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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)
SFU9210TU	0,3200	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	1			Canal p	200 V	1.6A (TC)	10V	3OHM @ 800mA, 10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 30V	285 PF @ 25 V	-	2.5W (TA), 19W (TC)
IRFS254BFP001	0,2700	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n	250 V	16A (TC)	10V	140mohm @ 8a, 10v	4V @ 250µA	123 NC @ 10 V	± 30V	3400 pf @ 25 V	-	90W (TC)
HUF76113SK8	0,5500	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 VFSOP (0,091 ", 2,30 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		US8	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n	30 V	6.5A (TA)	4,5 V, 10V	30 mohm @ 6.5a, 10v	3V à 250µA	21 NC @ 10 V	± 20V	585 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
RFP50N06_NL	-	RFQ	3974	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n	60 V	50A (TC)	10V	22MOHM @ 50A, 10V	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	± 20V	2020 PF @ 25 V	-	131W (TC)
FDD5N53TM	0,4000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n	530 V	4A (TC)	10V	1,5 ohm @ 2a, 10v	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 30V	640 PF @ 25 V	-	40W (TC)
EGP20D	1 0000	RFQ	3844	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AC, DO-15, axial		Standard		Do-15	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)												200 V	950 MV @ 2 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	70pf @ 4v, 1mhz
MBR1660	1 0000	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 220-2		Schottky		À 220AC	télécharger				EAR99	8541.10.0080	302		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)												60 V	750 MV @ 16 A		1 ma @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	450pf @ 4v, 1MHz
FDS9435A	-	RFQ	8938	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1			Canal p	30 V	5.3A (TA)	4,5 V, 10V	50mohm @ 5.3a, 10v	3V à 250µA	14 NC @ 10 V	± 25V	528 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Fqu5n40tu	0,5600	RFQ	28	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger				EAR99	8542.39.0001	535			Canal n	400 V	3.4A (TC)	10V	1,6 ohm @ 1,7a, 10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 30V	460 pf @ 25 V	-	2,5W (TA), 45W (TC)
1N5249btr	0,0200	RFQ	138	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1															1,2 V @ 200 mA		100 na @ 14 V						19 V	23 ohms
DFB2020	1.3600	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, TS-6P		Standard		TS-6P	télécharger				EAR99	8541.10.0080	240															1.1 V @ 20 A		10 µA @ 200 V		20 a		Monophasé	200 V
FQP20N06L	-	RFQ	2169	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	-					0000.00.0000	1			Canal n	60 V	21A (TC)	5v, 10v	55MOHM @ 10.5A, 10V	2,5 V @ 250µA	13 NC @ 5 V	± 20V	630 pf @ 25 V	-	53W (TC)
FDD6688	1.1100	RFQ	149	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1			Canal n	30 V	84A (TA)	4,5 V, 10V	5MOHM @ 18A, 10V	3V à 250µA	56 NC @ 10 V	± 20V	3845 PF @ 15 V	-	83W (TA)
Isl9v2040d3st	0,9700	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									télécharger				EAR99	8542.39.0001	309
FCH76N60NF	12.8900	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Supremos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger				EAR99	8541.29.0095	24			Canal n	600 V	72.8a (TC)	10V	38MOHM @ 38A, 10V	5V @ 250µA	300 NC @ 10 V	± 30V	11045 PF @ 100 V	-	543W (TC)
1N4754A	0,0300	RFQ	102	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 20 ° C	Par le trou	Axial			1 W	Axial	télécharger				EAR99	8541.10.0050	9 779																	5 µA à 29,7 V						39 V	60 ohms
FDPF15N65	-	RFQ	2828	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1			Canal n	650 V	15A (TC)	10V	440mohm @ 7,5a, 10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 30V	3095 PF @ 25 V	-	38,5W (TC)
FCPF2250N80Z	1.5100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	216			Canal n	800 V	2.6a (TC)	10V	2,25 ohm @ 1,3a, 10v	4,5 V @ 260µA	14 NC @ 10 V	± 20V	585 pf @ 100 V	-	21.9W (TC)
GBPC25005W	2.7900	RFQ	500	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W	GBPC25005	Standard		GBPC-W	télécharger				EAR99	8541.10.0080	117															1,1 V @ 7,5 A		5 µA @ 50 V		25 A		Monophasé	50 V
GBPC1202W	3.3700	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, GBPC-W		Standard		GBPC-W	télécharger				EAR99	8541.10.0080	90															1.1 V @ 6 A		5 µA @ 200 V		12 A		Monophasé	200 V
MM3Z24VB	0,0300	RFQ	62	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-90, SOD-323F			200 MW	SOD-323F	télécharger				EAR99	8541.10.0050	11 539															1 V @ 10 mA		45 na @ 16,8 V						24 V	65 ohms
DFB2560	1.7700	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, TS-6P		Standard		TS-6P	télécharger				EAR99	8541.10.0080	170															1.1 V @ 25 A		10 µA @ 600 V		25 A		Monophasé	600 V
Fdn352ap	1 0000	RFQ	6950	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	FDN352	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	télécharger				EAR99	8541.21.0095	1			Canal p	30 V	1.3A (TA)	4,5 V, 10V	180MOHM @ 1,3A, 10V	2,5 V @ 250µA	1,9 NC @ 4,5 V	± 25V	150 pf @ 15 V	-	500mw (TA)
1N5245B	0,0300	RFQ	65	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Do-35	télécharger				EAR99	8541.10.0050	11 539																	100 na @ 11 V						15 V	16 ohms
FDMS86152	2.6400	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	114			Canal n	100 V	14A (TA), 45A (TC)	6v, 10v	6MOHM @ 14A, 10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 20V	3370 PF @ 50 V	-	2.7W (TA), 125W (TC)
GBPC1210	1 0000	RFQ	8187	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC		Standard		GBPC	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1															1.1 V @ 6 A		5 µA @ 1 V		12 A		Monophasé	1 kv
FDH047AN08A0	1 0000	RFQ	9498	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger				EAR99	8541.29.0095	1			Canal n	75 V	15A (TC)	6v, 10v	4,7MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	± 20V	6600 pf @ 25 V	-	310W (TC)
Nsr01f30nxt5g	0,0700	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	0201 (0603 MÉTrique)		Schottky		2-DSN (0,60x0.30)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	4 157		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse												30 V	500 mV à 100 mA		50 µA @ 30 V	125 ° C (max)	100 mA	7pf @ 5v, 1mhz
Efc4c002nltdg	-	RFQ	5939	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	8-xfbga, wlcsp	EFC4C002	MOSFET (Oxyde Métallique)	2.6W	8-WLCSP (6x2,5)	télécharger					0000.00.0000	1	2 Canaux N (double) draine commun			-	-		-	2.2v @ 1MA	45nc @ 4,5 V		6200pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
Df01m	0,2600	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-Edip (0,300 ", 7,62 mm)		Standard		DFM	télécharger				EAR99	8541.10.0080	1 151															1.1 V @ 1 A		10 µA à 100 V		1 a		Monophasé	100 V