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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Gagner | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | NDS355AN-F169 | - | ![]() | 4005 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156S355AN-F169-600039 | 1 | Canal n | 30 V | 1.7A (TA) | 4,5 V, 10V | 85MOHM @ 1.9A, 10V | 2V à 250µA | 5 NC @ 5 V | ± 20V | 195 PF @ 15 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP32C | - | ![]() | 4328 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | TIP32C | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 2 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 476 | 100 V | 3 A | 300 µA | Pnp | 1,2 V @ 375mA, 3A | 25 @ 1A, 4V | 3 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS520A | 0,3400 | ![]() | 2724 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 640 | Canal n | 100 V | 7.2a (TC) | 10V | 200 mohm @ 3,6a, 10v | 4V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 480 pf @ 25 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N10 | 0,6100 | ![]() | 146 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 8.7A (TC) | 10V | 180mohm @ 4.35a, 10v | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD5041QTA | 0,0900 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | KSD5041 | 750 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 20 V | 5 a | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 100mA, 3A | 230 @ 500mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx84c5v1 | - | ![]() | 5914 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84c5 | 300 MW | SOT23-3 (à 236) | - | 0000.00.0000 | 1 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rurp860 | - | ![]() | 7415 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Standard | À 220-2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,5 V @ 8 A | 70 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF20UP20STU | 0 4600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | À 220f-2l | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,15 V @ 20 A | 45 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFB2510 | 1.6400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, TS-6P | DFB25 | Standard | TS-6P | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 199 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA à 100 V | 25 A | Monophasé | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSU2N60BTU | 0,3200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 1.8A (TC) | 10V | 5OHM @ 900mA, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75829D3 | 0.4900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | Canal n | 150 V | 18A (TC) | 10V | 110MOHM @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 20 V | ± 20V | 1080 PF @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RURD620 | 0,7100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Standard | I-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 6 A | 30 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1393OBU | 0,0200 | ![]() | 3503 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 250mw | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 035 | 20 dB ~ 24 dB | 30V | 20 mA | NPN | 60 @ 2MA, 10V | 700 MHz | 2DB ~ 3DB @ 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gf1g | - | ![]() | 4274 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI4N25TU | 0.1900 | ![]() | 8002 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 175 | Canal n | 250 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,75 ohm @ 1,8A, 10V | 5V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 30V | 200 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1730YBU | 0,0200 | ![]() | 584 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 250mw | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | - | 15V | 50m | NPN | 120 @ 5mA, 10V | 1,1 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBF15CH60BTH | 15.9000 | ![]() | 259 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion-SPM® | En gros | Actif | Par le trou | Module 27-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm) | Igbt | FSBF1 | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 19 | 3 phase | 15 A | 600 V | 2500 VRM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3563 | 0,0400 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 350mw | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 14 dB ~ 26 dB | 15V | 50m | NPN | 20 @ 8mA, 10V | 1,5 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC550 | 0,0400 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS5179 | - | ![]() | 9849 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | - | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 200 MW | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 774 | - | 12V | 50m | NPN | 25 @ 3MA, 1V | 2 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C12T50A | 0,0200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 8,4 V | 12 V | 9 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC838YTA | 0,0200 | ![]() | 1999 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 250 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 751 | 30 V | 30 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400 mV @ 1MA, 10mA | 120 @ 2MA, 12V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU6J | - | ![]() | 9391 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP, GBU | Standard | GBU | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 445 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 600 V | 4.2 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5245B | - | ![]() | 8224 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 11 V | 15 V | 16 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5226B | 0,0300 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 486 | 1,5 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 3,3 V | 28 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP6N25 | 0,3100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 250 V | 5.5A (TC) | 10V | 1OHM @ 2 75A, 10V | 5V @ 250µA | 8,5 NC @ 10 V | ± 30V | 300 pf @ 25 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx85c24 | 0,0300 | ![]() | 69 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Bzx85c24 | 1,3 W | Do-41g | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 18 V | 24 V | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB564ACGTA | 0,0200 | ![]() | 5217 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 800 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 514 | 25 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 MV à 100MA, 1A | 200 @ 100mA, 1v | 110 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu6n25TU | 0,5500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | Canal n | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1OHM @ 2,2A, 10V | 5V @ 250µA | 8,5 NC @ 10 V | ± 30V | 300 pf @ 25 V | - | 2,5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856AMTF | 0,0500 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 310 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz |
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