SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
SFP9Z24 Fairchild Semiconductor SFP9Z24 0.1900
RFQ
ECAD 9251 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 1489 Canal p 60 V 9.7A (TC) 10V 280mohm @ 4.9a, 10v 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 49W (TC)
IRFW540ATM Fairchild Semiconductor IRFW540ATM 0,6900
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 100 V 28a (TC) 10V 52MOHM @ 14A, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 V ± 20V 1710 PF @ 25 V - 3.8W (TA), 107W (TC)
RFD14N05 Fairchild Semiconductor RFD14N05 -
RFQ
ECAD 1030 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 50 V 14A (TC) 10V 100 mohm @ 14a, 10v 4V @ 250µA 40 NC @ 20 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 48W (TC)
RHRA1560CC Fairchild Semiconductor Rhra1560cc 2.6100
RFQ
ECAD 48 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Standard To-3pn télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 600 V 15A 2.1 V @ 15 A 40 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C
FDD5680 Fairchild Semiconductor FDD5680 -
RFQ
ECAD 1442 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 60 V 8.5A (TA) 6v, 10v 21MOHM @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 V ± 20V 1835 PF @ 30 V - 2.8W (TA), 60W (TC)
2N3904TA Fairchild Semiconductor 2N3904TA 1 0000
RFQ
ECAD 8415 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 625 MW To-92-3 télécharger EAR99 8541.21.0075 1 40 V 200 mA - NPN 300 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 300 MHz
SS8550CTA Fairchild Semiconductor SS8550CTA 0,0600
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 1 W To-92-3 télécharger EAR99 8541.29.0075 4 948 25 V 1,5 A 100NA (ICBO) Pnp 500 mV @ 80mA, 800mA 120 @ 100mA, 1V 200 MHz
FDC642P Fairchild Semiconductor FDC642P 0,2000
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 516 Canal p 20 V 4a (ta) 2,5 V, 4,5 V 65MOHM @ 4A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 16 NC @ 4,5 V ± 8v 925 PF @ 10 V - 1.6W (TA)
FLZ2V2B Fairchild Semiconductor Flz2v2b 0,0200
RFQ
ECAD 24 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète ± 4% -65 ° C ~ 175 ° C Support de surface DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 500 MW SOD-80 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.10.0050 2 500 1,2 V @ 200 mA 55 µA à 700 mV 2,3 V 35 ohms
FQB16N15TM Fairchild Semiconductor FQB16N15TM 0,7200
RFQ
ECAD 959 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 150 V 16.4a (TC) 10V 160MOHM @ 8.2A, 10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 25V 910 PF @ 25 V - 3,75W (TA), 108W (TC)
FQU12N20TU Fairchild Semiconductor FQU12N20TU -
RFQ
ECAD 5171 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 200 V 9A (TC) 10V 280mohm @ 4.5a, 10v 5V @ 250µA 23 NC @ 10 V ± 30V 910 PF @ 25 V - 2,5W (TA), 55W (TC)
MM5Z30V Fairchild Semiconductor MM5Z30V 1 0000
RFQ
ECAD 2788 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète ± 7% -55 ° C ~ 150 ° C Support de surface SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523F - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 1 50 na @ 21 V 30 V 80 ohms
BZX55C12 Fairchild Semiconductor BZX55C12 0,0600
RFQ
ECAD 33 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.10.0050 1 000 1,3 V @ 100 mA 100 na @ 9 V 12 V 20 ohms
FDS6672A Fairchild Semiconductor FDS6672A 1.6500
RFQ
ECAD 259 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 12.5A (TA) 4,5 V, 10V 8MOHM @ 14A, 10V 2V à 250µA 46 NC @ 4,5 V ± 12V 5070 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
FDP15N65 Fairchild Semiconductor FDP15N65 1.4400
RFQ
ECAD 9042 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild UniFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 163 Canal n 650 V 15A (TC) 10V 440mohm @ 7,5a, 10v 5V @ 250µA 63 NC @ 10 V ± 30V 3095 PF @ 25 V - 250W (TC)
HUF76013P3 Fairchild Semiconductor HUF76013P3 0 2900
