 550 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546CBU | 1 0000 | ![]() | 4139 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFP9610 | - | ![]() | 4188 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 200 V | 1.75A (TC) | 10V | 3OHM @ 900mA, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 285 PF @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8426A | 0,4100 | ![]() | 296 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 20 V | 10.5a (TA) | 2,7 V, 4,5 V | 13,5 mohm @ 10,5a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 60 NC @ 4,5 V | ± 8v | 2150 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS9Z14 | 0,2700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 60 V | 5.3A (TC) | 10V | 500 mOhm @ 2,7a, 10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 24W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8570SDC | 1.3700 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | FDMS85 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dual Cool ™ 56 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | Canal n | 25 V | 28A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,8MOHM @ 28A, 10V | 2.2v @ 1MA | 42 NC @ 10 V | ± 12V | 2825 PF @ 13 V | Diode Schottky (Corps) | 3.3W (TA), 59W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCA22N60N | 4.6600 | ![]() | 978 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Supremos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pn | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 65 | Canal n | 600 V | 22A (TC) | 10V | 165MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1950 PF @ 100 V | - | 205W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5230B | 1 0000 | ![]() | 8598 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfw630btm | - | ![]() | 4921 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 4,5a, 10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 30V | 720 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 72W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP125N60E | - | ![]() | 6733 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | FCP125 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 600 V | 29A (TC) | 10V | 125MOHM @ 14.5A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2990 PF @ 380 V | - | 278W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS830B | 0,2500 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 4.5a (TJ) | 10V | 1,5 ohm @ 2,25a, 10v | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1050 pf @ 25 V | - | 38W (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si9933bdy | - | ![]() | 4430 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI9933 | - | 900mw (TA) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal P (double) | 20V | 3.4A (TA) | 75MOHM @ 3.2A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 20nc @ 4,5 V | 825pf @ 10v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD261GBU | 0,0300 | ![]() | 4116 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 9 000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400 mV à 50ma, 500mA | 200 @ 100mA, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tip30ctu | - | ![]() | 6298 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 2 W | À 220-3 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-TIP30CTU-600039 | 1 | 100 V | 1 a | 300 µA | Pnp | 700 mV à 125mA, 1A | 40 @ 200mA, 4V | 3 MHz |
Volume de RFQ moyen quotidien
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