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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
1N5247BTR	0,0200	RFQ	4891	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger	EAR99	8541.10.0050	1																		1,2 V @ 200 mA		100 na @ 13 V															17 V	19 ohms
1N5251B	0,0300	RFQ	163	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	Do-35	télécharger	EAR99	8541.10.0050	11 539																		900 mV @ 200 mA		100 na @ 17 V															22 V	29 ohms
FQAF16N50	2.7900	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pf	télécharger	EAR99	8542.39.0001	108			Canal n		500 V	11.3A (TC)	10V	320 MOHM @ 5.65A, 10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 30V	3000 pf @ 25 V	-	110W (TC)
FDS6682	-	RFQ	4662	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1			Canal n		30 V	14A (TA)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 14a, 10v	3V à 250µA	31 NC @ 5 V	± 20V	2310 PF @ 15 V	-	1W (ta)
Bzx79c10	0,0300	RFQ	203	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger	EAR99	8541.10.0050	11 539																		1,5 V @ 100 mA		200 na @ 7 V															10 V	20 ohms
BC556ABU	0,0400	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				500 MW	To-92-3	télécharger	EAR99	8541.21.0075	8 435																									65 V	100 mA								15NA (ICBO)			Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
FGPF4536	0,7300	RFQ	104	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 220-3 EXCHET		Standard		28,4 W	À 220f-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1				-																				Tranché	360 V		220 A	1,8 V @ 15V, 50A	-	47 NC	-
HUF75639S3STNL	-	RFQ	9938	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	EAR99	8541.29.0095	88			Canal n		100 V	56a (TC)	10V	25MOHM @ 56A, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 20 V	± 20V	2000 pf @ 25 V	-	200W (TC)
Mdb6	-	RFQ	3110	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif										télécharger	EAR99	8541.10.0080	1
BS170	-	RFQ	9226	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92	télécharger		0000.00.0000	1			Canal n		60 V	300mA (TA)		5OHM @ 200mA, 10V	3V @ 1MA			60 pf @ 10 V	-
1N5245B	0,0300	RFQ	65	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	Do-35	télécharger	EAR99	8541.10.0050	11 539																				100 na @ 11 V															15 V	16 ohms
FDMS86152	2.6400	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	114			Canal n		100 V	14A (TA), 45A (TC)	6v, 10v	6MOHM @ 14A, 10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 20V	3370 PF @ 50 V	-	2.7W (TA), 125W (TC)
MMBD6050	0,0300	RFQ	27	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			Standard		SOT-23-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse														70 V		1,1 V @ 100 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	200m	2,5pf @ 0v, 1MHz
GBPC1210	1 0000	RFQ	8187	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Carrés, GBPC			Standard		GBPC	télécharger	EAR99	8541.10.0080	1																		1.1 V @ 6 A		5 µA @ 1 V		12 A										Monophasé	1 kv
Fes6d	-	RFQ	4553	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	À 277, 3-Powerdfn			Standard		À 277-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)														200 V		1.05 V @ 6 A	25 ns	2 µA @ 200 V		6A	60pf @ 4V, 1MHz
SB380	0,2500	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-201D, axial			Schottky		Do-201Dad	télécharger	EAR99	8541.10.0080	1 219		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														80 V		850 mV @ 3 a		500 µA @ 80 V	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	180pf @ 4V, 1MHz
FDD8882	0,5100	RFQ	11	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	588			Canal n		30 V	12.6A (TA), 55A (TC)	4,5 V, 10V	11,5MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V	1260 pf @ 15 V	-	55W (TC)
FDD8770	0,4000	RFQ	79	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	742			Canal n		25 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	4MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250µA	73 NC @ 10 V	± 20V	3720 PF @ 13 V	-	115W (TC)
FDPF5N50NZF	0,7900	RFQ	552	Semi-conducteur de Fairchild	Unifet-ii ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n		500 V	4.2a (TC)	10V	1 75 ohm @ 2,1a, 10v	5V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 25V	485 PF @ 25 V	-	30W (TC)
RGP10J	0,0600	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	RGP10		Standard		DO-204AL (DO-41)	télécharger	EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														600 V		1,3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
MMSZ5250B	-	RFQ	7912	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 5%	-	Support de surface	SOD-123	MMSZ52			500 MW	SOD-123	télécharger	EAR99	8541.10.0050	1																		900 mV @ 10 mA		100 na @ 15 V															20 V	17 ohms
FDMA1023PZ	-	RFQ	3139	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-VDFN	FDMA1023		MOSFET (Oxyde Métallique)	700mw	6 microfet (2x2)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1	2 Canal P (double)				20V	3.7a		72MOHM @ 3,7A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	12nc @ 4,5 V		655pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
Fes6g	-	RFQ	8840	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	À 277, 3-Powerdfn			Standard		À 277-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)														400 V		1,2 V @ 6 A	25 ns	2 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	60pf @ 4V, 1MHz
FQP6N60C	0,8500	RFQ	20	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	353			Canal n		600 V	5.5A (TC)	10V	2OHM @ 2 75A, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 30V	810 PF @ 25 V	-	125W (TC)
Mbr4050pt	-	RFQ	2430	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	À 247-3	MBR4050		Schottky		À 247ad (to-3p)	télécharger	EAR99	8541.10.0080	190		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													1 paire la commune de cathode	50 V	40a	720 MV @ 20 A		1 ma @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Fdma6023pzt	0,3800	RFQ	369	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-UDFN	FDMA6023		MOSFET (Oxyde Métallique)	700mw	6 microfet (2x2)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	792	2 Canal P (double)				20V	3.6a		60 mohm @ 3,6a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	17nc @ 4,5 V		885pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
RGF1B	0.1300	RFQ	20	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Support de surface	DO-214AC, SMA			Standard		DO-214AC (SMA)	télécharger	EAR99	8541.10.0080	2 392		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)														100 V		1,3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8,5pf @ 4v, 1 MHz
Nvmd3p03r2g	-	RFQ	3256	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Nvmd3		MOSFET (Oxyde Métallique)	730mw (TA)	8-SOIC	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1	2 Canal P (double)				30V	2.34A (TJ)		85MOHM @ 3.05A, 10V	2,5 V @ 250µA	25nc @ 10v		750pf @ 24V	-
Ntd24n06lt4g	-	RFQ	9924	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	NTD24		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n		60 V	24a (TA)	5V	45MOHM @ 10A, 5V	2V à 250µA	32 NC @ 5 V	± 15V	1140 PF @ 25 V	-	1.36W (TA), 62,5W (TJ)
Fdv302p	-	RFQ	8849	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	FDV30		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23	télécharger		0000.00.0000	1			Canal p		25 V	120mA (TA)	2,7 V, 4,5 V	10Ohm @ 200mA, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	0,31 NC à 4,5 V	-8v	11000 pf @ 10 V	-	350MW (TA)