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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
BC558B	0,0400	RFQ	7235	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	1 278																							30 V	100 mA	15NA (ICBO)			Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	150 MHz
FDB3652SB82059	2.6000	RFQ	500	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif					FDB3652	-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1												-
Ksc1623omtf	0,0200	RFQ	6865	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			200 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000																							50 V	100 mA	100NA (ICBO)			NPN	300 mV @ 10mA, 100mA	90 @ 1MA, 6V	250 MHz
FQI7N60TU	1.1300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	FQI7N60	MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger					EAR99	8541.29.0095	267			Canal n	600 V	7.4a (TC)	10V	1OHM @ 3,7A, 10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 30V	1430 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 142W (TC)
HUF75645S3S	0,8700	RFQ	375	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400			Canal n	100 V	75A (TC)	10V	14MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	± 20V	3790 pf @ 25 V	-	310W (TC)
FDLL914	0,0300	RFQ	137	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80		Standard		SOD-80	télécharger					EAR99	8542.39.0001	11 539		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse													100 V		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	175 ° C (max)	200m	4pf @ 0v, 1mhz
HUFA75329D3	0,7200	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	75			Canal n	55 V	20A (TC)	10V	26MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	65 NC @ 20 V	± 20V	1060 pf @ 25 V	-	128W (TC)
FQB85N06TM	1.4200	RFQ	23	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n	60 V	85a (TC)	10V	10MOHM @ 42.5a, 10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	± 25V	4120 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 160W (TC)
HUFA75321D3ST	0,4200	RFQ	79	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	HUFA75	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	2 500			Canal n	55 V	20A (TC)	10V	36MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	± 20V	680 pf @ 25 V	-	93W (TC)
FDMS038Z	0,2700	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	3 000
KSC3569YTU	1 0000	RFQ	6299	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			15 W	À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50																							400 V	2 A	10µA (ICBO)			NPN	1V @ 100mA, 500mA	40 @ 100mA, 5V	-
Si3456dv	0,1800	RFQ	28	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6		MOSFET (Oxyde Métallique)		Supersot ™ -6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal n	30 V	5.1a (TA)	4,5 V, 10V	45MOHM @ 5.1A, 10V	2V à 250µA	12.6 NC @ 10 V	± 20V	463 PF @ 15 V	-	800mw (TA)
FQPF13N50C	1.2000	RFQ	17	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Fqpf1	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	1			Canal n	500 V	13A (TC)	10V	480mohm @ 6.5a, 10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 30V	2055 PF @ 25 V	-	48W (TC)
KSB1097YTU	0,3700	RFQ	940	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			2 W	À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50																							60 V	7 A	10µA (ICBO)			Pnp	500 MV à 500mA, 5A	100 @ 3a, 1v	-
BC638T	0,0500	RFQ	12	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			1 W	To-92-3	télécharger					EAR99	8541.29.0075	5 912																							60 V	1 a	100NA (ICBO)			Pnp	500 mV à 50ma, 500mA	40 @ 150mA, 2V	100 MHz
Ssd2007atf	0,5300	RFQ	37	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SSD2007	MOSFET (Oxyde Métallique)	2W	8-SOIC	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)			50v	2A		300 MOHM @ 1,5A, 10V	4V @ 250µA	15nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
HUF76143S3ST	0,6600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1			Canal n	30 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	5,5 mohm @ 75a, 10v	3V à 250µA	114 NC @ 10 V	± 20V	3900 pf @ 25 V	-	225W (TC)
MMSD914-FS	-	RFQ	7169	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	SOD-123		Standard		SOD-123	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 078		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse													100 V		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C	200m	4pf @ 0v, 1mhz
S1kfp	0,0700	RFQ	7976	Semi-conducteur de Fairchild	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			Support de surface	SOD-123H	S1k	Standard		SOD-123HE	télécharger					EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)													800 V		1,3 V @ 1,2 A	1,5 µs	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.2A	18pf @ 0v, 1mhz
Fqd17n08ltf	0,3400	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252-3 (DPAK)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal n	80 V	12.9A (TC)	5v, 10v	100MOHM @ 6 45A, 10V	2V à 250µA	11,5 NC @ 5 V	± 20V	520 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 40W (TC)
HUF76129D3S	0,5400	RFQ	24	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252-3 (DPAK)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1			Canal n	30 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	16MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	46 NC @ 10 V	± 20V	1425 pf @ 25 V	-	105W (TC)
BAT54CWT1G	-	RFQ	7445	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	SC-70, SOT-323	Bat54	Schottky		SC-70-3 (SOT323)	télécharger					EAR99	8541.10.0070	1		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse												1 paire la commune de cathode	30 V	200mA (DC)	800 mV à 100 mA	5 ns	2 µA @ 25 V	-55 ° C ~ 125 ° C
FDS6694	0 4600	RFQ	28	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	30 V	12A (TA)	4,5 V, 10V	11MOHM @ 12A, 10V	3V à 250µA	19 NC @ 5 V	± 20V	1293 PF @ 15 V	-	2.5W (TA)
FDP032N08B	-	RFQ	2431	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									télécharger		Vendeur indéfini	Vendeur indéfini	2156-FDP032N08B-600039			1
BD13616STU	0,2500	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3			1,25 W	TO-126-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1 222																							45 V	1,5 A	100NA (ICBO)			Pnp	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 2V	-
FQI7N10LTU	0,3200	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	100 V	7.3a (TC)	5v, 10v	350 mOhm @ 3 65a, 10v	2V à 250µA	6 NC @ 5 V	± 20V	290 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 40W (TC)
MMSZ5246B	1 0000	RFQ	8636	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	150 ° C (TJ)	Support de surface	SOD-123			500 MW	SOD-123	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000																	900 mV @ 10 mA		100 na @ 12 V							16 V	17 ohms
Fqd3n50ctf	1 0000	RFQ	4867	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal n	500 V	2.5a (TC)	10V	2,5 ohm @ 1,25a, 10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 30V	365 PF @ 25 V	-	35W (TC)
FQP2N80	0,7200	RFQ	900	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n	800 V	2.4a (TC)	10V	6,3 ohm @ 1,2a, 10v	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 30V	550 pf @ 25 V	-	85W (TC)
Fdd6n20tf	0,4800	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal n	200 V	4.5a (TC)	10V	800 mOhm @ 2,3a, 10v	5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	± 30V	230 pf @ 25 V	-	40W (TC)