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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | BC856BMTF | - | ![]() | 3208 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 310 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FVP12030IM3LEG1 | 18.3200 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | Plateau | Obsolète | Par le trou | Module 19-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 40 | Demi-pont | 120 A | 300 V | 1500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMSZ5248B | - | ![]() | 6210 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 14 V | 18 V | 16 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50450T | 4.3800 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | Tube | Obsolète | Par le trou | Module 23-Powerdip (0 748 ", 19,00 mm) | Mosfet | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 15 | 3 phase | 1,5 A | 500 V | 1500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNA40860B2 | 12.9000 | ![]() | 211 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion SPM® 45 | En gros | Actif | Par le trou | Module 26-Powerdip (1 024 ", 26,00 mm) | Igbt | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3 phase | 8 A | 600 V | 2000 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HRF3205 | 1.5800 | ![]() | 82 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 100A (TC) | 8MOHM @ 59A, 10V | 4V @ 250µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 25 V | - | 175W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMM7G50US60I | 28.1700 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | Module | 139 W | Redredeur de pont en trois phases | - | télécharger | Rohs non conforme | Atteindre non affecté | 2156-FMM7G50US60I | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE | - | 600 V | 50 a | 2,7 V @ 15V, 50A | 250 µA | Oui | 3 565 nf @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fcpf11n60nt | 2.2300 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Supermos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 135 | Canal n | 600 V | 10.8a (TC) | 10V | 299MOHM @ 5.4A, 10V | 4V @ 250µA | 35,6 NC @ 10 V | ± 30V | 1505 pf @ 100 V | - | 32.1w (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75321P3 | 0,6400 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 468 | Canal n | 55 V | 35A (TC) | 10V | 34MOHM @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 20 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 93W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857AMTF | 0,0300 | ![]() | 195 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 310 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz5v1b | - | ![]() | 3154 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,2 V @ 200 mA | 190 na @ 1,5 V | 5.1 V | 17 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4672A | - | ![]() | 6057 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS4672 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 40 V | 11a (ta) | 4,5 V | 13MOHM @ 11A, 4,5 V | 2V à 250µA | 49 NC @ 4,5 V | ± 12V | 4766 PF @ 20 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6517CTA | 1 0000 | ![]() | 3450 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 500 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 1V @ 5mA, 50mA | 20 @ 50mA, 10V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBM30SH60A | 23.8200 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | En gros | Actif | Par le trou | Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 48 | 3 phase | 30 A | 600 V | 2500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFAF05U120DNTU | 1.0600 | ![]() | 699 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | Standard | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 5A | 3,5 V @ 5 A | 100 ns | 5 µA à 1200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8858H | 0,5300 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NDS885 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 30V | 6.3a, 4.8a | 35MOHM @ 4.8A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 30nc @ 10v | 720pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z20V | 1 0000 | ![]() | 1416 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4403BU | 0,0400 | ![]() | 309 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 242 | 40 V | 600 mA | - | Pnp | 750 MV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSB50550U | 6.9400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | Tube | Obsolète | Par le trou | Module 23-Powerdip (0,551 ", 14,00 mm) | Mosfet | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8542.39.0001 | 15 | 3 phase | 2 A | 500 V | 1500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSAM75SM60SL | 46.6600 | ![]() | 240 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SPM® | En gros | Actif | Par le trou | Module 32-Powerdip (1 370 ", 34,80 mm) | Igbt | FSAM75 | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3 phase | 75 A | 600 V | 2500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fcpf36n60nt | 5.9800 | ![]() | 67 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Supremos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 600 V | 36a (TC) | 10V | 90MOHM @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 112 NC @ 10 V | ± 30V | 4785 PF @ 100 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI1P50TU | 1 0000 | ![]() | 6883 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 500 V | 1.5A (TC) | 10V | 10,5 ohm @ 750mA, 10V | 5V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFP2955 | 0,3300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 60 V | 9.4a (TC) | 10V | 300mohm @ 4.7a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si3442dv | 0,1500 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 4.1a (TA) | 2,7 V, 4,5 V | 60 mohm @ 4.1a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 14 NC @ 4,5 V | 8v | 365 PF @ 10 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDI9406-F085 | 1.3100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-FDI9406-F085-600039 | 1 | Canal n | 40 V | 110a (TC) | 10V | 2,2MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 7710 PF @ 25 V | - | 176W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kst43mtf | 0,0400 | ![]() | 6639 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 6 000 | 200 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 2MA, 20mA | 40 @ 30mA, 10V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5252B | 0,0200 | ![]() | 149 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 659 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 18 V | 24 V | 33 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9224TM | 0,3000 | ![]() | 374 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 987 | Canal p | 250 V | 2.5a (TC) | 10V | 2,4 ohm @ 1,3a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 540 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdfme3n311zt | 1 0000 | ![]() | 5747 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UFDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-UMLP (1.6x1.6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 5 000 | Canal n | 30 V | 1.8A (TA) | 299MOHM @ 1.6A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 1,4 NC @ 4,5 V | ± 12V | 75 PF @ 15 V | - | 600mw (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqp3p20 | 0,7100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 422 | Canal p | 200 V | 2.8A (TC) | 10V | 2,7 ohm @ 1,4a, 10v | 5V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 52W (TC) |
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