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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | Mdb6 | - | ![]() | 3110 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857C | 0,0700 | ![]() | 6936 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 MW | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC2504W | - | ![]() | 1994 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | Standard | GBPC-W | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA @ 400 V | 25 A | Monophasé | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFP04H60STU | 0,4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2.1 V @ 4 A | 45 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 4A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU8G | - | ![]() | 2664 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-ISIP, GBU | Standard | GBU | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 146 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 400 V | 5.6 A | Monophasé | 400 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75329S3ST | 0.4400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 55 V | 49a (TC) | 10V | 24MOHM @ 49A, 10V | 4V @ 250µA | 75 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 128W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCI7N60 | - | ![]() | 5391 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600 mOhm @ 3,5a, 10v | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 920 PF @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH077N65F-F085 | 6.1300 | ![]() | 148 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 49 | Canal n | 650 V | 54A (TC) | 10V | 77MOHM @ 27A, 10V | 5V @ 250µA | 164 NC @ 10 V | ± 20V | 7162 PF @ 25 V | - | 481W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC8010A | 1.1100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDMC8010 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSB50450UD | 6.0600 | ![]() | 489 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion SPM® 5 | En gros | Actif | Par le trou | Module 23-Powerdip (0,551 ", 14,00 mm) | Mosfet | FSB50450 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3 phase | 1,5 A | 500 V | 1500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc1623lmtf | - | ![]() | 9122 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23-3 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-KSC1623LMTF-600039 | 1 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 10mA, 100mA | 300 @ 1MA, 6V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fsbf10ch60btsl | 14.9000 | ![]() | 130 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfi614btufp001 | 0 1200 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 250 V | 2.8A (TC) | 10V | 2OHM @ 1.4A, 10V | 4V @ 250µA | 10,5 NC @ 10 V | ± 30V | 275 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF16N25C | 0,9200 | ![]() | 360 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | Canal n | 250 V | 11.4a (TC) | 10V | 270MOHM @ 5.7A, 10V | 4V @ 250µA | 53,5 NC @ 10 V | ± 30V | 1080 PF @ 25 V | - | 73W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp42ata | 0,0200 | ![]() | 8243 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | Ksp42 | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 2MA, 20mA | 40 @ 30mA, 10V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kbu8b | 1 0000 | ![]() | 3826 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 8 A | 10 µA à 100 V | 8 A | Monophasé | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF3N80 | 0,7800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 1.8A (TC) | 10V | 5OHM @ 900mA, 10V | 5V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 690 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
FDB0170N607L | - | ![]() | 3824 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-7 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 300A (TC) | 10V | 1,4 mohm @ 39a, 10v | 4V @ 250µA | 243 NC @ 10 V | ± 20V | 19250 PF @ 30 V | - | 3.8W (TA), 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9956A | - | ![]() | 4055 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw (TA) | 8-SOIC | - | 2156-NDS9956A | 1 | 2 N-Canal | 30V | 3.7A (TA) | 80MOHM @ 2,2A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 27nc @ 10v | 320pf @ 10v | Standard | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD240BTU | 1 0000 | ![]() | 9892 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 30 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 2 A | 300 µA | Pnp | 700mV @ 200mA, 1A | 15 @ 1A, 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32725 | 0,0600 | ![]() | 53 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 45 V | 800 mA | 100NA | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS5362LF085 | - | ![]() | 7713 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | EAR99 | 8542.29.0095 | 526 | Canal n | 60 V | 17.6a (TC) | 4,5 V, 10V | 33MOHM @ 17.6A, 10V | 3V à 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 878 PF @ 25 V | - | 41.7W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z47V | 0,0200 | ![]() | 111 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523F | MM5Z4 | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 000 | 50 na @ 32,9 V | 47 V | 170 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB32560 | 32.7700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion SPM® 3 | En gros | Actif | Par le trou | Module 27-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm) | Igbt | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Onduleur Triphasé | 25 A | 600 V | 2500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC3300NZA | 0,5400 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | FDMC3300 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W | 8-Power33 (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 8a | 26MOHM @ 8A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 12nc @ 4,5 V | 815pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP3835TU | 0,1800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 50 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 767 | 120 V | 8 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 300mA, 3A | 120 @ 3A, 4V | 30 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3391A | - | ![]() | 8172 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 25 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | - | 250 @ 2MA, 4,5 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N310AP3 | 0,3900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 62A (TC) | 4,5 V, 10V | 10OHM @ 62A, 10A | 3V à 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 15 V | - | 70W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4148-T50A | 0,0300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N4148 | Standard | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 11 539 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C (max) | 200m | 4pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z3V0C | 0,0200 | ![]() | 9665 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 8 889 | 1 V @ 10 mA | 9 µA @ 1 V | 3 V | 89 ohms |
Volume de RFQ moyen quotidien
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