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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Condition de test Gagner Actualiser Tension Tension - isolement Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
FQP6P25 Fairchild Semiconductor FQP6P25 0,8300
RFQ
 ECAD 127 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal p 250 V 6A (TC) 10V 1,1 ohm @ 3a, 10v 5V @ 250µA 27 NC @ 10 V ± 30V 780 pf @ 25 V - 90W (TC)
MM3Z8V2C Fairchild Semiconductor MM3Z8V2C 0,0300
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Support de surface SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F télécharger EAR99 8541.10.0050 8 586 1 V @ 10 mA 630 na @ 5 V 8.2 V 14 ohms
FDS6575 Fairchild Semiconductor FDS6575 1 0000
RFQ
 ECAD 2847 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal p 20 V 10A (TA) 2,5 V, 4,5 V 13MOHM @ 10A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 74 NC @ 4,5 V ± 8v 4951 PF @ 10 V - 2.5W (TA)
FDB4020P Fairchild Semiconductor FDB4020P 0,7500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 20 V 16a (ta) 2,5 V, 4,5 V 80MOHM @ 8A, 4,5 V 1V @ 250µA 13 NC @ 4,5 V ± 8v 665 PF @ 10 V - 37,5W (TC)
1N4372A Fairchild Semiconductor 1N4372A 2.7500
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.10.0050 110 1,5 V @ 200 mA 50 µA @ 1 V 3 V 29 ohms
HGTG11N120CND Fairchild Semiconductor Hgtg11n120cnd -
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 ECAD 3823 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 298 W À 247 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 960V, 11A, 10OHM, 15V 70 ns NPT 1200 V 43 A 80 A 2,4 V @ 15V, 11A 950 µJ (ON), 1,3MJ (OFF) 100 NC 23ns / 180ns
MPSL01 Fairchild Semiconductor MPSL01 -
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 ECAD 3504 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 625 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 8 954 120 V 200 mA 1µA (ICBO) NPN 300 MV à 5MA, 50mA 50 @ 10mA, 5V 60 MHz
RGP10A Fairchild Semiconductor RGP10A 0,0600
RFQ
 ECAD 55 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial Standard DO-41 télécharger Vendeur indéfini Vendeur indéfini 2156-RGP10A-600039 5 362 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1,3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4v, 1mhz
FDB603AL Fairchild Semiconductor FDB603AL 1.2200
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 263ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 30 V 33A (TC) 4,5 V, 10V 22MOHM @ 25A, 10V 3V à 250µA 26 NC @ 10 V ± 20V 670 pf @ 15 V - 50W (TC)
FQA9N50 Fairchild Semiconductor FQA9N50 -
RFQ
 ECAD 4882 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 220 Canal n 500 V 9.6a (TC) 10V 730MOHM @ 4.8A, 10V 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 160W (TC)
KSA1304YTU Fairchild Semiconductor KSA1304YTU 0 2400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 20 W À 220f-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 50 150 V 1,5 A 10µA (ICBO) Pnp 1,5 V @ 50mA, 500mA 40 @ 500mA, 10V 4 MHz
FQD5N20LTM Fairchild Semiconductor Fqd5n20ltm 0,3300
RFQ
 ECAD 4354 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger EAR99 8542.39.0001 358 Canal n 200 V 3.8A (TC) 5v, 10v 1,2 ohm @ 1,9a, 10v 2V à 250µA 6.2 NC @ 5 V ± 20V 325 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 37W (TC)
HUF76609D3 Fairchild Semiconductor HUF76609D3 0,4000
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 100 V 10A (TC) 4,5 V, 10V 160MOHM @ 10A, 10V 3V à 250µA 16 NC @ 10 V ± 16V 425 pf @ 25 V - 49W (TC)
2N4124TFR Fairchild Semiconductor 2N4124TFR 0,0200
RFQ
 ECAD 2405 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 2156-2n4124tfr-fstr EAR99 8541.21.0075 2 000 25 V 200 mA 50NA (ICBO) NPN 300 MV à 5MA, 50mA 120 @ 2MA, 1V 300 MHz
NDS9936 Fairchild Semiconductor NDS9936 0,5400
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) NDS993 MOSFET (Oxyde Métallique) 900mw 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 2 500 2 Canaux N (double) 30V 5A 50MOHM @ 5A, 10V 3V à 250µA 35nc @ 10v 525pf @ 15v Porte de Niveau Logique
