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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | FMKA140 | 0,3700 | ![]() | 62 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 600 mV @ 1 a | 1 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA32N20C | 1.3100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pn | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 200 V | 32A (TC) | 10V | 82MOHM @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2220 pf @ 25 V | - | 204W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA10 | 0,0200 | ![]() | 7589 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 660 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | - | 40 @ 5µa, 10v | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD12N20TF | 0,5300 | ![]() | 6346 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 | Canal n | 200 V | 9A (TC) | 10V | 280mohm @ 4.5a, 10v | 5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 910 PF @ 25 V | - | 2,5W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE3055T | 1 0000 | ![]() | 8145 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 600 MW | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | 60 V | 10 a | 700 µA | NPN | 8V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4A, 4V | 2 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF17N08 | 0,3400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 11.2a (TC) | 10V | 115MOHM @ 5.6A, 10V | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76629D3STR4885 | 0,3400 | ![]() | 6775 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 225 | Canal n | 100 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 52MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 16V | 1285 PF @ 25 V | - | 150W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | U1898 | 0,0600 | ![]() | 9606 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 841 | Canal n | 16pf @ 20V | 40 V | 15 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 50 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu6n25TU | 0,5500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | Canal n | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1OHM @ 2,2A, 10V | 5V @ 250µA | 8,5 NC @ 10 V | ± 30V | 300 pf @ 25 V | - | 2,5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z18V | 0,0200 | ![]() | 74 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523F | 200 MW | SOD-523F | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-mm5z18v-600039 | 1 | 50 na @ 12,6 V | 18 V | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N759A | 1.9300 | ![]() | 91 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 1 V | 12 V | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS33 | 0 2200 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | Schottky | SMC (DO-214AB) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 350 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3015R | 0,0200 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | FJY301 | SOT-523F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 33 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2,2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z43VC | - | ![]() | 7538 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 30.1 V | 43 V | 141 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST13MTF | 0,0300 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | KST13 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 30 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | Npn - darlington | 1,5 V @ 100µA, 100mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7064N | 1.2700 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16a (ta) | 4,5 V | 7,5 mohm @ 16a, 4,5 V | 2V à 250µA | 48 NC @ 4,5 V | ± 12V | 3355 PF @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH125N60E | 1 0000 | ![]() | 7379 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 29A (TC) | 10V | 125MOHM @ 14.5A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2990 PF @ 380 V | - | 278W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76409T3ST | 0,5200 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | HUFA76409 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 500 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGF1D | 1 0000 | ![]() | 9952 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1K4915696 | 0,8200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 365 | Canal n | 30 V | 6.3A (TA) | 5V | 30MOHM @ 6,3A, 5V | 2V à 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 10V | 2030 pf @ 25 V | - | 2W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksr1101mtf | 0,0700 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | KSR1101 | 200 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 20 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4,7 kohms | 4,7 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4403TF | 0,0400 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 7 991 | 40 V | 600 mA | - | Pnp | 750 MV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irf654b | 0,9600 | ![]() | 447 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre Affeté | 2156-IRF654B-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76413DK8 | 0,3100 | ![]() | 5694 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | HUFA76413 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.5W (TA) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 291 | 2 Canaux N (double) | 60V | 5.1a (TC) | 49MOHM @ 5.1A, 10V | 3V à 250µA | 23nc @ 10v | 620pf @ 25v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8858H | 0,5300 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NDS885 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 30V | 6.3a, 4.8a | 35MOHM @ 4.8A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 30nc @ 10v | 720pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB40N6S2T | 3.4400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | 290 W | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 390V, 20A, 3OHM, 15V | - | 600 V | 75 A | 180 A | 2,7 V @ 15V, 20A | 115µJ (ON), 195µJ (OFF) | 35 NC | 8ns / 35ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP14N05L | 0,4000 | ![]() | 19 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 50 V | 14A (TC) | 5V | 100 mohm @ 14a, 5v | 2V à 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 670 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP8860 | 1.2600 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 238 | Canal n | 30 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,5 mohm @ 80a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 222 NC @ 10 V | ± 20V | 12240 PF @ 15 V | - | 254W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50325T | 7.2900 | ![]() | 189 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Motion SPM® 5 | En gros | Actif | Par le trou | Module 23-Powersmd, Aile du Mouette | Mosfet | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Onduleur Triphasé | 1,5 A | 250 V | 1500 VRM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC6432SH | 0.4400 | ![]() | 45 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC6432 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 700mw | Supersot ™ -6 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n et p | 30v, 12v | 2.4a, 2.5a | 90MOHM @ 2,4A, 10V | 3V @ 1MA | 3.5nc @ 5v | 270pf @ 15v | Porte de Niveau Logique |
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