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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Current - Rectifié Moyen (IO) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | FJN3303BU | - | ![]() | 6963 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 1,1 W | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 400 V | 1,5 A | 10µA (ICBO) | NPN | 3V @ 500mA, 1.5A | 14 @ 500mA, 2V | 4 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Kbu6j | 0,7100 | ![]() | 5162 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 84 | 1 V @ 6 A | 10 µA @ 50 V | 6 A | Monophasé | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH20N6S2D | 0 7600 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 125 W | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | 390v, 7a, 25 ohms, 15v | 31 ns | - | 600 V | 28 A | 40 A | 2,7 V @ 15V, 7A | 25 µJ (ON), 58µJ (OFF) | 30 NC | 7,7ns / 87ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF30N06 | 0,5300 | ![]() | 85 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 21A (TC) | 10V | 40mOhm @ 10.5a, 10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 945 PF @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
FP7G50US60 | 28.2600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Power-SPM ™ | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | EPM7 | 250 W | Standard | EPM7 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 11 | Demi-pont | - | 600 V | 50 a | 2,8 V @ 15V, 50A | 250 µA | Non | 2,92 nf @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqp32n12v2 | 0,5900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 120 V | 32A (TC) | 10V | 50MOHM @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1860 PF @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgs13n60ufdtu | 0,5100 | ![]() | 118 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | SGS13 | Standard | 45 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | 300 V, 6,5A, 50 ohms, 15v | 55 ns | - | 600 V | 13 A | 52 A | 2.6V @ 15V, 6.5a | 85 µJ (ON), 95µJ (OFF) | 25 NC | 20ns / 70ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75329D3S | 0,9600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | Canal n | 55 V | 20A (TC) | 10V | 26MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 65 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 128W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA42RA | 1 0000 | ![]() | 8905 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 2MA, 20mA | 40 @ 30mA, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGH30N60ruftu | - | ![]() | 2893 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | SGH30N60 | Standard | 235 W | To-3pn | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 300 V, 30A, 7OHM, 15V | - | 600 V | 48 A | 90 A | 2,8 V @ 15V, 30A | 919µJ (ON), 814µJ (OFF) | 85 NC | 30ns / 54ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu3n60tu | 0,5100 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 040 | Canal n | 600 V | 2.4a (TC) | 10V | 3,6 ohm @ 1,2a, 10v | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 450 pf @ 25 V | - | 2,5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQN1N50CBU | - | ![]() | 8745 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1447 | Canal n | 500 V | 380mA (TC) | 10V | 6OHM @ 190mA, 10V | 4V @ 250µA | 6,4 NC @ 10 V | ± 30V | 195 PF @ 25 V | - | 890MW (TA), 2.08W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz39va | 0,0200 | ![]() | 45 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | 1,2 V @ 200 mA | 133 na @ 30 V | 35,6 V | 72 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32716BU | 0,0400 | ![]() | 44 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 45 V | 800 mA | 100NA | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kbu8b | 1 0000 | ![]() | 3826 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 8 A | 10 µA à 100 V | 8 A | Monophasé | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75337P3 | - | ![]() | 2357 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 14MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 109 NC @ 20 V | ± 20V | 1775 PF @ 25 V | - | 175W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP45N06 | 0,7300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 60 V | 45A (TC) | 10V | 28MOHM @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 20 V | ± 20V | 2050 PF @ 25 V | - | 131W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDP603AL | 0,3200 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 45 | Canal n | 30 V | 25a (TC) | 4,5 V, 10V | 22MOHM @ 25A, 10V | 3V à 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 15 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI4N25TU | 0.1900 | ![]() | 8002 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 175 | Canal n | 250 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,75 ohm @ 1,8A, 10V | 5V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 30V | 200 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB30N6S2T | 1 0000 | ![]() | 1724 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | 167 W | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 390V, 12A, 10OHM, 15V | - | 600 V | 45 A | 108 A | 2,5 V @ 15V, 12A | 55µJ (ON), 110µJ (OFF) | 23 NC | 6NS / 40NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF28N15 | 0,8000 | ![]() | 473 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 150 V | 22A (TC) | 10V | 90MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 25V | 1600 pf @ 25 V | - | 102W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ372NZ | 1.3600 | ![]() | 978 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-xfbga, wlcsp | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-WLCSP (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 5 000 | Canal n | 20 V | 4.7A (TA) | 50MOHM @ 2A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 9.8 NC @ 4,5 V | 685 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kbu6m | - | ![]() | 3266 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 A | 10 µA @ 1 V | 6 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N978B | 2.0200 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 162 | 5 µA @ 38,8 V | 51 V | 125 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75307D3S | 0,2100 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | Canal n | 55 V | 15A (TC) | 10V | 90MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 20 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2369 | - | ![]() | 8245 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 350 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 535 | 15 V | 200 mA | 400NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 1MA, 10MA | 40 @ 10mA, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2258STU | 0 1200 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 4 W | TO-126-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 60 | 300 V | 100 mA | - | NPN | 1,2 V @ 5mA, 50mA | 40 @ 40mA, 20V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N50CTM | 0,5100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 500 V | 4A (TC) | 10V | 1.4OHM @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 625 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST63MTF | - | ![]() | 1399 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100µA, 100mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kbu8k | 0,5400 | ![]() | 7963 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbu | Standard | Kbu | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 8 A | 10 µA @ 800 V | 8 A | Monophasé | 800 V |
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