FLZ3V3A Fairchild Semiconductor Flz3v3a 0,0200
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Support de surface DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 500 MW SOD-80 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.10.0050 2 500 1,2 V @ 200 mA 14 µA @ 1 V 3,3 V 35 ohms
BC560C Fairchild Semiconductor BC560C 0,0700
RFQ
 ECAD 6745 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW À 92 (à 226) télécharger Rohs3 conforme 2156-BC560C-FS EAR99 8541.21.0075 5 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) Pnp 250 mV @ 5mA, 100mA 380 @ 2MA, 5V 250 MHz
NDS336P Fairchild Semiconductor NDS336P -
RFQ
 ECAD 8885 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 1.2A (TA) 2,7 V, 4,5 V 200 mohm @ 1,3a, 4,5 V 1V @ 250µA 8,5 NC @ 4,5 V ± 8v 360 PF @ 10 V - 500mw (TA)
SB29003TF Fairchild Semiconductor SB29003TF 0,1500
RFQ
 ECAD 124 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa 2 W SOT-223-4 - Rohs non conforme Vendeur indéfini 2156-SB29003TF EAR99 8541.21.0095 1 400 V 300 mA 500NA NPN 750 MV à 5MA, 50mA 50 @ 10mA, 10V -
KSC1674OBU Fairchild Semiconductor KSC1674OBU 0,0200
RFQ
 ECAD 146 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 250mw To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 1 000 - 20V 20 mA NPN 70 @ 1MA, 6V 600 MHz 3 dB ~ 5 dB à 100mHz
1N968BTR Fairchild Semiconductor 1N968BTR 0,0400
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.10.0050 5 000 5 µA @ 15,2 V 20 V 25 ohms
FDMD8900 Fairchild Semiconductor FDMD8900 0.9900
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 12-POWERWDFN FDMD89 MOSFET (Oxyde Métallique) 2.1W 12 Puisse3.3x5 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 2 Canaux N (double) 30V 19A, 17A 4MOHM @ 19A, 10V 2,5 V @ 250µA 35nc @ 10v 2605pf @ 15v -
BZX85C20 Fairchild Semiconductor BZX85C20 1 0000
RFQ
 ECAD 2810 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 5% - Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial BZX85C20 1,3 W Do-41g télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 mA 500 na @ 15 V 20 V 24 ohms
FDS6688S Fairchild Semiconductor FDS6688 0,7200
RFQ
 ECAD 288 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 16a (ta) 4,5 V, 10V 6MOHM @ 16A, 10V 3V @ 1MA 78 NC @ 10 V ± 20V 3290 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
KSB1151YS Fairchild Semiconductor KSB1151ys 0,3600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 225aa, à 126-3 1,3 W TO-126-3 télécharger 0000.00.0000 838 60 V 5 a 10µA (ICBO) Pnp 300 mV @ 200mA, 2A 100 @ 2a, 1v -
BC337 Fairchild Semiconductor BC337 1 0000
RFQ
 ECAD 6122 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW À 92 (à 226) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 2 000 45 V 800 mA 100NA NPN 700 mV à 50ma, 500mA 100 @ 100mA, 1v 210 MHz
FDH5500 Fairchild Semiconductor FDH5500 1.5600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 300 Canal n 55 V 75A (TC) 10V 7MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 268 NC @ 20 V ± 30V 3565 PF @ 25 V - 375W (TC)
FNA40860B2 Fairchild Semiconductor FNA40860B2 12.9000
RFQ
 ECAD 211 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Motion SPM® 45 En gros Actif Par le trou Module 26-Powerdip (1 024 ", 26,00 mm) Igbt télécharger EAR99 8542.39.0001 1 3 phase 8 A 600 V 2000 VRM
FDMC6296 Fairchild Semiconductor FDMC6296 0,6000
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8 MLP (3,3x3,3) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 11.5A (TA) 4,5 V, 10V 10,5 mohm @ 11,5a, 10v 3V à 250µA 19 NC @ 5 V ± 20V 2141 PF @ 15 V - 900MW (TA), 2,1W (TC)
FJNS3201RTA Fairchild Semiconductor FJNS3201RTA 0,0200
RFQ
 ECAD 301 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps Court FJNS32 300 MW To-92s télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 10mA 20 @ 10mA, 5V 250 MHz 4,7 kohms 4,7 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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