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 20 V 20A (TC) 5v, 10v 22MOHM @ 20A, 10V 3V à 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 624 PF @ 20 V - 50W (TC)
HUFA75842S3S Fairchild Semiconductor HUFA75842S3S 0,9000
RFQ
ECAD 542 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 150 V 43A (TC) 10V 42MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 V ± 20V 2730 pf @ 25 V - 230W (TC)
FDS4953 Fairchild Semiconductor FDS4953 -
RFQ
ECAD 6317 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FDS49 MOSFET (Oxyde Métallique) 900mw 8-SOIC - Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 2 500 2 Canal P (double) 30V 5A 55MOHM @ 5A, 10V 3V à 250µA 9NC @ 5V 528pf @ 15v Porte de Niveau Logique
2N5550BU Fairchild Semiconductor 2N5550BU 0,0200
RFQ
ECAD 7394 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 625 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 13 374 140 V 600 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 5mA, 50mA 60 @ 10mA, 5V 300 MHz
MPSW56 Fairchild Semiconductor MPSW56 0 1200
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 1 W À 226-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0075 1 500 80 V 1 a 500NA Pnp 500 mV @ 10mA, 250mA 50 @ 250mA, 1V 50 MHz
BZX84C33 Fairchild Semiconductor Bzx84c33 -
RFQ
ECAD 4290 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Bzx84 250 MW SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 900 mV @ 10 mA 50 na @ 23,1 V 33 V 80 ohms
MMBT2369A Fairchild Semiconductor MMBT2369A -
RFQ
ECAD 3975 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2369 225 MW SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 3 000 15 V 200 mA 400NA (ICBO) NPN 500 mV @ 10mA, 100mA 40 @ 10mA, 1v -
IRFW634BTMFP001 Fairchild Semiconductor Irfw634btmfp001 -
RFQ
ECAD 8478 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 250 V 8.1a (TA) 10V 450mohm @ 4.05a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 74W (TC)
FQB7P06TM Fairchild Semiconductor Fqb7p06tm 0,5300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 60 V 7a (TC) 10V 410mohm @ 3,5a, 10v 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 25V 295 pf @ 25 V - 3,75W (TA), 45W (TC)
FMG2G400LS60 Fairchild Semiconductor FMG2G400LS60 -
RFQ
ECAD 5933 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis 19 H-IA Fmg2 1.136 W Standard 19 H-IA télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Demi-pont - 600 V 400 A 1,8 V @ 15V, 400A 250 µA Non
FDS9400A Fairchild Semiconductor FDS9400A 0,5200
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger EAR99 8542.39.0001 622 Canal p 30 V 3.4A (TA) 4,5 V, 10V 130 mohm @ 1a, 10v 3V à 250µA 3,5 NC @ 5 V ± 25V 205 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
FDB6030L Fairchild Semiconductor FDB6030L 0.4900
RFQ
ECAD 22 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 30 V 48A (TA) 4,5 V, 10V 13MOHM @ 26A, 10V 3V à 250µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1250 pf @ 15 V - 52W (TC)
KSR1102MTF Fairchild Semiconductor KSR1102MTF 0,0700
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 KSR1102 200 MW SOT-23 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0075 4 438 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300 mV à 500 µA, 10mA 30 @ 5mA, 5V 250 MHz
FQU5N40TU Fairchild Semiconductor Fqu5n40tu 0,5600
RFQ
ECAD 28 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger EAR99 8542.39.0001 535 Canal n 400 V 3.4A (TC) 10V 1,6 ohm @ 1,7a, 10v 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 2,5W (TA), 45W (TC)
FDP6030L Fairchild Semiconductor FDP6030L 0,5700
RFQ
ECAD 61 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® Tube Obsolète -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 30 V 48A (TA) 4,5 V, 10V 13MOHM @ 26A, 10V 3V à 250µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1250 pf @ 15 V - 52W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock