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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | FGS15N40LTF | 0,5100 | ![]() | 161 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Standard | 2 W | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | - | Tranché | 400 V | 130 A | 8v @ 4v, 130a | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75842S3S | 0,9000 | ![]() | 542 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 150 V | 43A (TC) | 10V | 42MOHM @ 43A, 10V | 4V @ 250µA | 175 NC @ 20 V | ± 20V | 2730 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ13VA | 0,0200 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 16 705 | 1,2 V @ 200 mA | 133 na @ 10 V | 12,5 V | 11,4 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP13009 | 1 0000 | ![]() | 1903 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 100 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 200 | 400 V | 12 A | - | NPN | 3V @ 3A, 12A | 8 @ 5a, 5v | 4 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75309P3 | 0,2500 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 19A (TC) | 10V | 70MOHM @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 20 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1730YBU | 0,0200 | ![]() | 584 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 250mw | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | - | 15V | 50m | NPN | 120 @ 5mA, 10V | 1,1 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75637S3ST | 1.4800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 44a (TC) | 10V | 30MOHM @ 44A, 10V | 4V @ 250µA | 108 NC @ 20 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 155W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF06U20DNTU | 0,3300 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Standard | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 6A | 1,2 V @ 6 A | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP32BTU | 0,5900 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 2 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 80 V | 3 A | 200 µA | Pnp | 1,2 V @ 375mA, 3A | 10 @ 3A, 4V | 3 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1815GRTA | 0,0500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 400 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 2MA, 6V | 80 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Kbu6j | 0,7100 | ![]() | 5162 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 84 | 1 V @ 6 A | 10 µA @ 50 V | 6 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH20N6S2D | 0 7600 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 125 W | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | 390v, 7a, 25 ohms, 15v | 31 ns | - | 600 V | 28 A | 40 A | 2,7 V @ 15V, 7A | 25 µJ (ON), 58µJ (OFF) | 30 NC | 7,7ns / 87ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF30N06 | 0,5300 | ![]() | 85 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 21A (TC) | 10V | 40mOhm @ 10.5a, 10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 945 PF @ 25 V | - | 39W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA18N50V2 | 2.8400 | ![]() | 380 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | Canal n | 500 V | 20A (TC) | 10V | 265MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ± 30V | 3290 pf @ 25 V | - | 277W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx85c43 | 0,0200 | ![]() | 7526 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-204AL (DO-41) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 1450 | 1,2 V @ 200 mA | 500 na @ 30 V | 43 V | 50 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8876 | 0,5500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 30 V | 15A (TA), 73A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,2MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 15 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjpf1943rtu | 0,7200 | ![]() | 621 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | 50 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 230 V | 15 A | 5µA (ICBO) | Pnp | 3V @ 800mA, 8A | 55 @ 1A, 5V | 30 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMS7G20US60 | - | ![]() | 5436 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Boîte | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 25 PM-AA | 89 W | Redredeur de pont en trois phases | 25 PM-AA | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE | - | 600 V | 20 a | 2,7 V @ 15V, 20A | 250 µA | Oui | 1.277 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4953 | - | ![]() | 6317 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS49 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 30V | 5A | 55MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | 9NC @ 5V | 528pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4935 | 1 0000 | ![]() | 6688 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS49 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 30V | 7a | 23MOHM @ 7A, 10V | 3V à 250µA | 21NC @ 5V | 1233pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA20S125P | - | ![]() | 3102 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA20S125 | Standard | 250 W | To-3pn | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | - | Arête du Champ de Tranché | 1250 V | 40 A | 60 a | 2,5 V @ 15V, 20A | - | 129 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6688 | 1.3900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 88A (TA) | 4,5 V, 10V | 5.1MOHM @ 18.5A, 10V | 3V @ 1MA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3290 PF @ 15 V | - | 69W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ12VA | 0,0200 | ![]() | 53 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,2 V @ 200 mA | 133 na @ 9 V | 11.4 V | 9,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6008B | 1.8400 | ![]() | 546 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 17 V | 22 V | 55 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI13N06LTU | 0,7200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 13.6a (TC) | 5v, 10v | 110MOHM @ 6.8A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 6,4 NC @ 5 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6007B | 2 0000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 15 V | 20 V | 48 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6680 | 0,5200 | ![]() | 42 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 11.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 11.5A, 10V | 3V à 250µA | 24 NC @ 5 V | ± 20V | 2010 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP7G50US60 | 28.2600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Power-SPM ™ | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | EPM7 | 250 W | Standard | EPM7 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 11 | Demi-pont | - | 600 V | 50 a | 2,8 V @ 15V, 50A | 250 µA | Non | 2,92 nf @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW252P | - | ![]() | 6011 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 8.8A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 12,5 mohm @ 8,8a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 66 NC @ 4,5 V | ± 12V | 5045 PF @ 10 V | - | 1.3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqp32n12v2 | 0,5900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 120 V | 32A (TC) | 10V | 50MOHM @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1860 PF @ 25 V | - | 150W (TC) |
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