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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Taper fet	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
TIP31CTU	-	RFQ	1727	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	TIP31			2 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																								100 V	3 A											300 µA				NPN	1,2 V @ 375mA, 3A	10 @ 3A, 4V	3 MHz
MMBF4118	-	RFQ	2719	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBF41			225 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1		Canal n										3pf @ 10v																					40 V	80 µA @ 10 V	1 V @ 1 na
Bzx85c6v2	0,0300	RFQ	24	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial				1 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	1																		1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 3 V																	6.2 V	4 ohms
FDME430NT	0 2200	RFQ	34	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6 powerufdfn			MOSFET (Oxyde Métallique)		Microfet 1,6x1,6 hachce	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	5 000		Canal n			30 V	6a (ta)		40 mohm @ 6a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	9 NC @ 4,5 V	± 12V	760 pf @ 15 V	-	700MW (TA)
IRFR9110TF	0,3200	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	2 000		Canal p			100 V	3.1A (TC)	10V	1,2 ohm @ 1,9a, 10v	4V @ 250µA	8,7 NC @ 10 V	± 20V	290 pf @ 25 V	-	25W (TC)
FDB9403	2.3100	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif					FDB940		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	800													-
Fjv3101rlimtf	0,0200	RFQ	192	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif										-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	3 000
FDMS0306S	0 2400	RFQ	12	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif					FDMS03					-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	3 000						-
FQPF13N50CTC003	-	RFQ	7243	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1		Canal n			500 V	13A (TJ)	10V	480mohm @ 6.5a, 10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 30V	2055 PF @ 25 V	-	48W (TC)
SFS9630YDTUAS001	0,2700	RFQ	9574	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif					SFS9630		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	800													-
Fjx733ytf	0,0500	RFQ	85	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	FJX733			200 MW	SC-70 (SOT323)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000																								50 V	150 mA											100NA (ICBO)				Pnp	300 mV @ 10mA, 100mA	120 @ 1MA, 6V	180 MHz
HUF75637S3	1 5000	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif					HUF75637		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1													-
BZX85C18-T50R	0,0300	RFQ	27	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial				1 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	1																		1,2 V @ 200 mA		500 na @ 12,5 V																	18 V	20 ohms
FDPF035N06B	1.1400	RFQ	178	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif					FDPF035		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1													-
FJY4002R	0,0500	RFQ	860	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	SC-89, SOT-490	FJY400			200 MW	SOT-523F	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000																								50 V	100 mA											100NA (ICBO)				PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	30 @ 5mA, 5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
2SC5200rtu	2.1300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa				150 W	À 264-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1																								250 V	17 A											5µA (ICBO)				NPN	3V @ 800mA, 8A	55 @ 7a, 5v	30 MHz
MMBF4119	-	RFQ	9163	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				225 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000		Canal n										3pf @ 10v																					40 V	200 µA @ 10 V	2 V @ 1 na
HGTG12N60C3D	-	RFQ	8136	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	HGTG12N60	Standard		104 W	À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	1			-																42 ns				-	600 V	24 A	96 A	2.2V @ 15V, 15A	380 µJ (ON), 900µJ (OFF)	48 NC	-
Mmbth10rg	0,0700	RFQ	378	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				225mw	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000				-																				40V	50m															NPN		50 @ 1MA, 6V	450 MHz			-
FGB3245G2	-	RFQ	7607	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif										-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini				800
MMSZ5256B	0,0200	RFQ	838	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	150 ° C (TJ)	Support de surface	SOD-123				500 MW	SOD-123	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000																		900 mV @ 10 mA		100 na @ 23 V																	30 V	49 ohms
Bzx84c24	-	RFQ	6689	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Bzx84			250 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	8 000																		900 mV @ 10 mA		100 na @ 16,8 V																	24 V	70 ohms
GBPC1208	1.1600	RFQ	760	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	4 Carrés, GBPC			Standard		GBPC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.10.0080	1																		1.1 V @ 6 A		5 µA @ 800 V		12 A									Monophasé	800 V
MMBD7000	0,0300	RFQ	5507	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD70		Standard		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	580	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse														Connexion de la Séririe 1 paire	100 V	200m	1,1 V @ 100 mA	4 ns	500 na @ 100 V	150 ° C (max)
IRFR120	0,4200	RFQ	990	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre Affeté	2156-IRFR120-600039			1		Canal n			100 V	7.7a (TC)	10V	270MOHM @ 4.6A, 10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
HUF75344P3	-	RFQ	3937	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-HUF75344P3-600039			1		Canal n			55 V	75A (TC)	10V	8MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	± 20V	3200 pf @ 25 V	-	285W (TC)
FDP023N08B-F102	-	RFQ	3201	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	-				2156-FDP023N08B-F102			1		Canal n			75 V	120A (TC)	10V	2 35 mohm @ 75a, 10v	3,8 V @ 250µA	195 NC @ 10 V	± 20V	13765 PF @ 37,5 V	-	245W (TC)
FQH44N10-F133	-	RFQ	4726	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	-				2156-FQH44N10-F133			1		Canal n			100 V	48A (TC)	10V	39MOHM @ 24A, 10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	± 25V	1800 pf @ 25 V	-	180W (TC)
FDMS7680	-	RFQ	1255	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n			30 V	14A (TA), 28A (TC)	4,5 V, 10V	6,9MOHM @ 14A, 10V	3V à 250µA	28 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 33W (TC)
J112	-	RFQ	4979	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW	To-92-3	télécharger						0000.00.0000	27		Canal n										-																					35 V	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA				50 ohms